本发明涉及半导体加工,特别是一种半导体制造装置。
背景技术:
1、在芯片封装的过程中需要对芯片的焊盘进行重新布置,因此需要用到再布线工艺以生成再布线结构,在再布线工艺过程中需要在介电层中形成与芯片的焊盘电性连接的图案化金属层。
2、曝光显影是生成图案化金属层的关键步骤,在曝光显影前需要在晶圆的表面涂覆光敏材料的光刻胶并形成光刻胶膜。在通过涂胶工序形成光刻胶膜后,使用曝光设备(步进式光刻机使光穿过包含电路图形的光罩,将电路印在晶圆上。这个过程叫做“曝光”。曝光完成后将曝光后的光刻胶膜清洗掉这个过程称为“显影”,显影后形成的开窗内生成图案化金属层。
3、为了获得更高质量的图案化金属层,光刻胶膜一般薄且均匀,现有技术中的光刻胶膜一般设置都在5μm厚,现有技术中发现在对这种高质量图案化金属层的制造过程中经常容易出现显影不良的问题,显影不良后会影响最终的图案化金属层的品质,严重的会使晶圆中大面积的出现废品。
技术实现思路
1、本发明的目的是提供一种半导体制造装置,以解决现有技术中的不足,它能够避免了气体温度降低产生冷凝后向光刻胶膜的滴落,保证了光刻胶膜品质的单一,避免了光刻胶膜厚度的不均,在后续的显影工艺中能够有效的降低显影不良问题的出现频率,提升了产品的品质。
2、本发明提供了一种半导体制造装置,包括
3、壳体,具有工作腔;
4、承载机构,设置在所述工作腔的底部以用于支撑晶圆,所述承载机构上设置有加热单元;
5、辅助热源,设置在所述承载机构的上方;
6、气流驱动机构,具有与所述工作腔连通的风道和驱动气流从工作腔朝风道流动的驱动件。
7、进一步的,所述辅助热源具有板状结构,在竖向方向上,所述辅助热源与所述承载机构位置相对且所述辅助热源的尺寸不小于所述承载机构的尺寸。
8、进一步的,所述辅助热源包括蓄热盘,所述蓄热盘为金属件。
9、进一步的,所述蓄热盘固定在所述壳体上并位于所述工作腔的顶部。
10、进一步的,蓄热盘具有若干与所述风道连通的分风风道,所述分风风道具有设置在所述蓄热盘朝向所述承载机构一侧的分风道进口。
11、进一步的,所述气流驱动机构具有设置在所述壳体外的风道壳体,所述风道设置在所述风道壳体内,所述风道同时与若干所述分风风道连通。
12、进一步的,所述蓄热盘具有本体部、设置在本体部内的过渡腔和设置在本体部顶壁并向外暴露所述过渡腔的蓄热盘开口,所述分风风道设置在所述本体部的底壁并沿竖向方向贯穿所述底壁,所述风道的进口与所述蓄热盘开口位置相对。
13、进一步的,所述蓄热盘开口设置在所述蓄热盘顶壁的中心位置。
14、进一步的,随远离所述蓄热盘中心位置所述分风风道的密度降低。
15、进一步的,所述蓄热盘横截面呈圆形,若干分风风道沿蓄热盘的径向方向排列以形成线性阵列,若干线性阵列以所述蓄热盘的中心呈环形排列。
16、与现有技术相比,本申请实施例中在承载机构的上方还设置有辅助热源,通过辅助热源向工作腔靠近顶部区域的空间加热,使从光刻胶膜挥发出来的气体能够一直维持在气态状态,最后在气流驱动机构的作用下向外抽离,从而避免了气体温度降低产生冷凝后向光刻胶膜的滴落,保证了光刻胶膜品质的单一,避免了光刻胶膜厚度的不均,在后续的显影工艺中能够有效的降低显影不良问题的出现频率,提升了产品的品质。
1.一种半导体制造装置,其特征在于:包括
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置,其特征在于:所述辅助热源具有板状结构,在竖向方向上,所述辅助热源与所述承载机构位置相对且所述辅助热源的尺寸不小于所述承载机构的尺寸。
3.根据权利要求2所述的半导体制造装置,其特征在于:所述辅助热源包括蓄热盘,所述蓄热盘为金属件。
4.根据权利要求3所述的半导体制造装置,其特征在于:所述蓄热盘固定在所述壳体上并位于所述工作腔的顶部。
5.根据权利要求4所述的半导体制造装置,其特征在于:蓄热盘具有若干与所述风道连通的分风风道,所述分风风道具有设置在所述蓄热盘朝向所述承载机构一侧的分风道进口。
6.根据权利要求5所述的半导体制造装置,其特征在于:所述气流驱动机构具有设置在所述壳体外的风道壳体,所述风道设置在所述风道壳体内,所述风道同时与若干所述分风风道连通。
7.根据权利要求6所述的半导体制造装置,其特征在于:所述蓄热盘具有本体部、设置在本体部内的过渡腔和设置在本体部顶壁并向外暴露所述过渡腔的蓄热盘开口,所述分风风道设置在所述本体部的底壁并沿竖向方向贯穿所述底壁,所述风道的进口与所述蓄热盘开口位置相对。
8.根据权利要求7所述的半导体制造装置,其特征在于:所述蓄热盘开口设置在所述蓄热盘顶壁的中心位置。
9.根据权利要求5所述的半导体制造装置,其特征在于:随远离所述蓄热盘中心位置所述分风风道的密度降低。
10.根据权利要求9所述的半导体制造装置,其特征在于:所述蓄热盘横截面呈圆形,若干分风风道沿蓄热盘的径向方向排列以形成线性阵列,若干线性阵列以所述蓄热盘的中心呈环形排列。