图案晶圆的正面保护方法

本申请涉及半导体制造，特别是涉及图案晶圆的正面保护方法。

背景技术：

1、随着半导体技术的发展，半导体所包含的各器件的生产、组装及包装等技术也在不断更新。作为半导体器件的基本组成单元，晶圆的加工工艺直接影响半导体器件的各项功能。在实际应用中，在半导体晶圆的前端加工工艺完成后，晶圆正面已经制作完成各种精细图形。进行晶圆背面加工的后端工艺时，必须保证晶圆正面图形不被破坏。

2、对于功率器件产品的晶圆来说，晶圆的背面是器件的其中一个电极，因此需要在晶圆背面制作金属薄层，并通过特定能量的激光照射该金属薄层，使金属与晶圆背面表面的界面在微观上形成金属化物质，从而形成欧姆接触。在这个过程中，是将晶圆背面朝上放置在带有卡槽或真空吸附的工作台上，以防止激光照射时由于温度与能量的传递导致晶圆移动，但这样有可能破坏晶圆正面已经制作好的图形。

3、相关技术中，一般多采用人工观察及调整的方式，避免破坏晶圆正面的图形。

4、然而，采用人工观察及调整的方式，人工耗费严重，且晶圆存在一定的坏件率。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对图案晶圆背面进行激光退火处理时，图案晶圆正面的图案被破坏的问题，提供一种图案晶圆的正面保护方法。

2、一种图案晶圆的正面保护方法，包括如下步骤：

3、提供图案晶圆；

4、在所述图案晶圆的正面贴覆保护层，得到待加工件；

5、所述保护层用于直接接触所述图案晶圆的一侧配置为具有粘性及弹性形变特性，所述保护层上背离所述图案晶圆的一侧配置为光滑表面；

6、将所述待加工件设置有保护层的一侧放置于激光加工平台；

7、对所述图案晶圆的背面进行激光退火处理；

8、将所述保护层撕离，得到洁净状态的图案晶圆。

9、在其中一个实施例中，所述方法还包括：所述保护层至少包括粘接于所述图案晶圆正面的胶层和用于隔离所述胶层与所述加工平台的外支撑层；所述胶层包括至少一层；

10、在所述图案晶圆背面进行激光退火处理时，所述胶层配置为与所述图案晶圆正面粘结不脱离；

11、在所述图案晶圆背面完成激光退火处理后，所述外支撑层及所述胶层配置为与所述图案晶圆脱离，且不会在所述图案晶圆正面留存痕迹。

12、在其中一个实施例中，所述方法还包括：所述胶层配置为具有改性后降低粘性的特性。

13、在其中一个实施例中，所述对所述图案晶圆的背面进行激光退火处理的步骤之后，所述方法还包括：对所述保护层进行uv(ultraviolet rays)光照；所述胶层采用uv(ultraviolet rays)胶层，所述外支撑层具备透光特性；

14、所述uv(ultraviolet rays)胶层接收uv(ultraviolet rays)光照之前，所述uv(ultraviolet rays)胶层的粘性大于4000mn/25mm；

15、所述uv(ultraviolet rays)胶层接收uv(ultraviolet rays)光照之后，所述uv(ultraviolet rays)胶层的粘性小于100mn/25mm。

16、在其中一个实施例中，所述方法还包括：所述外支撑层构造为透明或半透明状结构。

17、在其中一个实施例中，所述方法还包括：所述胶层采用树脂胶层，所述树脂胶层设置有多层，所述外支撑层采用纸质结构。

18、在其中一个实施例中，所述方法还包括：所述外支撑层的尺寸与所述胶层的外廓尺寸相适配。

19、在其中一个实施例中，所述方法还包括：所述保护层的尺寸与所述图案晶圆的正面外廓尺寸相适配。

20、在其中一个实施例中，所述保护层用于直接接触所述图案晶圆的一侧配置为具有传热性能。

21、在其中一个实施例中，所述保护层的厚度范围为50μm-300μm。

22、上述图案晶圆的正面保护方法，通过在图案晶圆的正面贴覆保护层，该保护层可以隔离开图案晶圆的正面与激光加工平台，同时，该保护层的用于直接接触所述图案晶圆的一侧配置为具有粘性及弹性形变特性，能够很好的覆盖于图案晶圆的正面，避免晶圆上的图案在进行晶圆背面激光退火时被破坏，且，保护层背离图案晶圆的一侧为光滑表面，能够使得图案晶圆平整的放置于激光加工平台上，在进行晶圆背面激光退火时，晶圆不会发生晃动或移动。

技术特征：

1.一种图案晶圆的正面保护方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的图案晶圆的正面保护方法，其特征在于，所述方法还包括：所述保护层(20)至少包括粘接于所述图案晶圆(10)正面(11)的胶层(22)和用于隔离所述胶层(22)与所述加工平台的外支撑层(21)；所述胶层(22)包括至少一层；

3.根据权利要求2所述的图案晶圆的正面保护方法，其特征在于，所述方法还包括：所述胶层(22)配置为具有改性后降低粘性的特性。

4.根据权利要求3所述的图案晶圆的正面保护方法，其特征在于，所述对所述图案晶圆(10)的背面(12)进行激光退火处理的步骤之后，所述方法还包括：对所述保护层(20)进行uv光照(30)；所述胶层(22)采用uv胶层(22)，所述外支撑层(21)具备透光特性；

5.根据权利要求2所述的图案晶圆的正面保护方法，其特征在于，所述方法还包括：所述外支撑层(21)构造为透明或半透明状结构。

6.根据权利要求2所述的图案晶圆的正面保护方法，其特征在于，所述方法还包括：所述胶层(22)采用树脂胶层(22)，所述树脂胶层(22)设置有多层，所述外支撑层(21)采用纸质结构。

7.根据权利要求2所述的图案晶圆的正面保护方法，其特征在于，所述方法还包括：所述外支撑层(21)的尺寸与所述胶层(22)的外廓尺寸相适配。

8.根据权利要求1所述的图案晶圆的正面保护方法，其特征在于，所述方法还包括：所述保护层(20)的尺寸与所述图案晶圆(10)的正面(11)外廓尺寸相适配。

9.根据权利要求1所述的图案晶圆的正面保护方法，其特征在于，所述保护层(20)用于直接接触所述图案晶圆(10)的一侧配置为具有传热性能。

10.根据权利要求1所述的图案晶圆的正面保护方法，其特征在于，所述保护层(20)的厚度范围为50μm-300μm。

技术总结
本申请涉及图案晶圆的正面保护方法。该方法包括如下步骤：提供图案晶圆；在所述图案晶圆的正面贴覆保护层，得到待加工件；所述保护层用于直接接触所述图案晶圆的一侧配置为具有粘性及弹性形变特性，所述保护层上背离所述图案晶圆的一侧配置为光滑表面；将所述待加工件上设置有保护层的一侧放置于激光加工平台；对所述图案晶圆的背面进行激光退火处理；将所述保护层撕离，得到洁净状态的图案晶圆。采用本申请的图案晶圆的正面保护方法，在对图案晶圆的背面在进行激光退火时，图案晶圆的正面不会被磨损或破坏。

技术研发人员：任娜,成骥,盛况,徐弘毅
受保护的技术使用者：浙江大学杭州国际科创中心
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13