晶圆键合设备和晶圆键合方法与流程

本公开属于半导体领域，具体涉及一种晶圆键合设备和晶圆键合方法。

背景技术：

1、晶圆键合工艺(bonding process)可以将两个或多个功能相同或不同的芯片进行三维集成。晶圆接合后，界面的原子受到外力的作用而产生反应以形成共价键等化学键，进而使得晶圆结合成一体，并使接合界面达到特定的键合强度。使用晶圆键合工艺可以大幅度减小芯片研发与制造周期，缩短功能芯片之间的金属互联，减小发热、功耗和延迟。

2、晶圆平整度是影响键合质量的重要因素，然而目前的晶圆键合设备和晶圆键合方法难以有效调整晶圆形变，从而导致晶圆平整度较差，两块晶圆的对准精度较差。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种晶圆键合设备和晶圆键合方法，至少有利于调整晶圆形变程度，保证晶圆的平整程度，进而提高晶圆的键合质量。

2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种晶圆键合设备，其中，晶圆键合设备包括：可收缩膜层，用于将待键合晶圆吸附至吸附面或将吸附在所述吸附面的所述待键合晶圆释放；所述可收缩膜层包括多个相邻设置的吸附区，不同所述吸附区对应所述吸附面的不同区域；气动装置，与所述可收缩膜层远离所述吸附面的表面相连，用于调整所述吸附区内的气压，以控制所述吸附区的形变。

3、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种晶圆键合方法，提供如前所述的晶圆键合设备；将所述气动装置调整为吸附模式，对多个所述吸附区吸气，以使所述待键合晶圆吸附至所述吸附面；将所述气动装置调整为释放模式，依次对多个所述吸附区吹气，以使所述可收缩膜层逐渐将吸附在所述吸附面的所述待键合晶圆释放。

4、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：

5、气动装置调整可收缩膜层的多个吸附区内的气压，以控制吸附区的形变。由于不同吸附区对应吸附面的不同区域，因此，多个吸附区可以对待键合晶圆表面的不同区域进行形变调节，从而有利于保证待键合晶圆的平整程度，以提高晶圆键合的质量。

技术特征：

1.一种晶圆键合设备，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆键合设备，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的晶圆键合设备，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的晶圆键合设备，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的晶圆键合设备，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的晶圆键合设备，其特征在于，还包括：气压检测装置，所述气压检测装置用于检测所述吸附区的气压；

7.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的晶圆键合方法，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述吸附区包括依次由内向外嵌套的第一吸附区至第四吸附区，在平行于所述吸附面的方向上，所述第一吸附区的剖面形状为圆形，第二吸附区至所述第四吸附区的剖面形状为圆环形；

10.根据权利要求7所述的晶圆键合方法，其特征在于，多个所述吸附区由内向外嵌套设置；

技术总结
本公开实施例涉及半导体领域，提供一种晶圆键合设备和晶圆键合方法，晶圆键合设备包括：可收缩膜层，用于将待键合晶圆吸附至吸附面或将吸附在所述吸附面的所述待键合晶圆释放；所述可收缩膜层包括多个相邻设置的吸附区，不同所述吸附区对应所述吸附面的不同区域；气动装置，与所述可收缩膜层远离所述吸附面的表面相连，用于调整所述吸附区内的气压，以控制所述吸附区的形变。本公开实施例至少可以提高晶圆键合的质量。

技术研发人员：金松杰
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12