阵列基板及其制备方法、显示装置与流程

本申请涉及显示，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术：

1、薄膜晶体管(英文全称：thin film transistor，简称tft)器件工作时，像一个电压控制的取向开关，当栅极不施加电压时，tft器件处于截止状态(关断状态)，即源极与漏极不能接通；当在栅极上施加一个大于其导通电压的正电压时，由于电场的作用，tft器件将处于导通状态，即源极与漏极接通。目前的氧化物薄膜晶体管一般量产采用的有刻蚀阻挡层(esl)、背沟道刻蚀(bce)和顶栅形(top gate)三种结构。为了提升氧化物薄膜晶体管的稳定性，esl结构被广泛采用，该结构可以有效降低外界环境因素与源漏电极的刻蚀损伤对背沟道的影响。

2、目前的氧化物薄膜晶体管中的刻蚀阻挡层的制备过程中容易分解产生氢离子，这些氢离子容易与有源层发生反应，导致有源层的沟道区导体化发生短路现象。目前一般采用双层刻蚀阻挡层，利用下层刻蚀阻挡层在保证刻蚀阻挡层的沉积速率的基础上防止刻蚀阻挡层的薄膜在沉积过程中对氧化物薄膜晶体管的特性产生影响。但是该方法会导致源漏极层与有源层之间的阻抗增加，影响源漏极层与有源层之间的接触性能。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，其能够解决现有技术中利用下层刻蚀阻挡层防止刻蚀阻挡层的薄膜在沉积过程中对氧化物薄膜晶体管的特性产生影响导致的源漏极层与有源层之间的阻抗增加等问题。

2、为了解决上述问题，本发明提供了一种阵列基板，其包括：基板；有源层，设置于所述基板上，其包括沟道部和分别连接于所述沟道部两端的源极部和漏极部；第一刻蚀阻挡层，设置于所述有源层远离所述基板的一侧；第二刻蚀阻挡层，设置于所述第一刻蚀阻挡层远离所述基板的一侧的表面上，且延伸至部分所述源极部和部分所述漏极部远离所述基板的一侧的表面上；以及源漏极层，设置于所述第二刻蚀阻挡层远离所述基板的一侧，其包括相互间隔且分别电连接于所述源极部和所述漏极部的源极和漏极。

3、进一步的，所述第二刻蚀阻挡层在对应于所述有源层的沟道部的位置处设有一开口。

4、进一步的，所述第一刻蚀阻挡层的含氧量大于所述第二刻蚀阻挡层的含氧量。

5、进一步的，所述第二刻蚀阻挡层的含氢量大于所述第一刻蚀阻挡层的含氢量。

6、进一步的，所述第一刻蚀阻挡层的材料包括tiox及alox中的一种或多种，所述第二刻蚀阻挡层的材料包括siox。

7、为了解决上述问题，本发明提供了一种阵列基板的制备方法，其包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上制备有源层，所述有源层包括沟道部和分别连接于所述沟道部两端的源极部和漏极部；在所述有源层远离所述基板的一侧制备第一刻蚀阻挡层；在所述第一刻蚀阻挡层远离所述基板的一侧的表面上制备第二刻蚀阻挡层，所述第二刻蚀阻挡层延伸至部分所述源极部和部分所述漏极部远离所述基板的一侧的表面上；在所述第二刻蚀阻挡层远离所述基板的一侧制备源漏极层，所述源漏极层包括相互间隔且分别电连接于所述源极部和所述漏极部的源极和漏极。

8、进一步的，所述在所述第一刻蚀阻挡层远离所述基板的一侧的表面上制备第二刻蚀阻挡层的步骤包括：通过化学气相沉积工艺在所述第一刻蚀阻挡层远离所述基板的一侧的表面上沉积第二刻蚀阻挡材料层，第二刻蚀阻挡材料层还沉积于所述源极部、所述漏极部和所述基板上，对所述基板上、部分所述源极部上以及部分所述漏极部上的所述第二刻蚀阻挡材料层进行图案化处理，形成第二刻蚀阻挡层。

9、进一步的，所述对所述基板上、部分所述源极部上以及部分所述漏极部上的所述第二刻蚀阻挡材料层进行图案化处理，形成第二刻蚀阻挡层的步骤还包括：对与所述有源层的沟道部对应的位置处的所述第二刻蚀阻挡材料层进行图案化处理，形成第二刻蚀阻挡层上的第一开口。

10、进一步的，通过化学气相沉积工艺在所述有源层远离所述基板的一侧制备第一刻蚀阻挡层。

11、为了解决上述问题，本发明提供了一种显示装置，其包括本发明所述的阵列基板。

12、本发明的优点是：本发明的第二刻蚀阻挡层不仅覆盖于所述第一刻蚀阻挡层远离所述基板的一侧的表面上，还延伸至部分所述源极部和部分所述漏极部远离所述基板的一侧的表面上，增加第二刻蚀阻挡层与源极部和漏极部的接触面积，使得第二刻蚀阻挡层沉积过程中产生的氢离子更多的注入源极部和漏极部，进而减小有源层的源极部和漏极部的阻抗，进而提升源漏极层与有源层之间的接触性能。

13、本发明的所述第二刻蚀阻挡层在对应于所述有源层的沟道部的位置处设有一开口，通过去除对应于所述有源层的沟道部的位置处的第二刻蚀阻挡层，减少第二刻蚀阻挡层沉积过程中产生的氢离子注入沟道部，进而防止有源层的沟道部导体化，防止发生短路现象，保持阵列基板的稳定性。

技术特征：

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二刻蚀阻挡层在对应于所述有源层的沟道部的位置处设有一开口。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层的含氧量大于所述第二刻蚀阻挡层的含氧量。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二刻蚀阻挡层的含氢量大于所述第一刻蚀阻挡层的含氢量。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层的材料包括tiox及alox中的一种或多种，所述第二刻蚀阻挡层的材料包括siox。

6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述第一刻蚀阻挡层远离所述基板的一侧的表面上制备第二刻蚀阻挡层的步骤包括：

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对所述基板上、部分所述源极部上以及部分所述漏极部上的所述第二刻蚀阻挡材料层进行图案化处理，形成第二刻蚀阻挡层的步骤还包括：

9.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，通过化学气相沉积工艺在所述有源层远离所述基板的一侧制备第一刻蚀阻挡层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。

技术总结
本发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。本发明的第二刻蚀阻挡层不仅覆盖于第一刻蚀阻挡层远离基板的一侧的表面上，还延伸至部分源极部和部分漏极部远离基板的一侧的表面上，增加第二刻蚀阻挡层与源极部和漏极部的接触面积，使得第二刻蚀阻挡层沉积过程中产生的氢离子更多的注入源极部和漏极部，减小有源层的源极部和漏极部的阻抗，进而提升源漏极层与有源层之间的接触性能。本发明的第二刻蚀阻挡层在对应于有源层的沟道部的位置处设有一开口，通过去除对应于有源层的沟道部的位置处的第二刻蚀阻挡层，减少第二刻蚀阻挡层沉积过程中产生的氢离子注入沟道部，进而防止有源层的沟道部导体化，防止发生短路现象，保持阵列基板的稳定性。

技术研发人员：弓程
受保护的技术使用者：广州华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1