一种LED钝化层及其制备方法、LED芯片与流程

本发明涉及led，特别涉及一led钝化层及其制备方法、led芯片。

背景技术：

1、发光二极管(light emitting diode，简称：led)是一种能发光的半导体电子元件，由于其体积小、亮度高、能耗低等特点，吸引了越来越多研究者的注意。

2、需要说明的是，为了减少杂质、水汽对于led芯片的破坏，在芯片表面蒸镀了一层钝化层(sio2、sion等)以保护芯片。这些结构的芯片在业界生产规模已相对成熟。

3、但是led可靠性的问题依然存在，对于一些小尺寸的led芯片，由于芯片间距较小，在切割过程中不可避免的会造成一些损伤，最常见的就是钝化层破裂、翘起，钝化层作为最外层的保层，破损势必会影响led芯片的可靠性，造成抗湿抗腐蚀能力下降，对此，在改善小尺寸led芯片切割时造成的钝化层破裂、翘起现象，提高ga n基led芯片的抗湿性能，成为本申请需要解决的问题。

技术实现思路

1、基于此，本发明的目的是提供一led钝化层及其制备方法、led芯片，旨在解决现有技术中，目前小尺寸led芯片在切割时易造成钝化层破裂、翘起现象的问题。

2、根据本发明实施例当中的一种led钝化层，所述led钝化层沉积在gan外延片的表面，其特征在于，所述led钝化层包括第一钝化子层和沉积在所述第一钝化子层上的第二钝化子层，其中，所述第一钝化子层沉积在所述gan外延片的切割走道边缘表面，所述第二钝化子层沉积在所述第一钝化子层和未沉积所述第一钝化子层的所述gan外延片表面。

3、进一步的，所述第一钝化子层位于所述gan外延片的切割走道边缘宽度为5μm～10μm。

4、进一步的，所述第一钝化子层的厚度为

5、进一步的，所述第二钝化子层的厚度为

6、进一步的，所述第一钝化子层为tio2。

7、进一步的，所述第二钝化子层为sio2。

8、根据本发明实施例当中的一种led钝化层的制备方法，用于制备上述的led钝化层，所述方法包括：

9、准备一gan外延片，并对所述gan外延片进行刻蚀以形成切割走道边缘；

10、在所述gan外延片的切割走道边缘表面制备第一钝化子层；

11、在所述第一钝化子层和未设有所述第一钝化子层的所述gan外延片表面制备第二钝化子层。

12、进一步的，所述在所述gan外延片的切割走道边缘表面制备第一钝化子层的步骤包括：

13、将所述gan外延片放置于一蒸镀机台上，并对所述gan外延片进行预热，预热的温度为100℃～150℃，预热的压强为1.5＊10-2pa-2＊10-2pa；

14、在所述gan外延片的切割走道边缘表面制备第一钝化子层，制备的温度为100℃～150℃，制备的压强为1.5＊10-2pa-2＊10-2pa，制备的速率为制备的时间为20s-40s。

15、进一步的，所述在所述第一钝化子层和未设有所述第一钝化子层的所述gan外延片表面制备第二钝化子层的步骤包括：

16、将镀有所述第一钝化子层的所述gan外延片放置于一蒸镀机台上，并对镀有所述第一钝化子层的所述gan外延片进行预热，预热温度为220℃～240℃，预热的压强为90pa～120pa；

17、在所述第一钝化子层表面和未设有所述第一钝化子层的所述gan外延片表面制备第二钝化子层，制备温度为220℃～240℃，压强为90pa～120pa并进行多段式沉积，其中，制备的速率为对应制备的时间为10s-20s和制备的速率为对应制备的时间为110s-120s。

18、此外，本发明还提出一种led芯片，包括表面沉积有led钝化层的gan外延片。

19、与现有技术相比：通过在gan外延片的表面沉积第一钝化子层和第二钝化子层，其中，第一钝化子层采用tio2沉积，第二钝化子层采用sio2沉积，而tio2与sio2连接部分是具备较强的粘附效果，因此在对相邻的两gan外延片进行切割时沿第一钝化子层宽度中部进行切割，由于切割后多余部分的第一钝化子层和第二钝化子层任保持黏合状态结构之间相对较为稳定，避免钝化层出现破裂翘起情况。

技术特征：

1.一种led钝化层，所述led钝化层沉积在gan外延片的表面，其特征在于，所述led钝化层包括第一钝化子层和沉积在所述第一钝化子层上的第二钝化子层，其中，所述第一钝化子层沉积在所述gan外延片的切割走道边缘表面，所述第二钝化子层沉积在所述第一钝化子层和未沉积所述第一钝化子层的所述gan外延片表面。

2.根据权利要求1所述的led钝化层，其特征在于，所述第一钝化子层位于所述gan外延片的切割走道边缘宽度为5μm～10μm。

3.根据权利要求1所述的led钝化层，其特征在于，所述第一钝化子层的厚度为

4.根据权利要求1所述的led钝化层，其特征在于，所述第二钝化子层的厚度为

5.根据权利要求1～4任一项所述的led钝化层，其特征在于，所述第一钝化子层为tio2。

6.根据权利要求1～4任一项所述的led钝化层，其特征在于，所述第二钝化子层为sio2。

7.一种led钝化层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

8.如权利要求7所述的led钝化层的制备方法，其特征在于，所述在所述gan外延片的切割走道边缘表面制备第一钝化子层的步骤包括：

9.如权利要求7所述的led钝化层的制备方法，其特征在于，所述在所述第一钝化子层和未设有所述第一钝化子层的所述gan外延片表面制备第二钝化子层的步骤包括：

10.一种led芯片，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述的led钝化层。

技术总结
本发明提供一LED钝化层及其制备方法、LED芯片，LED钝化层沉积在GaN外延片的表面，LED钝化层包括第一钝化子层和沉积在第一钝化子层上的第二钝化子层，其中，第一钝化子层沉积在GaN外延片的切割走道边缘表面，第二钝化子层沉积在第一钝化子层和GaN外延片表面，通过在GaN外延片的表面沉积第一钝化子层和第二钝化子层，其中，第一钝化子层采用TiO<subgt;2</subgt;沉积，第二钝化子层采用SiO<subgt;2</subgt;沉积，而TiO<subgt;2</subgt;与SiO<subgt;2</subgt;连接部分是具备较强的粘附效果，因此在对相邻的两GaN外延片进行切割时沿第一钝化子层宽度中部进行切割，由于切割后多余部分的第一钝化子层和第二钝化子层任保持黏合状态结构之间相对较为稳定，避免钝化层出现破裂翘起情况。

技术研发人员：罗钢铁,张星星,林潇雄,胡加辉,金从龙
受保护的技术使用者：江西兆驰半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13