一种复合基材及电路板的制作方法

本发明涉及复合基材，具体涉及一种复合基材及电路板。

背景技术：

1、随着无线通讯和电子设备的高速发展，电子设备朝着精密化、小型化和轻薄化演化，这就要求电子设备内部的元器件要尽可能的小型化、轻薄化。电子设备内部的电阻元件由带针脚的插接电阻演化为贴片电阻，再由贴片电阻演化为埋入式电阻，逐渐向轻薄化发展。埋入式电阻的应用过程大致如下：将复合基材贴附电路板上，通过刻蚀工艺刻蚀出埋入式电阻。复合基材包括基底层和位于基底层的一侧表面的电阻层，且电阻层背离基底层的一侧表面适于贴附在电路板上。

2、然而，现有复合基材的方阻均匀性较差，不利于制备具有较高精度的埋入式电阻。

技术实现思路

1、因此，本发明要解决的技术问题在于如何提高埋入式电阻的方阻均匀性，从而提供一种复合基材及电路板。

2、本发明提供一种复合基材，包括第一电阻层和基底层；所述第一电阻层层叠设置在所述基底层的至少一侧表面；所述基底层朝向所述第一电阻层的一侧表面具有若干凸起，所述基底层具有所述凸起的一侧表面的粗糙度ra为0.5µm~5µm，所述凸起的数量为0.1×103个/mm~3×103个/mm。

3、可选的，所述基底层中所述凸起的顶部中心的轴线即为所述凸起的中心轴，相邻所述凸起的中心轴之间的水平间距为1μm~20μm。

4、可选的，所述基底层表面的所述凸起的分布情况如下：相邻所述凸起的中心轴之间的间距为d，2μm≤d≤11μm的凸起的数量占比为大于或等于70%。

5、可选的，所述基底层表面的所述凸起的分布情况如下：2μm≤d＜4μm的凸起的数量占比为10%~40%，4μm≤d＜6μm的凸起的数量占比为40%~70%，6μm≤d＜8μm的凸起的数量占比为10%~40%，8μm≤d＜11μm的凸起的数量占比为5%~20%，2μm≤d＜11μm的凸起的数量占比小于等于100%。

6、可选的，所述第一电阻层的厚度为5nm~3μm。

7、可选的，所述基底层的材料为导电材料或介质材料；所述导电材料包括铜、铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、银和金中的至少一种。

8、可选的，所述第一电阻层包括ni、cr、si、p、n、ti、pt、ta、mo、sn、o中的至少一种元素。

9、可选的，所述第一电阻层的材料包括nicrsi、nicralsi、nip、aln、nicr、tin、pt、cr、cr-sio、cr-si、ti-si、ti-w、tan、mo、ni-sn中的至少一种。

10、可选的，所述复合基材包括位于所述第一电阻层远离所述基底层的一侧表面的膜层。

11、可选的，所述膜层的厚度为0.5μm~100µm。

12、可选的，所述膜层远离所述第一电阻层的一侧设置有导电层。

13、可选的，所述导电层为单层导电层或多层导电层。

14、可选的，所述膜层与所述导电层之间设有第二电阻层。

15、可选的，采用电镀、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积中的一种或多种工艺形成所述第一电阻层。

16、本发明还提供一种电路板，包括上述复合基材。

17、本发明技术方案，具有如下优点：

18、本发明提供的复合基材及电路板，通过对基底层表面的粗糙度以及凸起数量的控制，提高了沉积到基底层表面的第一电阻层的均匀性，进而提高了方阻的均匀性。此外，由此制备的电阻运用到电路基板中，具有较好的粘结效果，提高了电子设备的结构稳定性。

技术特征：

1.一种复合基材，其特征在于，包括第一电阻层和基底层；所述第一电阻层层叠设置在所述基底层的至少一侧表面；所述基底层朝向所述第一电阻层的一侧表面具有若干凸起，所述基底层具有所述凸起的一侧表面的粗糙度ra为0.5µm~5µm，所述凸起的数量为

2.根据权利要求1所述的复合基材，其特征在于，所述基底层中所述凸起的顶部中心的轴线即为所述凸起的中心轴，相邻所述凸起的中心轴之间的水平间距为1μm~20μm。

3.根据权利要求2所述的复合基材，其特征在于，所述基底层表面的所述凸起的分布情况如下：相邻所述凸起的中心轴之间的间距为d，2μm≤d≤11μm的凸起的数量占比为大于或等于70%。

4.根据权利要求3所述的复合基材，其特征在于，所述基底层表面的所述凸起的分布情况如下：2μm≤d＜4μm的凸起的数量占比为10%~40%，4μm≤d＜6μm的凸起的数量占比为40%~70%，6μm≤d＜8μm的凸起的数量占比为10%~40%，8μm≤d＜11μm的凸起的数量占比为5%~20%，2μm≤d＜11μm的凸起的数量占比小于等于100%。

5.根据权利要求1所述的复合基材，其特征在于，所述第一电阻层的厚度为5nm~3μm。

6.根据权利要求1所述的复合基材，其特征在于，所述基底层的材料为导电材料或介质材料。

7.根据权利要求1所述的复合基材，其特征在于，所述复合基材包括位于所述第一电阻层远离所述基底层的一侧表面的膜层。

8.根据权利要求7所述的复合基材，其特征在于，所述膜层的厚度为0.5μm~100µm。

9.根据权利要求7所述的复合基材，其特征在于，所述膜层远离所述第一电阻层的一侧设置有导电层。

10.根据权利要求9所述的复合基材，其特征在于，所述导电层为单层导电层或多层导电层。

11.根据权利要求9所述的复合基材，其特征在于，所述膜层与所述导电层之间设有第二电阻层。

12.根据权利要求1所述的复合基材，其特征在于，采用电镀、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积中的一种或多种工艺形成所述第一电阻层。

13.一种电路板，其特征在于，包括权利要求1-12任一项所述的复合基材。

技术总结
本发明提供一种复合基材及电路板，复合基材包括第一电阻层和基底层；第一电阻层层叠设置在基底层的至少一侧表面；基底层朝向第一电阻层的一侧表面具有若干凸起，基底层具有凸起的一侧表面的粗糙度Ra为0.5µm~5µm，凸起的数量为0.1×10<supgt;3</supgt;个/mm~3×10<supgt;3</supgt;个/mm。上述限定提高了沉积到基底层表面的第一电阻层的均匀性，进而提高了第一电阻层的方阻均匀性，有利于制备具有较高精度的埋入式电阻，有利于电路板乃至电子元件的性能。

技术研发人员：苏陟
受保护的技术使用者：广州方邦电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12