减反射膜的制作方法及太阳能电池与流程

本发明涉及太阳能电池，特别是涉及一种减反射膜的制作方法及太阳能电池。

背景技术：

1、随着太阳能电池技术不断发展，太阳能电池的转换效率不断提高，其中减反射薄膜作为一种降低太阳能电池表面对光的反射损失，提高电池转换效率的重要技术手段，一直以来都是研究的热点。当前，太阳能电池普遍采用管式pecvd沉积多层氮化硅薄膜作为减反射薄膜，然而，这种多层层叠的减反射膜层中薄膜的均匀性较差，这也影响到了太阳能电池的电性能。

技术实现思路

1、基于此，有必要提供一种膜层均匀性较好、电性能较佳的减反射膜的制作方法及太阳能电池。

2、本申请实施例第一方面提供一种减反射膜的制作方法，该方法包括：

3、利用硅烷和氨气作为反应气体，在基底上形成第一氮化硅层；

4、利用硅烷和氨气作为反应气体，在第一氮化硅层背离基底的一侧表面形成第二氮化硅层；

5、利用硅烷、氨气和笑气作为反应气体，在第二氮化硅层背离第一氮化硅层的一侧表面形成氮氧化硅层；

6、其中，在形成第一氮化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:5～1:3；在形成第二氮化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:9～1:7；在形成氮氧化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:5～1:3。

7、在其中一个实施例中，在形成第一氮化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:4.9～1:3.2。

8、在其中一个实施例中，在形成第二氮化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:8.9～1:7.2。

9、在其中一个实施例中，在形成氮氧化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:4.9～1:3.2。

10、在其中一个实施例中，第一氮化硅层的折射率大于第二氮化硅层的折射率，第二氮化硅层的折射率大于氮氧化硅层的折射率。

11、在其中一个实施例中，第一氮化硅层的膜厚为10nm～20nm；和/或

12、第二氮化硅层的膜厚为25nm～35nm；和/或

13、氮氧化硅层的膜厚为20nm～30nm。

14、在其中一个实施例中，在形成第一氮化硅层、第二氮化硅层、以及氮氧化硅层的步骤中，远端温区的反应温度均为530℃～540℃；

15、在形成第二氮化硅层的步骤中，第二氮化硅层的膜层沉积时长为440s～450s；

16、其中，基底所在反应腔包括多个并列的温区，远端温区为距离反应腔中的气体源距离最远的温区。

17、在其中一个实施例中，多个温区包括相对气体源由近至远依次设置的第一温区、第二温区、第三温区、第四温区、第五温区、第六温区；

18、第六温区被配置为远端温区；

19、第一温区、第二温区、第三温区、第四温区、第五温区、第六温区的反应温度分别为：540℃、515℃、540℃、525℃、525℃、535℃。

20、在其中一个实施例中，在形成第一氮化硅层的步骤中，第一氮化硅层的膜层沉积时长为80s～90s；

21、在形成氮氧化硅层的步骤中，氮氧化硅层的膜层沉积时长为240s～260s。

22、本申请实施例第二方面提供一种太阳能电池，包括减反射膜，减反射膜采用前述的减反射膜的制作方法制作。

23、本申请实施例的减反射膜的制作方法及太阳能电池的有益效果：

24、在上述方案中，在形成第一氮化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:5～1:3；在形成第二氮化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:9～1:7；在形成氮氧化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:5～1:3，像上述这样，在每个膜层的形成步骤中，均对硅烷和氨气的流量比进行了优化，能够改变第一氮化硅层、第二氮化硅层、以及氮氧化硅层的膜层组分及膜厚，使各层在厚度与成分方面的差异减小，改善减反射膜整体膜层的均匀性，从而能够提高太阳能电池的电性能。另一方面，也可以使减反射膜层整体颜色的均匀性较为一致，提高太阳能电池的色系符合率。

技术特征：

1.一种减反射膜的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的减反射膜的制作方法，其特征在于，在形成所述第一氮化硅层的步骤中，所述硅烷和所述氨气的流量比为1:4.9～1:3.2。

3.根据权利要求1所述的减反射膜的制作方法，其特征在于，在形成所述第二氮化硅层的步骤中，所述硅烷和所述氨气的流量比为1:8.9～1:7.2。

4.根据权利要求1所述的减反射膜的制作方法，其特征在于，在形成所述氮氧化硅层的步骤中，所述硅烷和所述氨气的流量比为1:4.9～1:3.2。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的减反射膜的制作方法，其特征在于，所述第一氮化硅层的折射率大于所述第二氮化硅层的折射率，所述第二氮化硅层的折射率大于所述氮氧化硅层的折射率。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的减反射膜的制作方法，其特征在于，所述第一氮化硅层的膜厚为10nm～20nm；和/或

7.根据权利要求1-4中任一项所述的减反射膜的制作方法，其特征在于，在形成所述第一氮化硅层、所述第二氮化硅层、以及所述氮氧化硅层的步骤中，远端温区的反应温度均为530℃～540℃；

8.根据权利要求7所述的减反射膜的制作方法，其特征在于，所述多个温区包括相对所述气体源由近至远依次设置的第一温区、第二温区、第三温区、第四温区、第五温区、第六温区；

9.根据权利要求7所述的减反射膜的制作方法，其特征在于，在形成所述第一氮化硅层的步骤中，所述第一氮化硅层的膜层沉积时长为80s～90s；

10.一种太阳能电池，其特征在于，包括减反射膜，所述减反射膜采用如权利要求1-9中任一项所述的减反射膜的制作方法制作。

技术总结
本发明涉及一种减反射膜的制作方法及太阳能电池。减反射膜的制作方法包括：利用硅烷和氨气作为反应气体，在基底上形成第一氮化硅层；利用硅烷和氨气作为反应气体，在第一氮化硅层背离基底的一侧表面形成第二氮化硅层；利用硅烷、氨气和笑气作为反应气体，在第二氮化硅层背离第一氮化硅层的一侧表面形成氮氧化硅层；其中，在形成第一氮化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:5～1:3；在形成第二氮化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:9～1:7；在形成氮氧化硅层的步骤中，硅烷和氨气的流量比为1:5～1:3。本发明中，减反射膜的膜层均匀性较好、电性能较佳。

技术研发人员：高纪凡,夏斯阳,李松江,冯德魁,董龙辉,潘闻景,郭超
受保护的技术使用者：天合光能股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14