一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管与流程

本发明涉及半导体器件，尤其涉及一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管。

背景技术：

1、目前的薄膜晶体管的制备方法是先设置有源层，通过刻蚀等方法在有源层表面设置源极和漏极。会在设置源极和漏极的过程中对有源层造成损害和污染，导致有源层表面的粗糙度提高，进而会导致载流子受到有源层表面的粗糙度的影响，载流子迁移率降低的问题。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，以解决目前的薄膜晶体管的制备方法会在设置源极和漏极的过程中对有源层造成损害和污染，导致有源层表面的粗糙度提高，进而会导致载流子受到有源层表面的粗糙度的影响，载流子迁移率降低的问题。

2、本申请实施例的第一方面提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

3、在衬底的一侧设置有源层；

4、在所述有源层远离所述衬底的一侧设置保护层；

5、依次刻蚀所述保护层和所述有源层，得到第一保护层结构和有源层结构，其中，所述第一保护层结构在所述衬底层上的正投影覆盖所述有源层结构在所述衬底层上的正投影。

6、在一些实施方式中，所述的薄膜晶体管的制备方法，还包括：

7、刻蚀所述第一保护层结构，得到第二保护层结构，以使所述第二保护层结构覆盖部分所述有源层结构，其中，相对于所述第二保护层结构裸露的部分所述有源层结构形成源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区在所述衬底层上的正投影无交叠；

8、在所述第一保护层结构远离所述衬底层的一侧设置源漏电极层，以使所述源极区和所述漏极区的所述有源层结构分别与所述源漏电极层连接。

9、在一些实施方式中，所述刻蚀所述第一保护层结构，包括：

10、在所述第一保护层结构远离所述衬底层的一侧设置光刻胶；

11、对所述光刻胶依次进行曝光和显影，得到光刻胶图形，其中，所述光刻胶图形覆盖部分所述有源层结构；

12、基于所述光刻胶图形，刻蚀所述第一保护层结构，得到第二保护层结构，以使所述第二保护层结构覆盖部分所述有源层结构；

13、所述在所述第一保护层结构远离所述衬底层的一侧设置源漏电极层，包括：

14、在所述光刻胶图形远离所述衬底层的一侧设置所述源漏电极层。

15、在一些实施方式中，所述在所述第一保护层结构远离所述衬底层的一侧设置源漏电极层之后，还包括：

16、去除所述光刻胶图形，以将所述光刻胶图形远离所述衬底层一侧的所述源漏电极层带离，其中，与所述源极区的所述有源层结构电连接的所述源漏电极层形成源极，与所述漏极区的所述有源层结构电连接的所述源漏电极层形成漏极，所述源极和所述漏极在所述衬底层上的正投影无交叠。

17、在一些实施方式中，所述在所述有源层远离所述衬底的一侧设置保护层，包括：

18、通过原子层沉积法在所述有源层的一侧生长所述保护层。

19、在一些实施方式中，在所述在衬底的一侧设置有源层之前，还包括：

20、在所述衬底层的一侧设置第一栅极；

21、在所述第一栅极远离所述衬底层的一侧设置第一绝缘层，其中，所述第一绝缘层位于所述第一栅极和所述有源层之间。

22、在一些实施方式中，所述的薄膜晶体管的制备方法，还包括：

23、在所述保护层远离所述有源层的一侧设置第二绝缘层；

24、在所述第二绝缘层远离所述有源层的一侧设置第二栅极。

25、在一些实施方式中，所述有源层包括铟镓锌氧、单晶硅和多晶硅。

26、在一些实施方式中，所述保护层包括氧化铝、氧化硅和氮化硅。

27、本申请实施例的第二方面还提供了一种薄膜晶体管，包括：

28、采用如上述第一方面中任一种所述的薄膜晶体管的制备方法制备得到。

29、本申请实施例提供了一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，涉及半导体器件技术领域，以解决目前的薄膜晶体管的制备方法会在设置源极和漏极的过程中对有源层造成损害和污染，导致有源层表面的粗糙度提高，进而会导致载流子受到有源层表面的粗糙度的影响，载流子迁移率降低的问题。该薄膜晶体管的制备方法包括：在衬底的一侧设置有源层；在所述有源层远离所述衬底的一侧设置保护层；依次刻蚀所述保护层和所述有源层，得到第一保护层结构和有源层结构，其中，所述第一保护层结构在所述衬底层上的正投影覆盖所述有源层结构在所述衬底层上的正投影。先在有源层上设置保护层，再对保护层和有源层依次刻蚀，可以对有源层结构形成第一保护层结构，以保护有源层结构，以防后续的制备工艺对有源层结构的表面造成损害或污染。从而可以提高有源层表面的光滑性和完整性，可以防止外部的光照和水氧环境对于有源层的影响，可以减小有源层的界面态密度，可以优化短沟道薄膜晶体管的亚阈值摆幅，可以减小有源层中载流子受到的粗糙表面的散射影响，从而可以提高有源层的载流子迁移率，进而可以提高薄膜晶体管的载流子迁移率，从而可以提高薄膜晶体管的性能。

技术特征：

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，还包括：

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一保护层结构，包括：

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述有源层远离所述衬底的一侧设置保护层，包括：

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述在衬底的一侧设置有源层之前，还包括：

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，还包括：

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述有源层包括铟镓锌氧、单晶硅和多晶硅。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述保护层包括氧化铝、氧化硅和氮化硅。

10.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

技术总结
本申请实施例提供了一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，涉及半导体器件技术领域，以解决目前的薄膜晶体管的制备方法会在设置源极和漏极的过程中对有源层造成损害和污染，导致有源层表面的粗糙度提高，进而会导致载流子受到有源层表面的粗糙度的影响，载流子迁移率降低的问题。该薄膜晶体管的制备方法包括：在衬底的一侧设置有源层；在所述有源层远离所述衬底的一侧设置保护层；依次刻蚀所述保护层和所述有源层，得到第一保护层结构和有源层结构，其中，所述第一保护层结构在所述衬底层上的正投影覆盖所述有源层结构在所述衬底层上的正投影。

技术研发人员：杨冠华,卢年端,王桂磊,赵超,李泠
受保护的技术使用者：北京超弦存储器研究院
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13