本发明涉及一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅mosfet的制造方法。
背景技术：
1、sic器件碳化硅(sic)材料因其优越的物理特性，广泛受到人们的关注和研究。其纵向器件已经逐渐走向成熟，在汽车电子、充电桩、光伏、风力等发电装置、高铁等应用广泛，但是均为单管或者封装模块为主，不存在集成电路的应用；并且由于sic卓越的热导性能，其热量会往器件底部扩散，而底部没有散热通道，在衬底出现热集中，热量难以散出去，在底部聚集过多热量后，会损坏器件。
技术实现思路
1、本发明要解决的技术问题，在于提供一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅mosfet的制造方法，让器件工作时产生的热量直接通过源极金属层和漏极金属层散掉，而不会在器件底部聚集，进而延长了器件的使用寿命。
2、本发明是这样实现的：一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅mosfet的制造方法，具体包括如下步骤：
3、步骤1、取一碳化硅衬底，在碳化硅衬底上氧化生长一层二氧化硅埋层；
4、步骤2、在二氧化硅埋层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔淀积形成漂移层；
5、步骤3、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔淀积体区；
6、步骤4、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成两个通孔，通过通孔对漂移层和体区进行离子注入，形成漏区和源区；
7、步骤5、在源区和漏区淀积金属，形成源极金属层和漏极金属层；
8、步骤6、重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻形成通孔，通过通孔氧化生长，形成栅极绝缘层；
9、步骤7、通过对栅极绝缘层淀积金属，形成栅极金属；
10、步骤8、去除所有阻挡层。
11、进一步地，所述步骤1中氧化生长过程采用干氧氧化、湿氧氧化以及干氧氧化工艺。
12、进一步地，所述漂移层、漏区以及源区均为n型，所述体区为p型。
13、进一步地，所述二氧化硅埋层的厚度为200-500nm。
14、本发明的优点在于：本发明一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅mosfet的制造方法，得到的器件为横向器件，既可以做传统的单片功率器件，也可以实现集成电路的工艺集成，和集成电路一起制造，具备可集成特性；与此同时，其很好地抑制了器件表面热量向衬底方向的扩散，能高效发挥sic热导率高的特点，让器件工作时产生的热量直接通过源极金属层和漏极金属层散掉，而不会在器件底部聚集，进而延长了器件的使用寿命。
1.一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅mosfet的制造方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅mosfet的制造方法，其特征在于，所述步骤1中氧化生长过程采用干氧氧化、湿氧氧化以及干氧氧化工艺。
3.如权利要求1所述的一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅mosfet的制造方法，其特征在于，所述漂移层、漏区以及源区均为n型，所述体区为p型。
4.如权利要求1所述的一种抑制热纵向扩散的横向功率碳化硅mosfet的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅埋层的厚度为200-500nm。