集成电路封装件及其形成方法与流程

本发明的实施例涉及集成电路封装件及其形成方法。

背景技术：

1、由于各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高源于最小部件尺寸的迭代减小，这允许将更多组件集成到给定区域中。随着对缩小电子器件的需求不断增长，出现了对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需求。

技术实现思路

1、本发明的一些实施例提供了一种集成电路封装件，该集成电路封装件包括：第一集成电路管芯；第二集成电路管芯，以面对背的方式接合至第一集成电路管芯；伪半导体部件，与第二集成电路管芯相邻并且接合至第一集成电路管芯；支撑衬底，附接至伪半导体部件和第二集成电路管芯；以及钝化层，沿着支撑衬底的顶表面、伪半导体部件的外侧壁、第一集成电路管芯的外侧壁和第一集成电路管芯的顶表面延伸。

2、本发明的另一些实施例提供了一种集成电路封装件，该集成电路封装件包括：第一集成电路管芯；第二集成电路管芯，以面对背的方式接合至第一集成电路管芯；伪半导体部件，与第二集成电路管芯相邻并且接合至第一集成电路管芯；环氧树脂材料，沿着伪半导体部件的外侧壁、第一集成电路管芯的外侧壁和第一集成电路管芯的顶表面延伸；第一衬垫，位于环氧树脂材料和伪半导体部件的外侧壁之间；以及第二衬垫，位于环氧树脂材料和第一集成电路管芯的外侧壁之间。

3、本发明的又一些实施例提供了一种形成集成电路封装件的方法，该方法包括：在第一集成电路管芯周围形成第一间隙填充电介质；将第二集成电路管芯接合至第一集成电路管芯；在第二集成电路管芯周围形成第二间隙填充电介质；将支撑衬底附接至第二间隙填充电介质和第二集成电路管芯；用化学工艺去除第一间隙填充电介质和第二间隙填充电介质；以及用机械工艺分割支撑衬底。

技术特征：

1.一种集成电路封装件，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路封装件，还包括：

3.根据权利要求2所述的集成电路封装件，还包括：

4.根据权利要求1所述的集成电路封装件，其中，所述伪半导体部件的外侧壁与所述第一集成电路管芯的外侧壁对齐。

5.根据权利要求1所述的集成电路封装件，还包括：

6.根据权利要求5所述的集成电路封装件，其中，所述第二衬垫的外侧壁与所述第一衬垫的外侧壁对齐。

7.根据权利要求1所述的集成电路封装件，还包括：

8.根据权利要求1所述的集成电路封装件，还包括：

9.一种集成电路封装件，包括：

10.一种形成集成电路封装件的方法，包括：

技术总结
在实施例中，一种集成电路封装件包括：第一集成电路管芯；以面对背的方式接合至第一集成电路管芯的第二集成电路管芯；与第二集成电路管芯相邻并且接合至第一集成电路管芯的伪半导体部件；附接至伪半导体部件和第二集成电路管芯的支撑衬底；沿着支撑衬底的顶表面、伪半导体部件的外侧壁、第一集成电路管芯的外侧壁和第一集成电路管芯的顶表面延伸的钝化层。本发明的实施例还提供了形成集成电路封装件的方法。

技术研发人员：叶德强,叶松峯,洪建玮
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14