发光二极管及巨量转移方法与流程

本公开涉及发光二极管制作领域，特别涉及一种发光二极管及巨量转移方法。

背景技术：

1、发光二极管(light emitting diode，led)芯片是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等。

2、随着显示市场的精细化，对芯片的尺寸要求越来越高，微型(micro)-led芯片开始走入了大家的视野。

3、micro-led作为一种超小型的芯片，显示精细度得到了明显提高，但是由于其尺寸太小，已经超出了分选设备的能力，只能采用巨量转移的方式来进行排列，但是当前巨量转移后的排列精度还存在比较大的偏差。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了发光二极管及巨量转移方法，能够进一步提高micro-led巨量转移的精度。所述技术方案如下：

2、本公开实施例提供了一种巨量转移方法，所述巨量转移方法包括：

3、提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括多个呈矩阵排列的led芯片，每个所述led芯片的表面为钝化层以及从所述钝化层伸出的焊盘；

4、制作覆盖所述钝化层以及所述焊盘的牺牲钝化层；

5、剥离所述led芯片的衬底，形成多个芯片颗粒；

6、对所述多个芯片颗粒进行巨量转移；

7、在所述巨量转移之后，去除所述牺牲钝化层。

8、可选地，所述制作覆盖所述钝化层以及所述焊盘的牺牲钝化层，包括：

9、在所述钝化层的表面沿所述钝化层的边缘制作粘合胶图案；

10、在所述粘合胶图案上制作挡墙，所述挡墙的顶面不低于所述焊盘的顶面；

11、在所述挡墙内涂布光刻胶并进行平坦化；

12、在所述光刻胶表面制作所述牺牲钝化层。

13、可选地，所述挡墙在平行于所述钝化层的表面的方向的厚度范围为3至5微米，所述牺牲钝化层在垂直于所述钝化层的表面的方向的厚度范围为3至5微米。

14、可选地，所述方法还包括：

15、在所述挡墙内涂布光刻胶并进行平坦化之后，去除所述led芯片的划道内的光刻胶；

16、对剩余的所述光刻胶进行固化处理。

17、可选地，所述方法还包括：

18、对所述牺牲钝化层的表面进行图案化处理，经过所述图案化处理处理后的所述牺牲钝化层的表面粗糙度，与剥离所述led芯片的衬底之后的所述led芯片的外延层的表面粗糙度之差的绝对值小于阈值。

19、可选地，所述led芯片的衬底为蓝宝石衬底，所述剥离所述led芯片的衬底，形成多个芯片颗粒，包括：

20、减薄所述蓝宝石衬底；

21、对所述蓝宝石衬底进行隐形切割划裂；

22、剥离所述蓝宝石衬底。

23、可选地，减薄后的所述蓝宝石衬底的厚度范围为400至500微米。

24、可选地，所述在所述巨量转移之后，去除所述牺牲钝化层，包括：

25、在所述巨量转移之后，去除所述牺牲钝化层；

26、去除所述光刻胶、所述挡墙和所述粘合胶图案。

27、可选地，所述在所述巨量转移之后，去除所述牺牲钝化层，包括：

28、通过干法氧化性气体刻蚀在所述巨量转移之后，去除所述牺牲钝化层。

29、本公开实施例还提供了一种发光二极管，所述发光二极管在制作过程中采用如前任一项所述的方法进行巨量转移。

30、本公开实施例针对led芯片表面材料特性差别大和台阶导致转移精度较差的问题，对led芯片表面的结构进行了完善，在led芯片的焊盘上方制作了牺牲钝化层，牺牲钝化层的表面平坦，并且材料特性均一，使得led芯片巨量转移后芯片定位精确度得到明显的提升，从而改善了led芯片的竞争力。

技术特征：

1.一种巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移方法包括：

2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述制作覆盖所述钝化层以及所述焊盘的牺牲钝化层，包括：

3.根据权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，所述挡墙在平行于所述钝化层的表面的方向的厚度范围为3至5微米，所述牺牲钝化层在垂直于所述钝化层的表面的方向的厚度范围为3至5微米。

4.根据权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，所述方法还包括：

5.根据权利要求1至4任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，所述方法还包括：

6.根据权利要求1至4任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，所述led芯片的衬底为蓝宝石衬底，所述剥离所述led芯片的衬底，形成多个芯片颗粒，包括：

7.根据权利要求6所述的巨量转移方法，其特征在于，减薄后的所述蓝宝石衬底的厚度范围为400至500微米。

8.根据权利要求2至4任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，所述在所述巨量转移之后，去除所述牺牲钝化层，包括：

9.根据权利要求8所述的巨量转移方法，其特征在于，所述去除所述牺牲钝化层，包括：

10.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管在制作过程中采用如权利要求1至9任一项所述的方法进行巨量转移。

技术总结
本公开提供了发光二极管及巨量转移方法，所述巨量转移方法包括：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括多个呈矩阵排列的LED芯片，每个所述LED芯片的表面为钝化层以及从所述钝化层伸出的焊盘；制作覆盖所述钝化层以及所述焊盘的牺牲钝化层；剥离所述LED芯片的衬底，形成多个芯片颗粒；对所述多个芯片颗粒进行巨量转移；在所述巨量转移之后，去除所述牺牲钝化层。在LED芯片的焊盘上方制作了牺牲钝化层，牺牲钝化层的表面平坦，并且材料特性均一，使得LED芯片巨量转移后芯片定位精确度得到明显的提升，从而改善了LED芯片的竞争力。

技术研发人员：兰叶,朱广敏,王江波,吴志浩,张威
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13