半导体器件的制作方法

本公开涉及一种半导体器件，并且更具体地，涉及一种包括多桥沟道场效应晶体管(mbcfettm)的半导体器件。

背景技术：

1、近年来，随着信息媒体的快速供应，半导体器件的功能已显著增加。在最近的半导体产品的情况下，需要高集成度，并且正在缩小半导体器件以提高集成度。

2、随着间距尺寸减小，需要提供半导体器件内部的接触部之间的电容降低和电稳定性。

技术实现思路

1、一个或多个实施例提供了一种半导体器件，其中，包括上栅电极的上半导体元件堆叠在包括下栅电极的下半导体元件上以提高集成度。

2、根据示例实施例的一个方面，一种半导体器件包括：下衬底；下有源图案，在下衬底上沿第一水平方向延伸；第一下栅电极，在下有源图案上沿与第一水平方向相交的第二水平方向延伸；连接部，在第一下栅电极上；上衬底，在连接部上；上有源图案，在上衬底上沿第一水平方向延伸，其中，上有源图案在第二水平方向和与第一水平方向和第二水平方向相交的竖直方向中的每一个方向上与下有源图案间隔开；第一上栅电极，在上有源图案上沿第二水平方向延伸，其中，第一上栅电极在竖直方向上至少部分地与第一下栅电极重叠；以及第一栅极接触部，在第二水平方向上与第一上栅电极间隔开，其中，第一栅极接触部沿竖直方向延伸穿过上衬底和连接部，第一栅极接触部连接到第一下栅电极，并且第一栅极接触部具有比第一上栅电极的上表面更远离下衬底的上表面。

3、根据示例实施例的一个方面，一种半导体器件包括：下衬底；下有源图案，在下衬底上沿第一水平方向延伸；第一下栅电极，在下有源图案上沿与第一水平方向相交的第二水平方向延伸；下源/漏区，在第一下栅电极的至少一侧上；下层间绝缘层，在第一下栅电极的侧壁上；连接部，在下层间绝缘层和第一下栅电极上；上衬底，在连接部上；上有源图案，在上衬底上沿第一水平方向延伸；第一上栅电极，在上有源图案上沿第二水平方向延伸，其中，第一上栅电极在与第一水平方向和第二水平方向相交的竖直方向上至少部分地与第一下栅电极重叠；上源/漏区，在第一上栅电极的至少一侧上；上层间绝缘层，在第一上栅电极的侧壁上；第一源/漏接触部，沿竖直方向延伸穿过上层间绝缘层、上衬底、连接部和下层间绝缘层，并连接到下源/漏区；以及第二源/漏接触部，沿竖直方向延伸穿过上层间绝缘层，并连接到上源/漏区。第一源/漏接触部的上表面和第二源/漏接触部的上表面沿公共平面延伸。

4、根据示例实施例的一个方面，一种半导体器件包括：下衬底；下有源图案，在下衬底上沿第一水平方向延伸；第一下栅电极，在下有源图案上沿与第一水平方向相交的第二水平方向延伸；第二下栅电极，在下有源图案上沿第二水平方向延伸，其中，第二下栅电极在第一水平方向上与第一下栅电极间隔开；下源/漏区，在第一下栅电极和第二下栅电极之间；下层间绝缘层，在第一下栅电极和第二下栅电极中的每一个的侧壁上；连接部，在下层间绝缘层以及第一下栅电极和第二下栅电极上；上衬底，在连接部上；上有源图案，在上衬底上沿第一水平方向延伸；第一上栅电极，在上有源图案上沿第二水平方向延伸，其中，第一上栅电极在与第一水平方向和第二水平方向相交的竖直方向上至少部分地与第一下栅电极重叠；第二上栅电极，在上有源图案上沿第二水平方向延伸，其中，第二上栅电极在第一水平方向上与第一上栅电极间隔开，并且第二上栅电极在竖直方向上至少部分地与第二下栅电极重叠；上源/漏区，在第一上栅电极和第二上栅电极之间；上层间绝缘层，在第一上栅电极和第二上栅电极的侧壁上；第一栅极接触部，在第二水平方向上与第一上栅电极间隔开，其中，第一栅极接触部沿竖直方向延伸穿过上层间绝缘层、上衬底和连接部，第一栅极接触部连接到第一下栅电极，并且第一栅极接触部具有比第一上栅电极的上表面更远离下衬底的上表面；第二栅极接触部，在第二水平方向上与第二上栅电极间隔开，第二栅极接触部沿竖直方向延伸穿过上层间绝缘层、上衬底和连接部，第二栅极接触部连接到第二下栅电极，第二栅极接触部具有比第二上栅电极的上表面更远离下衬底的上表面；第三栅极接触部，与第二栅极接触部接触，其中，第三栅极接触部连接到第二上栅电极，并且第三栅极接触部的上表面和第二栅极接触部的上表面沿共同平面延伸；第一源/漏接触部，沿竖直方向延伸穿过上层间绝缘层、上衬底、连接部和下层间绝缘层，并连接到下源/漏区；以及第二源/漏接触部，沿竖直方向延伸穿过上层间绝缘层，并连接到上源/漏区。第一源/漏接触部的上表面和第二源/漏接触部的上表面沿公共平面延伸。

5、本公开不限于具体实施例。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括在所述第二上栅电极上的封盖图案，

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一源/漏接触部包括：

8.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述下有源图案上在所述竖直方向上彼此间隔开的多个下纳米片，

11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述上有源图案上在所述竖直方向上彼此间隔开的多个上纳米片，

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一下栅电极的上表面比所述下有源图案的最上表面更远离所述下衬底，并且

13.一种半导体器件，包括：

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述下有源图案和所述上有源图案在所述第二水平方向和所述竖直方向中的每一个方向上彼此间隔开。

15.根据权利要求13所述的半导体器件，还包括：第一栅极接触部，在所述第二水平方向上与所述第一上栅电极间隔开，其中，所述第一栅极接触部沿所述竖直方向延伸穿过所述上层间绝缘层、所述上衬底和所述连接部，所述第一栅极接触部连接到所述第一下栅电极，并且所述第一栅极接触部具有比所述第一上栅电极的上表面更远离所述下衬底的上表面。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，还包括连接到所述第一上栅电极的第二栅极接触部，其中，所述第二栅极接触部在所述第二水平方向上与所述第一栅极接触部间隔开，并且所述第二栅极接触部的上表面和所述第一栅极接触部的上表面沿所述公共平面延伸。

17.根据权利要求13所述的半导体器件，还包括：

18.根据权利要求17所述的半导体器件，还包括：

19.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述第一源/漏接触部包括：

20.一种半导体器件，包括：

技术总结
提供了一种半导体器件。半导体器件包括：下衬底；下有源图案，在下衬底上沿第一水平方向延伸；第一下栅电极，在下有源图案上沿第二水平方向延伸；上衬底，在第一下栅电极上；上有源图案，在上衬底上沿第一水平方向延伸，其中，上有源图案在第二水平方向和竖直方向中的每一个方向上与下有源图案间隔开；第一上栅电极，在上有源图案上沿第二水平方向延伸，其中，第一上栅电极在竖直方向上至少部分地与第一下栅电极重叠；以及第一栅极接触部，在第二水平方向上与第一上栅电极间隔开。

技术研发人员：金昊俊,朴埈范,千宽永
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15