具有白光转换层的发光器件、电子设备及制备方法与流程

文档序号:35225588发布日期:2023-08-24 22:08阅读:44来源:国知局
具有白光转换层的发光器件、电子设备及制备方法与流程

本公开属于显示,特别涉及一种具有白光转换层的发光器件、电子设备及制备方法。


背景技术:

1、发光二极管是一种常见的发光器件。

2、在相关技术中,为了实现发光器件发出白光,主要有两种方式。一种方式是通过红、绿、蓝三种颜色的发光器件进行混合发光,从而获得组合白光。另一种方式是通过发光器件发出的蓝光或者紫光来激发荧光粉,从而获得组合白光。由于第一种方式的成本高,且不利于小型化和散热,所以第二种方式是目前的主流应用。

3、然而,在上述第二种方式中,由于荧光粉层会反方向散射发光器件发出的蓝光或者紫光,导致其在封装器件内被损耗,降低了外量子效率。


技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种具有白光转换层的发光器件、电子设备及制备方法,能够提高发光器件的外量子效率。所述技术方案如下:

2、一方面,本公开实施例提供了一种具有白光转换层的发光器件,包括:发光二极管芯粒和白光转换层;

3、所述白光转换层包括cspbbr3钙钛矿纳米晶体层和cspbi3钙钛矿纳米晶体层,所述cspbbr3钙钛矿纳米晶体层和所述cspbi3钙钛矿纳米晶体层均位于所述发光二极管芯粒的出光面。

4、在本公开的一种实现方式中,所述cspbi3钙钛矿纳米晶体层和所述cspbbr3钙钛矿纳米晶体层依次层叠在所述发光二极管芯粒的出光面。

5、在本公开的一种实现方式中,所述cspbbr3钙钛矿纳米晶体层和所述cspbi3钙钛矿纳米晶体层沿所述发光二极管芯粒的出光面并排布置。

6、在本公开的一种实现方式中,所述白光转换层还包括至少三个分隔部;

7、各所述分隔部沿所述发光二极管芯粒的出光面并排布置,相邻两个所述分隔部之间具有所述cspbbr3钙钛矿纳米晶体层或者所述cspbi3钙钛矿纳米晶体层。

8、在本公开的一种实现方式中,所述发光器件还包括钝化保护层;

9、所述钝化保护层包覆在所述白光转换层之外,以及部分所述发光二极管芯粒之外。

10、在本公开的一种实现方式中,所述发光器件还包括光阻隔层;

11、所述光阻隔层包覆在所述发光二极管芯粒之外,以及部分所述白光转换层之外,使得所述白光转换层背向所述发光二极管芯粒的一面暴露在所述光阻隔层外。

12、另一方面,本公开实施例提供了一种电子设备,包括前文所述的发光器件。

13、又一方面,本公开实施例提供了一种具有白光转换层的发光器件的制备方法,包括:

14、制备发光二极管芯粒;

15、在所述发光二极管芯粒的出光面依次制备所述cspbi3钙钛矿纳米晶体层和所述cspbbr3钙钛矿纳米晶体层。

16、在本公开的一种实现方式中,制备所述cspbi3钙钛矿纳米晶体层,包括:

17、制备cspbi3钙钛矿纳米晶体悬浊液;

18、对所述cspbi3钙钛矿纳米晶体悬浊液进行离心分离,以得到cspbi3钙钛矿纳米晶体;

19、将cspbi3钙钛矿纳米晶体散布至甲苯中,以得到cspbi3钙钛矿纳米晶体甲苯散布溶液;

20、将聚二甲基硅氧烷加入至所述cspbi3钙钛矿纳米晶体甲苯散布溶液中,以得到cspbi3钙钛矿纳米晶体涂层胶体;

21、将所述cspbi3钙钛矿纳米晶体涂层胶体涂覆至所述发光二极管芯粒的出光面,以得到所述cspbi3钙钛矿纳米晶体层。

22、在本公开的一种实现方式中,制备所述cspbbr3钙钛矿纳米晶体层,包括:

23、制备cspbbr3钙钛矿纳米晶体悬浊液;

24、对所述cspbbr3钙钛矿纳米晶体悬浊液进行离心分离,以得到cspbbr3钙钛矿纳米晶体;

25、将cspbbr3钙钛矿纳米晶体散布至甲苯中,以得到cspbbr3钙钛矿纳米晶体甲苯散布溶液;

26、将聚二甲基硅氧烷加入至所述cspbbr3钙钛矿纳米晶体甲苯散布溶液中,以得到cspbbr3钙钛矿纳米晶体涂层胶体;

27、将所述cspbbr3钙钛矿纳米晶体涂层胶体涂覆至所述发光二极管芯粒的出光面,以得到所述cspbbr3钙钛矿纳米晶体层。

28、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是:

29、在本公开实施例提供的发光器件工作时,发光二极管芯粒的出光面发光,光线传输至白光转换层。由于白光转换层包括cspbbr3钙钛矿纳米晶体层和cspbi3钙钛矿纳米晶体层,二者相较于相关技术中的荧光粉层来说,可以减少发光二极管芯粒出光的反向散射,减少这些散射光在发光器件内的损耗,提高整体外量子效率。并且,二者相较于相关技术中的荧光粉层来说,具有更高的光致发光量子转换效率,提高整个发光器件的光输出功率。



技术特征:

1.一种发光器件,其特征在于,包括:发光二极管芯粒(1)和白光转换层(2);

2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述cspbi3钙钛矿纳米晶体层(22)和所述cspbbr3钙钛矿纳米晶体层(21)依次层叠在所述发光二极管芯粒(1)的出光面。

3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述cspbbr3钙钛矿纳米晶体层(21)和所述cspbi3钙钛矿纳米晶体层(22)沿所述发光二极管芯粒(1)的出光面并排布置。

4.根据权利要求3所述的发光器件,其特征在于,所述白光转换层(2)还包括至少三个分隔部(23);

5.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括钝化保护层(3);

6.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括光阻隔层(4);

7.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的发光器件。

8.一种发光器件的制备方法,其特征在于,包括:

9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,制备所述cspbi3钙钛矿纳米晶体层(22),包括:

10.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,制备所述cspbbr3钙钛矿纳米晶体层(21),包括:


技术总结
本公开提供了一种具有白光转换层的发光器件、电子设备及制备方法,属于显示技术领域。该发光器件,包括:发光二极管芯粒和白光转换层;白光转换层包括CsPbBr<subgt;3</subgt;钙钛矿纳米晶体层和CsPbI<subgt;3</subgt;钙钛矿纳米晶体层,CsPbBr<subgt;3</subgt;钙钛矿纳米晶体层和CsPbI<subgt;3</subgt;钙钛矿纳米晶体层均位于发光二极管芯粒的出光面。本公开能够提高发光器件的外量子效率。

技术研发人员:陈张笑雄,张舜,胡任浩,龚逸品,王江波
受保护的技术使用者:华灿光电(苏州)有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/14
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