封装结构、封装系统及封装结构的成型方法与流程

本发明涉及封装，尤其涉及一种封装结构、封装系统及封装结构的成型方法。

背景技术：

1、应用于5g基站的末级功率放大器，具有输出功率大、体积大、频率高等特点。形成此类功率放大器的封装结构对散热的需求高，目前高导热的gan/sic芯片、高导热银胶、高导热铜片等已经运用于此类封装结构，但芯片温度仍然会持续升高，进而影响封装结构的整体性能。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种封装结构、封装系统及封装结构的成型方法，其可以提升封装结构的散热能力。

2、为实现上述发明目的之一，本发明一实施例提供一种封装结构，包括：基岛，具有安装面；至少一芯片，设置于所述安装面；塑封部，所述塑封部环绕所述基岛及所述芯片设置，所述塑封部远离所述安装面的一侧形成开口；盖体，设置于所述开口；引脚部，部分塑封在所述塑封部内，所述引脚部与所述芯片电性连接，所述引脚部自所述塑封部远离所述安装面的一端向外暴露。

3、作为本发明一实施例的进一步改进，所述引脚部包括内引脚和外引脚，所述基岛、所述塑封部及所述盖体围设形成空腔，所述内引脚与所述芯片于所述空腔内打线连接。

4、作为本发明一实施例的进一步改进，所述外引脚远离所述基岛的一侧表面与所述盖体远离所述基岛的一侧表面齐平。

5、作为本发明一实施例的进一步改进，所述外引脚环绕所述盖体设置。

6、作为本发明一实施例的进一步改进，所述引脚部还包括爬锡部，所述爬锡部暴露于所述塑封部的外侧且连接所述外引脚，所述爬锡部位于所述外引脚靠近所述盖体的一侧，或者，所述爬锡部同时位于所述外引脚靠近所述盖体的一侧及远离所述盖体的一侧。

7、作为本发明一实施例的进一步改进，所述封装结构还包括焊线，所述内引脚靠近所述盖体的一侧设有键合区，所述芯片远离所述基岛的一侧设有电连区，所述焊线电性连接所述键合区及所述电连区。

8、作为本发明一实施例的进一步改进，所述塑封部包括承载所述内引脚的第一台阶面，所述第一台阶面相较于所述安装面靠近所述盖体，或者，所述第一台阶面与所述安装面齐平。

9、作为本发明一实施例的进一步改进，所述塑封部包括承载所述盖体的第二台阶面，所述第二台阶面呈环状，且所述封装结构还包括位于所述第二台阶面与所述盖体之间的胶层。

10、作为本发明一实施例的进一步改进，所述内引脚及所述外引脚暴露于所述塑封部的外侧，所述引脚部还包括连接部，所述连接部埋设于所述塑封部中且连接所述内引脚及所述外引脚。

11、作为本发明一实施例的进一步改进，所述连接部包括相互垂直的第一连接部及第二连接部，所述第一连接部平行于所述安装面，所述内引脚平行于所述安装面并连接所述第一连接部，所述第二连接部朝远离所述安装面的方向的延伸段连接所述外引脚，所述外引脚垂直于所述第二连接部。

12、作为本发明一实施例的进一步改进，所述塑封部包括环绕连接于所述基岛的外周缘的第一部分，所述基岛的外周缘包括粗糙面。

13、作为本发明一实施例的进一步改进，所述封装结构还包括设置于所述基岛远离所述安装面的一侧的散热片。

14、作为本发明一实施例的进一步改进，所述封装结构还包括涂布于所述盖体远离所述安装面的一侧的锡层。

15、作为本发明一实施例的进一步改进，所述引脚部的厚度小于所述基岛的厚度。

16、作为本发明一实施例的进一步改进，所述塑封部的材料为热塑性材料。

17、为实现上述发明目的之一，本发明一实施例提供一种封装系统，包括如上任意一项所述的封装结构及外接结构，所述外接结构与所述引脚部电性连接。

18、作为本发明一实施例的进一步改进，所述外接结构为印刷电路板。

19、为实现上述发明目的之一，本发明一实施例提供一种封装结构的成型方法，包括:

20、塑封基岛及引脚部而形成环绕所述基岛的塑封部，所述塑封部远离所述基岛的一侧形成开口；

21、于基岛的安装面上设置至少一芯片；

22、打线连接所述芯片及所述引脚部，所述引脚部自所述塑封部远离所述安装面的一端向外暴露；

23、于所述开口处安装盖体。

24、作为本发明一实施例的进一步改进，所述“塑封基岛及引脚部而形成环绕所述基岛的塑封部”具体包括：

25、提供间隔设置的金属上板及金属下板，所述金属上板呈环状；

26、折弯所述金属上板而形成引脚部；

27、半蚀刻所述金属下板的外周缘而形成基岛；

28、塑封基岛及引脚部而形成环绕所述基岛的塑封部。

29、作为本发明一实施例的进一步改进，所述引脚部的纵截面呈“z”字型，所述引脚部包括内引脚和外引脚，所述内引脚及所述外引脚分别位于“z”字型的首端及末端。

30、作为本发明一实施例的进一步改进，所述成型方法还包括：

31、至少切割超出所述塑封部的外周缘的所述引脚部而使得切割端面与所述塑封部的外周缘齐平。

32、作为本发明一实施例的进一步改进，所述成型方法还包括：

33、切割超出所述塑封部的外周缘的部分所述引脚部而形成超出所述塑封部的外周缘的爬锡部，所述引脚部包括内引脚和外引脚；

34、折弯所述爬锡部而使得所述爬锡部垂直于所述外引脚。

35、与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明一实施例的引脚部自塑封部远离安装面的一端向外暴露，即至少部分引脚部远离基岛，当引脚部连接印刷电路板时，基岛上与安装面相对的另一侧表面完全暴露于空气之中，芯片工作时产生的热量除了少量通过引脚部导出至印刷电路板外，其大部分热量还可以直接通过基岛散出到空气中，可显著提高封装结构的散热效果；塑封部中埋设有引脚部，引脚部可提高塑封部的整体强度，可防止整个封装结构发生翘曲，气密性也得到提升。

技术特征：

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述引脚部包括内引脚和外引脚，所述基岛、所述塑封部及所述盖体围设形成空腔，所述内引脚与所述芯片于所述空腔内打线连接。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述外引脚远离所述基岛的一侧表面与所述盖体远离所述基岛的一侧表面齐平。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述外引脚环绕所述盖体设置。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述引脚部还包括爬锡部，所述爬锡部暴露于所述塑封部的外侧且连接所述外引脚，所述爬锡部位于所述外引脚靠近所述盖体的一侧，或者，所述爬锡部同时位于所述外引脚靠近所述盖体的一侧及远离所述盖体的一侧。

6.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括焊线，所述内引脚靠近所述盖体的一侧设有键合区，所述芯片远离所述基岛的一侧设有电连区，所述焊线电性连接所述键合区及所述电连区。

7.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述塑封部包括承载所述内引脚的第一台阶面，所述第一台阶面相较于所述安装面靠近所述盖体，或者，所述第一台阶面与所述安装面齐平。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述塑封部包括承载所述盖体的第二台阶面，所述第二台阶面呈环状，且所述封装结构还包括位于所述第二台阶面与所述盖体之间的胶层。

9.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述内引脚及所述外引脚暴露于所述塑封部的外侧，所述引脚部还包括连接部，所述连接部埋设于所述塑封部中且连接所述内引脚及所述外引脚。

10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述连接部包括相互垂直的第一连接部及第二连接部，所述第一连接部平行于所述安装面，所述内引脚平行于所述安装面并连接所述第一连接部，所述第二连接部朝远离所述安装面的方向的延伸段连接所述外引脚，所述外引脚垂直于所述第二连接部。

11.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述塑封部包括环绕连接于所述基岛的外周缘的第一部分，所述基岛的外周缘包括粗糙面。

12.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括设置于所述基岛远离所述安装面的一侧的散热片。

13.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括涂布于所述盖体远离所述安装面的一侧的锡层。

14.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述引脚部的厚度小于所述基岛的厚度。

15.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述塑封部的材料为热塑性材料。

16.一种封装系统，其特征在于，包括如权利要求1-15中任意一项所述的封装结构及外接结构，所述外接结构与所述引脚部电性连接。

17.根据权利要求16所述的封装系统，其特征在于，所述外接结构为印刷电路板。

18.一种封装结构的成型方法，其特征在于，包括:

19.根据权利要求18所述的成型方法，其特征在于，所述“塑封基岛及引脚部而形成环绕所述基岛的塑封部”具体包括：

20.根据权利要求18所述的成型方法，其特征在于，所述引脚部的纵截面呈“z”字型，所述引脚部包括内引脚和外引脚，所述内引脚及所述外引脚分别位于“z”字型的首端及末端。

21.根据权利要求18所述的成型方法，其特征在于，所述成型方法还包括：

22.根据权利要求18所述的成型方法，其特征在于，所述成型方法还包括：

技术总结
本发明揭示了一种封装结构、封装系统及封装结构的成型方法，封装结构包括基岛、塑封部、盖体、至少一芯片及引脚部；基岛具有安装面，至少一芯片设置于安装面，塑封部环绕基岛及芯片设置，塑封部远离安装面的一侧形成开口；盖体设置于开口；引脚部部分塑封在塑封部内，引脚部与芯片电性连接，引脚部自塑封部远离安装面的一端向外暴露。本发明的引脚部自塑封部远离安装面的一端向外暴露，即至少部分引脚部远离基岛，当引脚部连接印刷电路板时，芯片热量除了少量通过引脚部导出至印刷电路板外，大部分热量还可以通过基岛散出到空气中，可显著提高封装结构的散热效果；引脚部还可提高塑封部的整体强度。

技术研发人员：杨锦柯,刘庭,张月升,濮虎
受保护的技术使用者：江苏长电科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13