半导体装置及其制造方法与流程

本揭露是关于一种半导体装置及其制造方法，特别是关于一种纳米结构场效晶体管及其制造方法。

背景技术：

1、半导体装置是用于各种电子应用中，例如个人电脑、手机、数字相机及其他电子设备。半导体装置的制造一般是通过连续地沉积绝缘层或介电层、导电层及半导体层的材料在半导体基材上，并利用微影来图案化各种材料层，以形成于其上的电路组件及元件。

2、半导体工业通过最小特征尺寸的持续缩减而继续优化各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，其使得更多组件整合至给定区域中。然而，随着最小特征尺寸的减少，须处理额外产生的问题。

技术实现思路

1、本揭露的一态样是提供一种半导体装置，其是包含：在基材上的第一纳米结构，第一纳米结构包含第一通道区域；以及与第一纳米结构相邻的第一源极/漏极区域，第一源极/漏极区域包含：覆盖第一纳米结构的第一侧壁的第一磊晶层，第一磊晶层具有第一浓度的第一掺质，在剖面视图中，相对于第一纳米结构的第一侧壁，第一磊晶层具有圆凸状轮廓；及在剖面视图中，覆盖第一磊晶层的圆凸状轮廓的第二磊晶层，第二磊晶层具有第二浓度的第一掺质，且第二浓度不同于第一浓度。

2、本揭露的另一态样是提供一种半导体装置，其是包含：在基材上的第一纳米结构；在基材上的第二纳米结构；以及在第一纳米结构及第二纳米结构之间的第一源极/漏极区域，第一源极/漏极区域包含：第一磊晶层，其具有第一部分及第二部分，第一磊晶层的第一部分覆盖第一纳米结构的第一侧壁，第一磊晶层的第二部分覆盖第二纳米结构的第二侧壁，该第一磊晶层的该第一部分的第一厚度是在第一纳米结构的中点量测，第一磊晶层的第二厚度是在与第一纳米结构的顶表面等高的一点量测，且第二厚度相对于第一厚度的比值为0.7至1.0；及在第一磊晶层的第一部分及第一磊晶层的第二部分之间的第二磊晶层。

3、本揭露的再一态样是提供一种半导体装置的制造方法，其是包含形成第一纳米结构在基材上；蚀刻凹槽穿过第一纳米结构；以第一含硅前驱物形成第一磊晶层在凹槽内，第一磊晶层包含在第一纳米结构的侧壁上的第一部分，且在剖面视图中，第一部分具有圆凸状轮廓；以及以第二含硅前驱物形成第二磊晶层在第一磊晶层上。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一掺质为磷，且该第二浓度大于该第一浓度。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一掺质为砷，且该第二浓度小于该第一浓度。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一磊晶层的一第一厚度是以该第一纳米结构的一中点处的该第一磊晶层所量测，该第一磊晶层的一第二厚度是以与该第一纳米结构的一顶表面等高的一点处的该第一磊晶层所量测，且该第二厚度相对于该第一厚度的一比值为0.7至1.0。

6.一种半导体装置，其特征在于，包含：

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，在一剖面视图中，相对于该第一纳米结构的该第一侧壁，该第一磊晶层的该第一部分具有一圆凸状轮廓，且在该剖面视图中，相对于该第二纳米结构的该第二侧壁，该第一磊晶层的该第二部分具有一圆凸状轮廓。

8.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该第一磊晶层具有一第一尖峰浓度的一第一掺质物质，该第二磊晶层具有一第二尖峰浓度的该第一掺质物质，且该第二尖峰浓度是该第一尖峰浓度的百分之50或更小。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：

10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，该形成该第一磊晶层的步骤还包含：

技术总结
一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含在基材上的第一纳米结构及与第一纳米结构相邻的第一源极/漏极区域。第一源极/漏极区域包含覆盖第一纳米结构的第一侧壁的第一磊晶层。第一磊晶层具有第一浓度的第一掺质。在剖面视图中，相对于第一纳米结构的第一侧壁，第一磊晶层具有圆凸状轮廓。在剖面视图中，第一源极/漏极区域还包含覆盖第一磊晶层的圆凸状轮廓的第二磊晶层。第二磊晶层具有第二浓度的第一掺质，且第二浓度不同于第一浓度。

技术研发人员：杨詠竣,吕惟皓,刘威民,舒丽丽,李啟弘,杨育佳
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13