包括导电结构的半导体器件的制作方法

本发明构思涉及半导体器件，并且更具体地，涉及包括导电结构的半导体器件。

背景技术：

1、半导体器件由于其尺寸小、多功能性和/或制造成本低而在电子工业中是有益的。半导体器件可以被分类为存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑器件、以及具有存储和逻辑元件两者的混合半导体器件中的任何一种。

2、近来，电子产品所期望的提高速度和降低功耗的特性已经导致对要使用或嵌入电子产品中的半导体器件的相应需求，以表现出更高的操作速度和/或更低的工作电压。另一方面，半导体器件的集成度的增加可能导致半导体器件的电性能下降和产量下降。因此，已经进行了许多研究以增加或提高半导体器件的电性能和产量。

技术实现思路

1、本发明构思的一些实施例提供具有增加或提高的可靠性和/或增加或提高的电特性的半导体器件。

2、根据本发明构思的一些实施例，一种半导体器件可以包括：介电结构；以及第一导电结构和第二导电结构，在介电结构中。介电结构可以包括围绕第一导电结构的第一介电层和围绕第二导电结构的第二介电层。第一介电层可以包括与第一导电结构接触并在第一导电结构之间的第一介入物。第二介电层可以包括与第二导电结构接触并在第二导电结构之间的第二介入物。第一介入物在第一方向上的宽度可以在第二方向上从第一介入物的顶表面朝向第一介入物的底表面减小。第二介入物在第一方向上的宽度可以在第二方向上从第二介入物的顶表面朝向第二介入物的底表面增加。第一介电层和第二介电层可以包括彼此不同的介电材料。

3、根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体器件可以包括：衬底；介电结构，在衬底上；以及第一导电结构和第二导电结构，在介电结构中。介电结构可以包括围绕第一导电结构的第一介电层和围绕第二导电结构的第二介电层。第一介电层可以包括在第一导电结构之间的第一介入物。第二介电层可以包括在第二导电结构之间的第二介入物。第一介入物在第一方向上的宽度可以随着距衬底的顶表面的距离减小而减小。第二介入物在第一方向上的宽度可以随着距衬底的顶表面的距离减小而增加。第一介电层和第二介电层可以包括彼此不同的介电材料。

4、根据本发明构思的一些实施例，一种半导体器件可以包括：衬底，包括有源图案；源/漏区，在有源图案上；导电结构，连接到源/漏区；以及介电结构，围绕导电结构。介电结构可以包括第一介电层和第二介电层，该第一介电层和该第二介电层包括彼此不同的介电材料。导电结构可以包括在第一介电层中的第一导电结构和在第二介电层中的第二导电结构。第一介电层可以包括在第一导电结构之间的第一分离结构。第二介电层可以包括在第二导电结构之间的第二分离结构。第一导电结构中的每个第一导电结构在第一方向上的宽度可以随着距衬底的距离减小而增加。第二导电结构中的每个第二导电结构在第一方向上的宽度可以随着距衬底的距离减小而减小。第一分离结构在第一方向上的宽度可以随着距衬底的距离减小而减小。第二分离结构在第一方向上的宽度可以随着距衬底的距离减小而增加。

5、根据本发明构思的一些实施例，一种制造半导体器件的方法可以包括：形成包括第一部分和第二部分的初始介电层；通过对初始介电层的第一部分进行蚀刻来形成介电图案；形成围绕介电图案的第一介电层；在初始介电层的第二部分上形成掩模图案；使用掩模图案和第一介电层作为蚀刻掩模来对介电图案和初始介电层的第二部分进行蚀刻，其中，对初始介电层的第二部分进行的蚀刻产生第二介电层；形成被第一介电层围绕的第一导电结构；以及形成被第二介电层围绕的第二导电结构。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一连接器在所述第一方向上的宽度在所述第二方向上从所述第一连接器的顶表面朝向所述第一连接器的底表面减小。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二连接器在所述第一方向上的宽度在所述第二方向上从所述第二连接器的顶表面朝向所述第二连接器的底表面增加。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一介电层、所述第二介电层、所述第一导电结构和所述第二导电结构的上表面彼此共面。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

10.一种半导体器件，包括：

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一介电层、所述第二介电层、所述第一导电结构和所述第二导电结构的底表面彼此共面。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一介电层、所述第二介电层、所述第一导电结构和所述第二导电结构的顶表面彼此共面。

13.根据权利要求1 0所述的半导体器件，其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构与所述衬底的所述顶表面直接接触。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，

16.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，

17.根据权利要求16所述的半导体器件，其中，

18.一种半导体器件，包括：

19.根据权利要求18所述的半导体器件，其中，所述第一介电层包括介电材料，所述介电材料相对于所述第二介电层具有蚀刻选择性。

20.根据权利要求19所述的半导体器件，其中，所述第一介电层和所述第二介电层的下表面共面。

技术总结
本公开提供了半导体器件及其制造方法。例如，半导体器件可以包括介电结构、以及第一导电结构和第二导电结构。介电结构可以包括围绕第一导电结构的第一介电层和围绕第二导电结构的第二介电层。第一介电层可以包括在第一导电结构之间的第一介入物。第二介电层可以包括在第二导电结构之间的第二介入物。第一介入物在第一方向上的宽度可以在第二方向上从第一介入物的顶表面朝向第一介入物的底表面减小。第二介入物在第一方向上的宽度可以在第二方向上从第二介入物的顶表面朝向第二介入物的底表面增加。第一介电层和第二介电层可以包括不同的介电材料。

技术研发人员：李斗铉,申宪宗,金善培
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15