微波多层板电路中的复合介质类同轴结构的制作方法

本发明涉及微波电路技术，具体地，涉及一种微波多层板电路中的复合介质类同轴结构。

背景技术：

1、在微波电路设计中，为了减少电路体积从而提高集成度，主要通过设计微波多层板。微波多层板电路是将两层或多层电路板叠加制造而成。随着微波多层板电路复杂性增加，多层板层数和厚度都随之增加。微波多层板电路在多层板中选择一层作为微带线的地,在最上层布置射频传输线。传输线是微波多层电路系统中信号传输的最基本结构，传输线性能直接关系到整个系统性能。

2、传统的传输线如微带线已经广泛地应用于微波系统，且在低频阶段具有良好的传输特性。但随着无线通讯技术的迅猛发展，使用频段逐渐扩展到毫米波亚毫米波。随着频率上升，由于介质和辐射损耗以及高次模态激励的限制等问题，造成传输线性能大幅度降低。

3、因此，需要设计一种结构可以在保证低频阶段具有良好的传输特性的同时，改善高频段连接器的驻波特性。

技术实现思路

1、针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种微波多层板电路中的复合介质类同轴结构，可以改善射频连接器性能，实现在高频宽带条件下连接器信号良好传输。

2、根据本发明提供的微波多层板电路中的复合介质类同轴结构，包括：微波多层电路板；

3、所述微波多层电路板上设置有微带接地板和表层微带线；所述微带接地板和所述表层微带线构成微带传输线结构；

4、所述微波多层电路板的下表面设置有连接器绝缘层；所述微波多层电路板和所述连接器绝缘层贯穿设置有中心内导体；

5、所述微波多层电路板贯穿设置有类同轴外导体，所述类同轴外导体包括多个沿所述中心内导体外围周向均匀分布金属通孔；所述类同轴外导体和所述中心内导体之间依次设置空气层和绝缘介质。

6、优选地，所述中心内导体与表层微带线通过金丝连接。

7、优选地，所述微带接地板上设置一个微带接地板空气孔，以使所述微带接地板与所述中心内导体隔绝。

8、优选地，通过改变所述类同轴外导体、所述中心内导体以及所述空气层的半径改善射频信号驻波性能设置。

9、优选地，所述金属通孔的数量设置10到15个。

10、优选地，连接器绝缘层和中心内导体构成信号输入端口

11、优选地，沿周向均匀分布的金属通孔模拟金属壁构成所述类同轴外导体。

12、优选地，所述绝缘介质和所述空气层构成类同轴的复合介质绝缘层。

13、优选地，所述中心内导体位于所述微带接地板空气孔内侧。

14、与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：

15、本发明的复合介质类同轴结构改善了在高频宽带条件下的射频连接器的驻波特性，可以通过调节结构尺寸适应不同介质的多层板电路；

16、本发明的结构对内外电磁场具有很高的隔离度可以实现微波多层电路的高密度集成。

技术特征：

1.一种微波多层板电路中的复合介质类同轴结构，其特征在于，包括：微波多层电路板(1)；

2.根据权利要求1所述的微波多层板电路中的复合介质类同轴结构，其特征在于，所述中心内导体(4)与表层微带线(2)通过金丝(10)连接。

3.根据权利要求1所述的微波多层板电路中的复合介质类同轴结构，其特征在于，所述微带接地板(8)上设置一个微带接地板空气孔(7)，以使所述微带接地板(8)与所述中心内导体(4)隔绝。

4.根据权利要求1所述的微波多层板电路中的复合介质类同轴结构，其特征在于，；

5.根据权利要求1所述的微波多层板电路中的复合介质类同轴结构，其特征在于，所述金属通孔的数量设置10到15个。

6.根据权利要求1所述的微波多层板电路中的复合介质类同轴结构，其特征在于，连接器绝缘层(9)和中心内导体(4)构成信号输入端口。

7.根据权利要求1所述的微波多层板电路中的复合介质类同轴结构，其特征在于，沿周向均匀分布的金属通孔模拟金属壁构成所述类同轴外导体(3)。

8.根据权利要求1所述的微波多层板电路中的复合介质类同轴结构，其特征在于，所述绝缘介质(5)和所述空气层(6)构成类同轴的复合介质绝缘层。

9.根据权利要求3所述的微波多层板电路中的复合介质类同轴结构，其特征在于，所述中心内导体(4)位于所述微带接地板空气孔(7)内侧。

技术总结
本发明提供了一种微波多层板电路中的复合介质类同轴结构，包括：微波多层电路板；所述微波多层电路板上设置有微带接地板和表层微带线；所述微带接地板和所述表层微带线构成微带传输线结构；所述微波多层电路板的下表面设置有连接器绝缘层；所述微波多层电路板和所述连接器绝缘层贯穿设置有中心内导体；所述微波多层电路板贯穿设置有类同轴外导体，所述类同轴外导体包括多个沿所述中心内导体外围周向均匀分布金属通孔；所述类同轴外导体和所述中心内导体之间依次设置空气层和绝缘介质。本发明的复合介质类同轴结构改善了在高频宽带条件下的射频连接器的驻波特性，可以通过调节结构尺寸适应不同介质的多层板电路。

技术研发人员：汤之仪,谢雅,马军伟,高翔,沈玮,陈凯
受保护的技术使用者：上海航天电子通讯设备研究所
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13