一种硅基读出电路表面平坦化处理方法及探测器与流程

本申请涉及半导体，尤其涉及一种硅基读出电路表面平坦化处理方法及探测器。

背景技术：

1、红外焦平面探测技术具有光谱响应波段宽、可获得更多地面目标信息、能昼夜工作等显著优点，广泛应用于农牧业、森林资源的调查、开发和管理、气象预报、地热分布、地震、火山活动，太空天文探测等领域。碲镉汞红外探测器是红外探测技术的代表产品之一，并且是新一代红外探测器的发展方向。因此碲镉汞红外探测器的重要组成部分：硅基读出电路，其表面平坦化方法是红外探测器的核心技术。

2、碲镉汞红外探测器是红外探测技术的代表产品之一。其是由红外光敏材料芯片和硅基读出电路通过设备倒装互连制备而成。在倒装互连之前需要在读出电路表面制备金属铟的凸点，铟凸点的高度和高度均匀性直接影响倒装互连的工艺质量。而读出电路表面铟凸点的高度和均匀性受读出电路表面的平坦度影响很大。例如：一些读出电路由于其特殊的结构设计，使得表面出现了3微米以上的起伏。此类电路表面加工出的铟凸点高度和高度均匀性会明显降低，使得红外探测器良率明显下降。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种硅基读出电路表面平坦化处理方法及探测器，用以提升读出电路表面的平坦度，提升表面加工出的铟凸点高度和高度均匀性，进而提高红外探测器的良品率。

2、本申请实施例提供一种硅基读出电路表面平坦化处理方法，包括：

3、在硅基读出电路表面涂覆光刻胶，以使得涂覆光刻胶后，所述硅基读出电路表面被完全覆盖；

4、清洗所述硅基读出电路表面涂覆的光刻胶，以使得裸露出部分所述硅基读出电路表面；

5、将裸露出的部分所述硅基读出电路表面去除，完成对所述硅基读出电路表面的平坦化处理。

6、可选的，在硅基读出电路表面涂覆的光刻胶的厚度与所述硅基读出电路的起伏高度相当。

7、可选的，将裸露出的部分所述硅基读出电路表面去除之后，还包括：

8、去除余留的所述硅基读出电路表面的光刻胶。

9、可选的，清洗所述硅基读出电路表面涂覆的光刻胶是利用等离子清洗设备实现的。

10、可选的，将裸露出的部分所述硅基读出电路表面去除是通过等离子体刻蚀设备实现的。

11、本申请实施例还提出一种红外探测器，包括经由前述的硅基读出电路表面平坦化处理方法处理获得的硅基读出电路和碲镉汞芯片，所述硅基读出电路与所述碲镉汞芯片之间倒装连接。

12、利用本申请实施例的方法能够提升读出电路表面的平坦度，提升表面加工出的铟凸点高度和高度均匀性，进而提高红外探测器的良品率。

13、上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。

技术特征：

1.一种硅基读出电路表面平坦化处理方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的硅基读出电路表面平坦化处理方法，其特征在于，在硅基读出电路表面涂覆的光刻胶的厚度与所述硅基读出电路的起伏高度相当。

3.如权利要求1所述的硅基读出电路表面平坦化处理方法，其特征在于，将裸露出的部分所述硅基读出电路表面去除之后，还包括：

4.如权利要求1所述的硅基读出电路表面平坦化处理方法，其特征在于，清洗所述硅基读出电路表面涂覆的光刻胶是利用等离子清洗设备实现的。

5.如权利要求1所述的硅基读出电路表面平坦化处理方法，其特征在于，将裸露出的部分所述硅基读出电路表面去除是通过等离子体刻蚀设备实现的。

6.一种红外探测器，其特征在于，包括经由权利要求1-5任一项所述的硅基读出电路表面平坦化处理方法处理获得的硅基读出电路和碲镉汞芯片，所述硅基读出电路与所述碲镉汞芯片之间倒装连接。

技术总结
本申请公开了一种硅基读出电路表面平坦化处理方法及探测器，包括：在硅基读出电路表面涂覆光刻胶，以使得涂覆光刻胶后，所述硅基读出电路表面被完全覆盖；清洗所述硅基读出电路表面涂覆的光刻胶，以使得裸露出部分所述硅基读出电路表面；将裸露出的部分所述硅基读出电路表面去除，完成对所述硅基读出电路表面的平坦化处理。利用本申请实施例的方法能够提升读出电路表面的平坦度，提升表面加工出的铟凸点高度和高度均匀性，进而提高红外探测器的良品率。

技术研发人员：张轶,刘世光,喻松林,冯晓宇,于艳,李春领
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十一研究所
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13