X射线阴极聚焦元件的制作方法

本文公开的主题的实施方案涉及用于成像系统(例如，x射线成像系统)的阴极。

背景技术：

1、在x射线管中，电离辐射通过在真空中经由电场将电子从阴极加速到阳极而产生。电子源自具有流过其中的电流的阴极的长丝。长丝可以由流过它的电流加热以从阴极释放电子，并使电子朝向阳极加速。由不同电压的电流加热的附加长丝可以用于将电子束朝向阳极聚焦，并且影响x射线发射点的大小和位置。阴极可被配置有附加聚焦元件，诸如聚焦架构，例如以进一步影响x射线发射点的大小和位置。

技术实现思路

1、在一个实施方案中，一种用于x射线设备的阴极包括：杯；和陶瓷绝缘体，该陶瓷绝缘体具有与围绕该陶瓷绝缘体的该杯上的对应凹坑配合的凸外表面。

2、应当理解，提供上面的简要描述来以简化的形式介绍在具体实施方式中进一步描述的精选概念。这并不意味着识别所要求保护的主题的关键或必要特征，该主题的范围由具体实施方式后的权利要求书唯一地限定。此外，所要求保护的主题不限于解决上文或本公开的任何部分中提到的任何缺点的实施方式。

1.一种用于x射线设备的阴极，所述阴极包括：

2.根据权利要求1所述的阴极，其中所述杯包含金属，并且其中所述陶瓷绝缘体仅具有中心开口以及具有至少90度圆曲率的通孔或外部凹部。

3.根据权利要求2的阴极，其中所述陶瓷绝缘体具有带有弯曲边缘的大致矩形形状，并且其中所述中心开口是在所述陶瓷绝缘体的中心带有弯曲内边缘的矩形切口。

4.根据权利要求2所述的阴极，其中所述陶瓷绝缘体具有与第三腿相对的第一腿和与第四腿相对的第二腿；其中

5.根据权利要求4所述的阴极，其中所述凸外表面包括分别位于所述第二腿和所述第四腿上的第一弯曲表面和第二弯曲表面。

6.根据权利要求5所述的阴极，其中所述第一弯曲表面定位在所述第二长度的中心处。

7.根据权利要求5所述的阴极，其中所述第一弯曲表面具有一体式凸波形，所述一体式凸波形带有位于中心点处的第三宽度以及沿着所述第二长度位于所述第三宽度的任一侧上的第四宽度。

8.根据权利要求7所述的阴极，其中所述第三宽度大于所述第一宽度并且所述第四宽度小于所述第一宽度。

9.根据权利要求5所述的阴极，其中所述阴极还包括靠近所述陶瓷绝缘体的第一面的第一钎焊箔和靠近所述陶瓷绝缘体的第二面的第二钎焊箔，所述第一面与所述第二面相对。

10.根据权利要求9所述的阴极，其中所述第一钎焊箔和所述第二钎焊箔各自具有与所述陶瓷绝缘体的所述凸外表面的所述第一弯曲表面和所述第二弯曲表面等效的弯曲部。

11.根据权利要求9所述的阴极，其中所述杯包括靠近所述陶瓷绝缘体的所述第一面的基座和靠近所述陶瓷绝缘体的所述第二面的焊盘。

12.根据权利要求11所述的阴极，其中所述基座具有与第七腿相对的第五腿和与第八腿相对的第六腿；其中

13.根据权利要求12所述的阴极，其中所述基座包括沿着所述第七腿的第五长度的下延伸部，用于将所述阴极联接到所述x射线设备的x射线管。

14.根据权利要求12所述的阴极，其中所述基座包括位于所述第六腿和所述第八腿中的每一者上的凹坑基座，其中所述第六腿上的第一凹坑基座与所述陶瓷绝缘体的所述第二腿上的所述第一弯曲表面竖直对准，并且所述第八腿上的第二凹坑基座与所述陶瓷绝缘体的所述第四腿上的所述第二弯曲表面竖直对准。

15.根据权利要求14所述的阴极，其中所述第一凹坑基座和所述第二凹坑基座是等效的。

16.一种用于x射线设备的阴极组件，所述阴极组件包括：

17.根据权利要求16所述的阴极组件，所述阴极组件还包括靠近所述陶瓷绝缘体的第一面的第一钎焊箔和靠近所述陶瓷绝缘体的第二面的第二钎焊箔，所述第一面与所述第二面相对，并且所述第一钎焊箔和所述第二钎焊箔具有与所述陶瓷绝缘体的所述凸外表面配合的凸外表面。

18.一种成像系统，所述成像系统包括：

19.根据权利要求18所述的成像系统，其中所述收集器组件包括窗口和电子收集器，通过所述窗口发射由所述阳极组件生成的x射线，所述电子收集器用于在所述成像系统内吸收反向散射电子。

20.根据权利要求18所述的成像系统，其中所述阳极组件包括所述电子束聚焦于其上的至少一个靶、转子和支承臂。