一种具有屏蔽结构的SiC器件制作工艺的制作方法

本发明涉及芯片加工，具体涉及一种具有屏蔽结构的sic器件制作工艺。

背景技术：

1、目前全球95％以上的半导体元件，都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料，不过随着电动车、5g等新应用兴起，硅基半导体受限硅材料的物理性质，在性能上有不易突破的瓶颈，因此以gan、sic为代表的第三代半导体材料开始受到重视，在第三代半导体材料中，sic具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子漂移速度高、热导率大等特点，sic芯片材料已经成为半导体照明技术领域不可缺少的衬底材料，sic芯片的超精密加工工艺，按照其加工顺序，主要经历以下几个过程：定向切割、研磨、抛光(机械抛光)或超精密抛光(化学机械抛光)等过程，参考专利号：cn202011227057.7。

2、现有的芯片在生产加工中，有切割、研磨、抛光等处理，其中在切割处理时，需要对其进行固定处理，现有的在对芯片进行固定时，会用到夹持等固定方式，该方式在固定时会出现对芯片局部夹持力过大的现象，同时在切割时需要单独设置除尘装置，增加了设备的复杂性。

技术实现思路

1、有鉴于此，本发明的目的在于提供一种具有屏蔽结构的sic器件制作工艺，解决了现有的芯片在生产加工中，有切割、研磨、抛光等处理，其中在切割处理时，需要对其进行固定处理，现有的在对芯片进行固定时，会用到夹持等固定方式，该方式在固定时会出现对芯片局部夹持力过大的现象，同时在切割时需要单独设置除尘装置，增加了设备的复杂性的问题。

2、为实现上述目的，本发明通过以下技术方案实现：

3、一种具有屏蔽结构的sic器件制作工艺，其特征在于，包括以下几个步骤：

4、s1、芯片固定：将待切割的芯片放置于箱体的吸附孔上，打开吸泵，吸泵的进气端吸气，吸泵的进气端通过连通腔与吸附孔贯通连接，使得吸附孔顶部呈负压状态，将待切割的芯片稳定吸附进而将其固定住；

5、s2、芯片切割：通过移动控制装置带动气缸在水平面运动，气缸带动升降板做升降运动，升降板通过转动杆、联动板与切割机连接，进而带动切割机在空间运动，同时伺服电机带动转动杆转动进而带动切割机转动，使得切割轮可以对芯片进行精准切割；

6、s3、表面清洗：切割轮在对芯片进行切割时，会产生碎渣等废屑，通过喷管喷出的冷却液可以对切割后的芯片表面进行清洗，同时对芯片的切割处起到降温的效果；

7、s4、抛光打磨：将切割机上的切割轮换成打磨轮，并通过移动控制装置、气缸、伺服电机带动打磨轮在空间运动和转动，对切割后的芯片进行抛光打磨作业；

8、上述步骤s1-s4所述的一种具有屏蔽结构的sic器件制作工艺具体由一种具有屏蔽结构的sic器件制作装置配合完成，该具有屏蔽结构的sic器件制作装置包括底板，所述底板为水平的方形板结构，所述底板的顶端面固定有立柱，所述立柱设置有四个且呈矩形状分布，所述立柱的顶端面安装有箱体，有箱体，所述箱体的底端面设置有收集箱，所述箱体上方设置有切割装置，所述箱体的顶端面向下开设有吸附孔，所述吸附孔设置有多个且在箱体上均匀分布，所述箱体内开设有连通腔、矩形腔，所述矩形腔侧壁固定有吸泵，所述吸泵的进气端穿过矩形腔伸入于连通腔内，所述吸泵出气端穿出矩形腔且与收集箱贯通连接。

9、优选的，所述吸泵的进气端伸入于连通腔内且位于连通腔的中心处，所述连通腔的中部设置有调节板，所述调节板上开设有上下贯通的调节孔，所述调节孔设置有多个且均匀分布，所述调节孔的孔径从中间向外侧逐渐增大。

10、优选的，所述切割装置包括支撑板、气缸、移动控制装置、升降板、转动调节装置、联动板、切割机、切割轮，所述支撑板固定于底板的顶端面，所述支撑板呈l型，所述支撑板的顶部内壁设置有移动控制装置，所述移动控制装置底部连接有气缸，所述气缸的输出轴底端面固定有升降板，所述升降板底部转动连接有转动杆，所述转动杆上设置有转动杆调节装置，所述转动杆的底端面固定有联动板，所述联动板的底部设置有切割机，所述切割机的输出轴安装有切割轮。

11、优选的，联动板的底端面安装有喷管，所述喷管的喷嘴朝向于切割轮底部，所述支撑板的左侧壁固定有液体罐，所述液体罐内装有冷却液，所述液体罐的左侧连接有软管，所述软管的另一端与喷管贯通连接。

12、优选的，所述转动调节装置包括伺服电机，所述伺服电机固定于升降板的底端面，所述伺服电机的输出端安装有动力齿轮，所述转动杆外圈安装有从动齿轮，所述动力齿轮与从动齿轮相啮合。

13、优选的，所述箱体的顶端面固定有挡板，所述挡板呈矩形环状，所述挡板位于吸附孔的外侧。

14、优选的，所述连通腔的底面设置有圆锥面。

15、本发明的有益效果在于:

16、该发明，通过在箱体的顶部设置有吸附孔，吸附孔设置有多个且在箱体上均匀分布，通过吸泵作业使得吸附孔处呈负压状态可以对芯片进行吸附，达到了固定的效果，且对芯片底部的吸附力度均匀，避免了芯片被夹持固定时部分受力过大，使得芯片出现变形的现象，同时吸附孔内径小于芯片切割后芯片颗粒的内径，使得切割后的芯片仍被吸附夹持，避免出现跑偏的现象。

17、该发明，芯片在被切割时会产生废屑等杂物，这时吸附孔会对废屑进行吸附，避免废屑飞溅，无需单独设置除尘装置，使得吸附孔在对芯片进行固定时，亦可以对飞溅的废屑进行收集达到除尘效果。

18、该发明，在连通腔的中部设置有调节板，调节板上调节孔的孔径从中间向外侧逐渐增大，使得每个吸附孔处的吸附力大小相近，避免中间吸附力过大，外侧吸附孔的吸附力较小的现象，使得芯片板受到的吸附力大小均匀。

19、该发明，喷管对切割轮与芯片的切割处喷洒冷却液，对切割处起到降温的效果，同时一定程度上避免废屑飞溅的现象。

20、本发明的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本发明的实践中得到教导。本发明的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。

技术特征：

1.一种具有屏蔽结构的sic器件制作工艺，其特征在于，包括以下几个步骤：

2.根据权利要求1所述的一种具有屏蔽结构的sic器件制作工艺，其特征在于：所述吸泵(23)的进气端伸入于连通腔(21)内且位于连通腔(21)的中心处，所述连通腔(21)的中部设置有调节板(25)，所述调节板(25)上开设有上下贯通的调节孔(22)，所述调节孔(22)设置有多个且均匀分布，所述调节孔(22)的孔径从中间向外侧逐渐增大。

3.根据权利要求1所述的一种具有屏蔽结构的sic器件制作工艺，其特征在于：所述切割装置(20)包括支撑板(7)、气缸(8)、移动控制装置(9)、升降板(6)、转动调节装置(4)、联动板(19)、切割机(13)、切割轮(18)，所述支撑板(7)固定于底板(16)的顶端面，所述支撑板(7)呈l型，所述支撑板(7)的顶部内壁设置有移动控制装置(9)，所述移动控制装置(9)底部连接有气缸(8)，所述气缸(8)的输出轴底端面固定有升降板(6)，所述升降板(6)底部转动连接有转动杆(10)，所述转动杆(10)上设置有转动杆(10)调节装置，所述转动杆(10)的底端面固定有联动板(19)，所述联动板(19)的底部设置有切割机(13)，所述切割机(13)的输出轴安装有切割轮(18)。

4.根据权利要求3所述的一种具有屏蔽结构的sic器件制作工艺，其特征在于：联动板(19)的底端面安装有喷管(3)，所述喷管(3)的喷嘴朝向于切割轮(18)底部，所述支撑板(7)的左侧壁固定有液体罐(11)，所述液体罐(11)内装有冷却液，所述液体罐(11)的左侧连接有软管(12)，所述软管(12)的另一端与喷管(3)贯通连接。

5.根据权利要求3所述的一种具有屏蔽结构的sic器件制作工艺，其特征在于：所述转动调节装置(4)包括伺服电机(5)，所述伺服电机(5)固定于升降板(6)的底端面，所述伺服电机(5)的输出端安装有动力齿轮，所述转动杆(10)外圈安装有从动齿轮，所述动力齿轮与从动齿轮相啮合。

6.根据权利要求1所述的一种具有屏蔽结构的sic器件制作工艺，其特征在于：所述箱体(1)的顶端面固定有挡板(2)，所述挡板(2)呈矩形环状，所述挡板(2)位于吸附孔(17)的外侧。

7.根据权利要求4所述的一种具有屏蔽结构的sic器件制作工艺，其特征在于：所述连通腔(21)的底面设置有圆锥面。

技术总结
本发明涉及芯片加工技术领域，且公开了一种具有屏蔽结构的SiC器件制作工艺，其特征在于，包括以下几个步骤：S1、芯片固定：将待切割的芯片放置于箱体的吸附孔上，打开吸泵，吸泵的进气端吸气，吸泵的进气端通过连通腔与吸附孔贯通连接。该发明，通过在箱体的顶部设置有吸附孔，吸附孔设置有多个且在箱体上均匀分布，通过吸泵作业使得吸附孔处呈负压状态可以对芯片进行吸附，达到了固定的效果，且对芯片底部的吸附力度均匀，避免了芯片被夹持固定时部分受力过大，使得芯片出现变形的现象，同时吸附孔内径小于芯片切割后芯片颗粒的内径，使得切割后的芯片仍被吸附夹持，避免出现跑偏的现象。

技术研发人员：周伟伟
受保护的技术使用者：南京维攀微电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13