处理基板的设备和方法与流程

本公开的示例实施例涉及一种处理基板的设备和方法。

背景技术：

1、通常，当在制造半导体的过程中图案化或去除形成在基板上的薄膜的蚀刻工艺中以单晶片法蚀刻基板时，可在所述基板旋转的同时将蚀刻剂供应至所述基板，并且通过所述基板上的薄膜与所述蚀刻剂之间的反应可以去除薄膜，并且在反应之后，可以通过所述基板的旋转将产生的副产物和剩余的蚀刻剂从所述基板上去除。

2、在蚀刻工艺中，可以采用向所述基板提供经高温处理的蚀刻剂或加热基板的方法，以提高所述基板上的薄膜与蚀刻剂之间的反应速率。在加热所述基板的方法中，由于在供应蚀刻剂的同时加热所述基板，当蚀刻剂与基板之间存在温差时，会增加均匀加热和加热所需的能量消耗，使得加热效率会降低，因此，蚀刻效率可能降低，这可能是有问题的。另外，在蚀刻工艺中，在所述基板上的不同位置对蚀刻程度的要求可能依需求而不同，但可能难以解决此问题。

技术实现思路

1、本公开的一个示例性实施例是提供一种可有效控制蚀刻速率的离散性的处理基板的设备和方法。

2、根据本公开的示例实施例，一种处理基板的方法包括:一蚀刻剂供应操作，以向基板供应蚀刻剂；一浸置操作，以通过以第一旋转速度旋转所述基板，使提供给所述基板的蚀刻剂的液膜形成水坑状；以及一厚度调整操作，改变所述基板的转速至不同于所述第一转速的转速，以调整蚀刻剂的液膜厚度。

3、根据本公开的另一示例实施例，一种处理基板的方法包括:一蚀刻剂供应操作，以向基板供应蚀刻剂；一浸置操作，通过以第一转速旋转基板，以使供应至所述基板的蚀刻剂的液膜形成水坑状；一加热操作，包括:在停止供应所述蚀刻剂的状态下加热所述基板；一厚度调整操作，通过改变所述基板的转速至不同于所述第一转速的转速，来控制基板的温度，以调节所述蚀刻剂的液膜的厚度；以及一冲洗液供应操作，在所述厚度调整操作之后，通过在以大于所述第一转速的第二转速旋转所述基板的同时，向所述基板供应冲洗液来去除基板上蚀刻剂的液膜。

4、根据本公开的另一示例性实施例，一种用于处理基板的设备，包括:一支撑单元，用于在处理室中支撑和旋转基板；一蚀刻剂供应单元，用于向所述基板供应蚀刻剂；一旋转驱动单元，用于旋转地驱动所述支撑单元以第一转速旋转所述基板，以在所述基板上形成水坑状的蚀刻剂液膜；一加热单元，用于加热所述基板；及一控制单元，连接所述蚀刻剂供应单元、所述旋转驱动单元和所述加热单元，且所述控制单元控制所述基板的转速和温度，以调节蚀刻剂的液膜厚度。

技术特征：

1.一种处理基板的方法，其特征在于：所述方法包含︰

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述厚度调整操作包括控制所述基板的转速和所述基板的温度。

3.如权利要求1的方法，其特征在于：所述方法还包括：在一预定温度范围内加热所述基板的一加热操作。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述加热操作包括在停止供应所述蚀刻剂的状态下将所述基板加热至温度高于所述蚀刻剂的温度，这是在所述浸置操作或所述厚度调整操作中执行的。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述加热操作包括在所述蚀刻剂供应操作之前在一第一温度范围内预加所述热基板的一第一加热操作，以及在所述浸置操作和所述厚度调整操作中停止供应所述蚀刻剂的状态下，在高于所述第一温度范围的一第二温度范围内二次加热所述基板的一第二加热操作。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于：在所述厚度调整操作中，通过执行所述加热操作间歇地调节所述基板的温度。

7.如权利要求3所述的方法，其特征在于：在所述厚度调整操作中，调整所述基板的一中心部分的温度和调整围绕所述基板的所述中心部分的一外围部分的温度。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述厚度调整操作之后，所述方法还包括一冲洗液供应操作，在所述基板以高于所述第一转速的一第二转速旋转的同时，向所述基板供应冲洗液并去除所述基板上的蚀刻剂的液膜。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述浸置操作包括一水坑形成操作和一稳定操作，所述水坑形成操作通过所述第一转速旋转所述基板使提供至所述基板的蚀刻剂的液膜形成水坑状，所述稳定操作稳定所述液膜。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：在所述厚度调整操作中，停止旋转所述基板或以小于所述第一转速的速度旋转所述基板。

11.一种处理基板的方法，其特征在于：所述方法包括：

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于：在所述厚度调整操作中，通过执行所述加热操作，间歇地调节所述基板的温度。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于：在所述加热操作中，调整所述基板一中心部分的温度和调整围绕所述基板的所述中心部分的一外围部分的温度。

14.如权利要求11所述的方法，其特征在于：在所述浸置操作和所述厚度调整操作中执行所述加热操作。

15.一种用于处理基板的设备，其特征在于：所述设备包括：

16.如权利要求15所述的设备，其特征在于：所述设备还包括：

17.如权利要求15所述的设备，其特征在于：所述蚀刻剂供应单元包括用于加热蚀刻剂的一液体加热单元，且其中在由所述液体加热单元加热的蚀刻剂被供应到所述基板之后，所述控制单元控制所述加热单元将所述基板加热到等于或高于蚀刻剂的温度。

18.如权利要求15所述的设备，其特征在于：所述加热单元包括一下加热单元，所述下加热单元设置在所述支撑单元上并加热所述基板的一下部。

19.如权利要求15所述的设备，其特征在于：所述控制单元控制所述加热单元间歇地加热所述基板。

20.如权利要求15所述的设备，其特征在于：所述加热单元包括一上加热单元，所述上加热单元可移动地设置在所述基板的一上部，并且局部地加热所述基板的所述上部。

技术总结
一种处理基板的设备和方法，其中处理基板的方法包括:蚀刻剂供应操作，以向基板供应蚀刻剂；浸置操作，以通过第一转速旋转所述基板，使提供至所述基板的蚀刻剂的液膜形成水坑状；及厚度调整操作，改变所述基板的转速至不同于所述第一转速的转速，以调整所述蚀刻剂的液膜的厚度。使用所述方法，可以有效地控制蚀刻速率的离散性。

技术研发人员：李智暎,金源根,郑映大,郑智训,金泰信,孙源湜
受保护的技术使用者：细美事有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1