本公开涉及离子阱芯片制造,尤其涉及一种离子阱芯片快速更换系统。
背景技术:
1、芯片在加工完成后需要安装到离子阱系统中进行测试,而在现有技术中,芯片在安装后需要进行长达10-15天的抽真空作业,才能使离子阱系统的真空度达到预期要求,且在更换芯片时,还会破坏离子阱系统的真空度,使得再次实现超高真空环境时需要较长周期的抽真空作业,同时外界环境中的各种杂质也会严重污染离子阱系统,使得离子阱系统在进行清洗除杂时也需要很长的作业周期以及巨大的工作量。以及,相关及技术中,利用开闭真空腔进行更换芯片的过程中,仍然存在芯片在更换时会与外界环境接触的情况,如此,仍存在外界环境与真空腔的接触风险导致真空腔受到破坏的情况。因此,存在改进空间。
技术实现思路
1、本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种离子阱芯片快速更换系统,可极大降低芯片更换过程中真空腔的被污染风险。
2、根据本发明实施例的离子阱芯片快速更换系统,包括:真空模块,所述真空模块内形成有真空腔,所述真空模块设有用于将所述真空腔与所述真空模块的外部选择性地连通的连接口,所述真空腔内设有安装座;芯片安装结构,所述芯片安装结构用于安装芯片,且所述芯片安装结构适于沿所述连接口的敞开方向与所述安装座拔插拆装。
3、根据本发明实施例的离子阱芯片快速更换系统,通过设置彼此能够连通的真空腔和芯片更换腔,可保证二者之间真空度的统一性。同时,真空腔内固定安装有安装座,利用固定的安装座可保证芯片安装结构在安装或拆卸地过程中不易发生晃动、偏移等状况。以及,安装座与芯片安装结构为拔插配合,因而当芯片安装结构安装后,芯片安装结构能够在真空腔内保持稳定的状态,从而有利于芯片的正常工作。
4、根据本发明实施例的离子阱芯片快速更换系统,所述芯片安装结构包括电路板和芯片支架,所述芯片支架用于承载芯片,所述电路板与所述安装座拔插配合,所述芯片支架安装于所述电路板上。
5、根据本发明实施例的离子阱芯片快速更换系统,所述安装座设有滑动插槽,所述电路板与所述滑动插槽滑动配合。
6、根据本发明实施例的离子阱芯片快速更换系统,所述电路板设有金手指,所述安装座设有电接触片,所述电接触片限定出与所述滑动插槽连通的电连接插槽,所述电路板适于沿所述滑动插槽滑动至所述金手指与所述电连接插槽插接配合。
7、根据本发明实施例的离子阱芯片快速更换系统,所述芯片安装结构还包括连接于所述电路板底部的支架底托,所述安装座设有与所述滑动插槽连通的底托槽,所述支架底托适于支撑于所述底托槽的内底壁。
8、根据本发明实施例的离子阱芯片快速更换系统,所述电路板的宽度大于所述支架底托的宽度。
9、根据本发明实施例的离子阱芯片快速更换系统,所述支架底托设置有底托镂空部。
10、根据本发明实施例的离子阱芯片快速更换系统,所述支架底托的顶部设有底托支脚,所述芯片支架的底部设有支架支脚,所述底托支脚与所述支架支脚一一对应。
11、根据本发明实施例的离子阱芯片快速更换系统,所述电路板朝向所述金手指的一端构造为楔形结构。
12、根据本发明实施例的离子阱芯片快速更换系统,所述安装座包括上座体和下座体,所述上座体与所述下座体拼接相连,所述滑动插槽形成于所述上座体与所述下座体的连接处。
13、根据本发明实施例的离子阱芯片快速更换系统,所述电路板的顶面的两侧均设有rf接电镀层和dc接电镀层,所述rf接电镀层和所述dc接电镀层的分布方向与阱芯片所构成的囚禁场轴向相同。
14、根据本发明实施例的离子阱芯片快速更换系统,所述电路板的衬底材料为氧化锆陶瓷材料。
15、根据本发明实施例的离子阱芯片快速更换系统,所述安装座设有用于嵌入铜片的接电缺口。
16、本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
1.一种离子阱芯片快速更换系统,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的离子阱芯片快速更换系统,其特征在于,所述芯片安装结构包括电路板和芯片支架,所述芯片支架用于承载芯片,所述电路板与所述安装座拔插配合,所述芯片支架安装于所述电路板上。
3.根据权利要求2所述的离子阱芯片快速更换系统,其特征在于,所述安装座设有滑动插槽,所述电路板与所述滑动插槽滑动配合。
4.根据权利要求3所述的离子阱芯片快速更换系统,其特征在于,所述电路板设有金手指,所述安装座设有电接触片,所述电接触片限定出与所述滑动插槽连通的电连接插槽,所述电路板适于沿所述滑动插槽滑动至所述金手指与所述电连接插槽插接配合。
5.根据权利要求3所述的离子阱芯片快速更换系统,其特征在于,所述芯片安装结构还包括连接于所述电路板底部的支架底托,所述安装座设有与所述滑动插槽连通的底托槽,所述支架底托适于支撑于所述底托槽的内底壁。
6.根据权利要求5所述的离子阱芯片快速更换系统,其特征在于,所述电路板的宽度大于所述支架底托的宽度。
7.根据权利要求5所述的离子阱芯片快速更换系统,其特征在于,所述支架底托设置有底托镂空部。
8.根据权利要求5所述的离子阱芯片快速更换系统,其特征在于,所述支架底托的顶部设有底托支脚,所述芯片支架的底部设有支架支脚,所述底托支脚与所述支架支脚一一对应。
9.根据权利要求4所述的离子阱芯片快速更换系统,其特征在于,所述电路板朝向所述金手指的一端构造为楔形结构。
10.根据权利要求3所述的离子阱芯片快速更换系统,其特征在于,所述安装座包括上座体和下座体,所述上座体与所述下座体拼接相连,所述滑动插槽形成于所述上座体与所述下座体的连接处。
11.根据权利要求2所述的离子阱芯片快速更换系统,其特征在于,所述电路板的顶面的两侧均设有rf接电镀层和dc接电镀层,所述rf接电镀层和所述dc接电镀层的分布方向与阱芯片所构成的囚禁场轴向相同。
12.根据权利要求2所述的离子阱芯片快速更换系统,其特征在于,所述电路板的衬底材料为氧化锆陶瓷材料。
13.根据权利要求1所述的离子阱芯片快速更换系统,其特征在于,所述安装座设有用于嵌入铜片的接电缺口。