元件结构的制作方法

本公开涉及一种高电压无源元件，尤其涉及一种使用金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal；mim)结构的高电压无源元件。

背景技术：

1、半导体集成电路(ic)产业经历了指数型的增长。ic的材料和设计技术历经了几代进步，每一代电路都比上一代更小、更复杂。ic演进的过程中，功能密度(即，单位面积的芯片中互联元件的数量)已经普遍增加，而几何尺寸(即，可使用工艺造出的最小组件或线)逐渐缩小。此种使元件缩小的发展过程通常有助于提高生产效率并降低相关成本，而这也增加了ic制造的复杂度。

2、随着ic元件的几何尺寸不断减小，一些表面积较大的无源元件被移动到了后段工艺(back-end-of-line；beol)，金属-绝缘体-金属电容是此类无源元件的其中之一。典型的mim电容包含多个导体板层，多个导体板层通过多个绝缘层相互绝缘。在某些情况下，多个mim电容可被制造以提供不同的功能。尽管现有的mim结构通常能满足其预期目的，但它们并非在各个方面都能令人满意。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种元件结构。元件结构包含mim堆叠、接地导孔，以及第一导孔。mim堆叠包含至少一个下导体板层；第一绝缘层，设置于下导体板层上方；第一导体板层，设置于第一绝缘层上方；第二绝缘层，设置于第一导体板层上方；以及第二导体板层，设置于第二绝缘层上方。接地导孔延伸穿过并电性耦接至第一导体板层中的第一接地板。第一导孔延伸穿过并电性耦接至第二导体板层中的高电压板。其中，第一接地板垂直重叠于高电压板，且第二绝缘层不同于第一绝缘层。

2、本公开实施例提供一种元件结构。元件结构包含mim堆叠、接地导孔、第一导孔，以及第二导孔mim堆叠包含至少一个下导体板层；第一绝缘层，设置于下导体板层上方；第一导体板层，设置于第一绝缘层上方；第二绝缘层，设置于第一导体板层上方；以及第二导体板层，设置于第二绝缘层上方。接地导孔延伸穿过并电性耦接至第一导体板层中的第一接地板。第一导孔延伸穿过并电性耦接至第二导体板层中的高电压板。第二导孔延伸穿过并电性耦接至第二导体板层中的标准电压板。其中，第一接地板垂直垂叠于高电压板和标准电压板，而高电压板与标准电压板绝缘，且第二绝缘层不同于第一绝缘层。

3、本公开实施例提供一种元件结构。元件结构包含电容堆叠、接地导孔、第一导孔，以及第二导孔。电容堆叠包含第一导体板层；第一绝缘层，设置于第一导体板层上方；第二导体板层，设置于第一绝缘层上方；第二绝缘层，设置于第二导体板层上方；第三导体板层，设置于第二绝缘层上方；第三绝缘层，设置于第三导体板层上方；第四导体板层，设置于第三绝缘层上方；第四绝缘层，设置于第四导体板层上方；以及第五导体板层，设置于该第四绝缘层上方。接地导孔延伸穿过并电性耦接至第二导体板层中的第一接地板以及第四导体板层中的第二接地板。第一导孔延伸穿过并电性耦接至第五导体板层中的高电压板。第二导孔延伸穿过第一导体板层中的第一标准电压板、第三导体板层中的第二标准电压板，以及第五导体板层中的第三标准电压板。其中，第一接地板和第二接地板垂直重叠于第一标准电压板、第二标准电压板和第三标准电压板，而高电压板垂直重叠于第一接地板。

技术特征：

1.一种元件结构，包含：

2.如权利要求1所述的元件结构，其中该第二绝缘层的厚度大于该第一绝缘层的厚度。

3.如权利要求1所述的元件结构，其中，该接地导孔连接至一接地电压，而该第一导孔电性耦接至一高电压晶体管，该高电压晶体管设置于该金属-绝缘体-金属堆叠下方。

4.如权利要求3所述的元件结构，其中，

5.一种元件结构，包含：

6.如权利要求5所述的元件结构，其中该第二绝缘层的厚度大于该第一绝缘层的厚度。

7.如权利要求5所述的元件结构，其中

8.如权利要求7所述的元件结构，其中该第一导体板层及该第二导体板层包含氮化钛。

9.一种元件结构，包含：

10.如权利要求9所述的元件结构，其中该第四绝缘层的厚度不同于该第一绝缘层、该第二绝缘层以及该第三绝缘层的厚度。

技术总结
本公开一种元件结构。元件结构包含金属‑绝缘体‑金属(Metal‑insulator‑metal；MIM)堆叠。MIM堆叠包含至少一下导体板层、一设置于下导体板层之上的第一绝缘层、一设置于第一绝缘层之上的第一导体板层、一设置于第一导体板层之上的第二绝缘层，以及一设置在第二绝缘层之上的第二导体板层。该元件结构进一步包含一接地导孔和一第一导孔，接地导孔延伸穿过并电性耦接至第一导体板层中的第一接地板，而第一导孔延伸穿过并电性耦接至第二导体板层中的高电压板。第一接地板与高电压板垂直交叠，且第二绝缘层不同于第一绝缘层。

技术研发人员：萧远洋,沈香谷,涂文琼,萧琮介,黄镇球,陈殿豪
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14