半导体装置的制作方法

本发明涉及一种用作开关元件的栅极电阻元件等的半导体装置。

背景技术：

1、作为在半导体集成电路(ic)等中使用的电阻元件，专利文献1公开一种纵型构造的电阻芯片，该纵型构造的电阻芯片具备：电阻层，其隔着第一绝缘膜设置在半导体基板上，由薄膜的多晶硅构成；第一电极，其隔着第二绝缘膜设置在电阻层上，该第一电极与电阻层的一端电连接；中继布线，其设置于第二绝缘膜上，该中继布线与电阻层的另一端电连接；以及第二电极，其设置于半导体基板下，该第二电极与中继布线电连接，其中，将第一电极与第二电极之间作为电阻体。

2、专利文献2公开一种半导体集成电路装置，该半导体集成电路装置将电阻的温度特性具有正值以及负值的多种多晶硅层作为电阻元件，并将多种多晶硅电阻元件经由多晶硅层间连接孔进行连接。专利文献3公开一种半导体装置，该半导体装置是在包括半导体元件的半导体基板上隔着绝缘膜形成电阻体而成的，在该半导体装置中，将电阻体形成为隔着绝缘膜在高度方向上层叠为多层的状态，并且将各层的电阻体图案进行电连接。专利文献4公开一种半导体存储装置，该半导体存储装置的负载元件是将至少2层高电阻层经由接触孔相互连接而得到的电阻。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2019-106485号公报

6、专利文献2：日本特开平5-235277号公报

7、专利文献3：日本特开平8-195479号公报

8、专利文献4：日本特开平9-275150号公报

技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、在专利文献1所记载的电阻元件中，需要针对每个安装电阻元件的半导体模块将电阻元件设计为适当的电阻值。当为了增大电阻元件的电阻值而增大电阻元件的芯片尺寸时，必须变更该电阻元件在半导体模块中的安装面积。另外，为了不变更电阻元件的芯片尺寸而增大电阻值，需要使电阻体的宽度变窄，但电阻体的宽度越窄，则电阻值偏差越大。

3、鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种不变更芯片尺寸就能够调整电阻值、且还能够抑制电阻值偏差的半导体装置。

4、用于解决问题的方案

5、本发明的一个方式为一种半导体装置，该半导体装置的主旨在于，具备：半导体基板；设置于半导体基板的一个面上的第一绝缘膜；设置于第一绝缘膜上的、由多晶硅构成的第一电阻层；设置于第一电阻层上的第二绝缘膜；以至少一部分与第一电阻层重叠的方式设置于第二绝缘膜上的、由多晶硅构成的第二电阻层；设置于第二电阻层上的第三绝缘膜；设置于第三绝缘膜的上方且与第二电阻层电连接的第一电极；以及与第一电阻层电连接的第二电极，其中，第一电阻层和第二电阻层分别具有主体部以及杂质浓度比主体部的杂质浓度高的第一接触部，第一电阻层和第二电阻层各自的第一接触部彼此经由设置于第二绝缘膜的接触孔相接。

6、发明的效果

7、根据本发明，能够提供一种不变更芯片尺寸就能够调整电阻值、且还能够抑制电阻值偏差的半导体装置。

技术特征：

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

技术总结
本发明提供一种半导体装置，不变更芯片尺寸就能够调整电阻值，还能够抑制电阻值偏差。半导体装置具备：半导体基板；设置于半导体基板的一个面上的第一绝缘膜；设置于第一绝缘膜上的、由多晶硅构成的第一电阻层；设置于第一电阻层上的第二绝缘膜；以与第一电阻层重叠的方式设置于第二绝缘膜上的、由多晶硅构成的第二电阻层；设置于第二电阻层上的第三绝缘膜；设置于第三绝缘膜的上方且与第二电阻层电连接的第一电极；以及与第一电阻层电连接的第二电极，其中，第一电阻层和第二电阻层分别具有主体部以及杂质浓度比主体部的杂质浓度高的第一接触部，第一接触部彼此相接。

技术研发人员：狩野太一,澄田仁志
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16