LTPO基板的制作方法、LTPO基板以及显示面板与流程

本申请涉及显示领域，特别涉及一种ltpo基板的制作方法、ltpo基板以及显示面板。

背景技术：

1、低温多晶氧化物(low temperature poly-oxide，ltpo)基板技术是近年来新兴的技术，ltpo基板同时包含了氧化物薄膜晶体管和低温多晶硅(ltps)薄膜晶体管，可以为显示屏节省电量，从而降低显示屏的功耗。

2、然而，现有的ltpo基板的制作方法需要采用8道以上的光罩制程，由于光罩的成本较高，光罩制程(包括曝光、显影、蚀刻等)的制程时间较长，从而导致ltpo基板的生产成本较高，制程时间较长。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种ltpo基板的制作方法、ltpo基板以及显示面板，仅需要采用6道光罩制程即可完成ltpo基板的制作，可以减少光罩的使用，同时减少光罩制程，从而可以降低ltpo基板的生产成本，并且缩短ltpo基板的制程时间。

2、第一方面，本申请实施例提供一种ltpo基板的制作方法，包括：

3、提供衬底，在所述衬底上形成第一源漏极层，所述第一源漏极层包括间隔设置的第一源极和第一漏极；

4、在所述第一源漏极层和所述衬底上形成绝缘层，在所述绝缘层上形成第一通孔和第二通孔，所述第一通孔对应所述第一源极，所述第二通孔对应所述第一漏极；

5、在所述绝缘层上形成第一有源层，所述第一有源层的材料包括低温多晶硅；

6、在所述第一有源层和所述绝缘层上形成第一栅极绝缘层；

7、在所述第一栅极绝缘层上形成栅极层，所述栅极层包括间隔设置的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极对应所述第一有源层；

8、对所述第一有源层进行掺杂处理，所述第一有源层上对应于所述第一栅极两侧的区域被掺杂后分别形成源极接触区和漏极接触区，所述第一有源层上对应于所述栅极的区域未被掺杂形成所述沟道区，所述源极接触区经由所述第一通孔与所述第一源极相连，所述漏极接触区经由所述第二通孔与所述第一漏极相连；

9、在所述栅极层和所述第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；

10、在所述第二栅极绝缘层上形成第二源漏极层和第二有源层，所述第二源漏极层包括间隔设置的第二源极和第二漏极，所述第二源极和所述第二漏极分别与所述第二有源层的两端电性连接，所述第二有源层对应所述第二栅极设置，所述第二有源层的材料包括氧化物半导体。

11、在一些实施例中，所述在所述第二栅极绝缘层上形成第二源漏极层和第二有源层包括：

12、在所述第二栅极绝缘层上形成所述第二有源层；

13、在所述第二有源层和所述第二栅极绝缘层上形成所述第二源漏极层，所述第二源极和所述第二漏极分别覆盖所述第二有源层的两端。

14、在一些实施例中，所述在所述第二栅极绝缘层上形成第二源漏极层和第二有源层包括：

15、在所述第二栅极绝缘层上形成所述第二源漏极层；

16、在所述第二源极、所述第二漏极和所述第二栅极绝缘层上形成所述第二有源层，所述第二有源层的一端覆盖所述第二源极的上表面的至少一部分，所述第二有源层的另一端覆盖所述第二漏极的上表面的至少一部分。

17、在一些实施例中，所述第二源漏极层还包括电容电极，所述第二源极和所述第二漏极均与所述电容电极不相连，所述电容电极对应所述第一栅极，所述第一栅极与所述电容电极共同构成存储电容。

18、在一些实施例中，所述栅极层还包括防静电层，所述第一栅极和所述第二栅极均与所述防静电层不相连；

19、所述衬底包括显示区和位于所述显示区外围的非显示区，所述第一栅极和所述第二栅极均对应所述显示区，所述防静电层对应所述非显示区。

20、在一些实施例中，所述第一漏极在所述衬底上的正投影与所述第一有源层的沟道区在所述衬底上的正投影至少存在部分重叠。

21、第二方面，本申请实施例提供一种ltpo基板，采用如上所述的ltpo基板的制作方法制得。

22、在一些实施例中，所述ltpo基板包括依次层叠设置的衬底、第一源漏极层、绝缘层、第一有源层、第一栅极绝缘层、栅极层、第二栅极绝缘层；

23、所述第一源漏极层包括间隔设置的第一源极和第一漏极；

24、所述绝缘层上设有第一通孔和第二通孔，所述第一通孔对应所述第一源极，所述第二通孔对应所述第一漏极；

25、所述栅极层包括间隔设置的第一栅极和第二栅极，所述第一栅极对应所述第一有源层；

26、所述第一有源层包括沟道区以及分别位于所述沟道区两侧的源极接触区和漏极接触区，所述源极接触区经由所述第一通孔与所述第一源极相连，所述漏极接触区经由所述第二通孔与所述第一漏极相连；

27、所述ltpo基板还包括设于所述第二栅极绝缘层背离所述栅极层一侧的第二源漏极层和第二有源层，所述第二源漏极层包括间隔设置的第二源极和第二漏极，所述第二源极和所述第二漏极分别与所述第二有源层的两端电性连接，所述第二有源层对应所述第二栅极设置。

28、在一些实施例中，所述第二有源层设于所述第二栅极绝缘层上，所述第二源漏极层设于所述第二有源层和所述第二栅极绝缘层上，所述第二源极和所述第二漏极分别覆盖所述第二有源层的两端；或者

29、所述第二源漏极层设于所述第二栅极绝缘层上，所述第二有源层设于所述第二源极、所述第二漏极和所述第二栅极绝缘层上，所述第二有源层的一端覆盖所述第二源极的上表面的至少一部分，所述第二有源层的另一端覆盖所述第二漏极的上表面的至少一部分。

30、第三方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括如上所述的ltpo基板的制作方法制得的ltpo基板或者如上所述的ltpo基板。

31、本申请实施例提供的ltpo基板的制作方法，制得的ltpo基板包括第一tft和第二tft，其中，第一tft包括第一源极、第一漏极、第一栅极和第一有源层，第二tft包括第二源极、第二漏极、第二栅极和第二有源层，由于第一有源层的材料包括低温多晶硅，第二有源层的材料包括氧化物半导体，也即是说，第一tft即为低温多晶硅(ltps)薄膜晶体管，第二tft即为氧化物薄膜晶体管，本申请实施例提供的ltpo基板的制作方法中，第一源漏极层、绝缘层上的第一通孔和第二通孔、第一有源层、栅极层、第二源漏极层、第二有源层各自需要采用一道光罩制程制备，也即是说，本申请实施例提供的ltpo基板的制作方法需要采用6道光罩制程实现，而现有的ltpo基板的制作方法通常需要采用至少8道光罩制程实现，也即是说，与现有技术相比，本申请实施例可以节约至少两道光罩制程，由于光罩的成本较高，光罩制程(包括曝光、显影、蚀刻等)的制程时间较长，因此，与现有技术相比，本申请实施例的ltpo基板的制作方法可以降低ltpo基板的生产成本，并且可以缩减ltpo基板的生产流程，当ltpo基板的制程时间缩短时，ltpo基板的生产效率得到提升，从而可以使ltpo基板的生产成本进一步降低。

技术特征：

1.一种ltpo基板的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的ltpo基板的制作方法，其特征在于，所述在所述第二栅极绝缘层上形成第二源漏极层和第二有源层包括：

3.根据权利要求1所述的ltpo基板的制作方法，其特征在于，所述在所述第二栅极绝缘层上形成第二源漏极层和第二有源层包括：

4.根据权利要求1所述的ltpo基板的制作方法，其特征在于，所述第二源漏极层还包括电容电极，所述第二源极和所述第二漏极均与所述电容电极不相连，所述电容电极对应所述第一栅极，所述第一栅极与所述电容电极共同构成存储电容。

5.根据权利要求1所述的ltpo基板的制作方法，其特征在于，所述栅极层还包括防静电层，所述第一栅极和所述第二栅极均与所述防静电层不相连；

6.根据权利要求1-5中任一项所述的ltpo基板的制作方法，其特征在于，所述第一漏极在所述衬底上的正投影与所述第一有源层的沟道区在所述衬底上的正投影至少存在部分重叠。

7.一种ltpo基板，其特征在于，采用权利要求1所述的ltpo基板的制作方法制得。

8.根据权利要求7所述的ltpo基板，其特征在于，所述ltpo基板包括依次层叠设置的衬底、第一源漏极层、绝缘层、第一有源层、第一栅极绝缘层、栅极层、第二栅极绝缘层；

9.根据权利要求8所述的ltpo基板，其特征在于，所述第二有源层设于所述第二栅极绝缘层上，所述第二源漏极层设于所述第二有源层和所述第二栅极绝缘层上，所述第二源极和所述第二漏极分别覆盖所述第二有源层的两端；

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的ltpo基板的制作方法制得的ltpo基板或者如权利要求7-9中任一项所述的ltpo基板。

技术总结
本申请实施例提供一种LTPO基板的制作方法、LTPO基板以及显示面板，制得的LTPO基板包括第一TFT和第二TFT，其中，第一TFT包括第一源极、第一漏极、第一栅极和第一有源层，第二TFT包括第二源极、第二漏极、第二栅极和第二有源层，由于第一有源层的材料包括低温多晶硅，第二有源层的材料包括氧化物半导体，因此，第一TFT即为低温多晶硅薄膜晶体管，第二TFT即为氧化物薄膜晶体管，本申请实施例提供的LTPO基板的制作方法采用6道光罩制程实现，与现有技术相比，可以节约至少两道光罩制程，从而可以降低LTPO基板的生产成本，并且可以缩减LTPO基板的生产流程。

技术研发人员：马倩,周星宇
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1