碱金属离子导体和二次电池的制作方法

文档序号:35495010发布日期:2023-09-19 21:16阅读:48来源:国知局
碱金属离子导体和二次电池的制作方法

本申请公开了碱金属离子导体和二次电池。


背景技术:

1、在专利文献1中,作为中温工作用的锂离子传导体,公开了lifta与csfta/kfta的熔融盐。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:日本特开2013-084548号公报


技术实现思路

1、发明所要解决的课题

2、就以往的碱金属离子导体而言,在填充该离子导体的情况下,容易产生间隙,填充率容易变小。在这点上,需要一种能够在填充碱金属离子导体的情况下提高填充率的技术。另外,优选不仅提高填充时的填充率,而且提高离子传导性。对于以往的碱金属离子导体而言,在填充率和离子传导性的提高方面有改善的余地。

3、用于解决课题的手段

4、本申请作为用于解决上述课题的手段之一,公开了碱金属离子导体,其包含碱金属盐,所述碱金属盐包含季铵阳离子、碱金属离子、第一磺酰胺阴离子和与所述第一磺酰胺阴离子不同的第二磺酰胺阴离子。

5、在本公开的碱金属离子导体中,所述第一磺酰胺阴离子可以是双三氟甲磺酰胺阴离子(tfsa阴离子),所述第二磺酰胺阴离子可以是氟磺酰胺阴离子(fsa阴离子)和氟磺酰基(三氟甲磺酰基)胺阴离子(fta阴离子)中的至少一种。

6、在本公开的碱金属离子导体中,所述第一磺酰胺阴离子与所述第二磺酰胺阴离子的摩尔比(所述第一磺酰胺阴离子/所述第二磺酰胺阴离子)可以为1以上。

7、本公开的碱金属离子导体可包含所述碱金属盐和硫化物固体电解质,所述第一磺酰胺阴离子可以是双三氟甲磺酰胺阴离子(tfsa阴离子),所述第二磺酰胺阴离子可以是氟磺酰胺阴离子(fsa阴离子)和氟磺酰基(三氟甲磺酰基)胺阴离子(fta阴离子)中的至少一种,所述第一磺酰胺阴离子与所述第二磺酰胺阴离子的摩尔比(所述第一磺酰胺阴离子/所述第二磺酰胺阴离子)可以为4以上。

8、在本公开的碱金属离子导体中,所述季铵阳离子可以具有甲基。

9、在本公开的碱金属离子导体中,所述碱金属离子可以为锂离子。

10、本申请作为用于解决上述课题的手段之一,公开了二次电池,其包含正极、电解质层和负极,所述正极、所述电解质层和所述负极中的至少一者包含所述本公开的碱金属离子导体。

11、发明的效果

12、根据本公开的碱金属离子导体,容易提高填充率和离子传导性。在使用本公开的碱金属离子导体构成二次电池的情况下,电池性能容易提高。



技术特征:

1.碱金属离子导体,其包含碱金属盐,所述碱金属盐包含季铵阳离子、碱金属离子、第一磺酰胺阴离子和与所述第一磺酰胺阴离子不同的第二磺酰胺阴离子。

2.根据权利要求1所述的碱金属离子导体,其中,所述第一磺酰胺阴离子是双三氟甲磺酰胺阴离子,所述第二磺酰胺阴离子是氟磺酰胺阴离子和氟磺酰基(三氟甲磺酰基)胺阴离子中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的碱金属离子导体,其中,所述第一磺酰胺阴离子与所述第二磺酰胺阴离子的摩尔比即所述第一磺酰胺阴离子/所述第二磺酰胺阴离子为1以上。

4.根据权利要求1所述的碱金属离子导体,其包含所述碱金属盐和硫化物固体电解质,所述第一磺酰胺阴离子是双三氟甲磺酰胺阴离子,所述第二磺酰胺阴离子是氟磺酰胺阴离子和氟磺酰基(三氟甲磺酰基)胺阴离子中的至少一种,所述第一磺酰胺阴离子与所述第二磺酰胺阴离子的摩尔比即所述第一磺酰胺阴离子/所述第二磺酰胺阴离子为4以上。

5.根据权利要求1所述的碱金属离子导体,其中,所述季铵阳离子具有甲基。

6.根据权利要求1所述的碱金属离子导体,其中,所述碱金属离子为锂离子。

7.二次电池,其包含正极、电解质层和负极,所述正极、所述电解质层和所述负极中的至少一者包含根据权利要求1~6中任一项所述的碱金属离子导体。


技术总结
本发明涉及碱金属离子导体和二次电池。公开了碱金属离子导体,其可以提高填充率和离子传导性。本公开的碱金属离子导体包含碱金属盐,所述碱金属盐包含季铵阳离子、碱金属离子、第一磺酰胺阴离子和与所述第一磺酰胺阴离子不同的第二磺酰胺阴离子。

技术研发人员:南圭一
受保护的技术使用者:丰田自动车株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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