形成半导体结构的方法和形成集成芯片的方法与流程

本发明的实施例涉及形成半导体结构的方法和形成集成芯片的方法。

背景技术：

1、许多现代电子器件使用在半导体器件制造工艺期间形成在半导体晶圆上的集成芯片。越来越多的半导体晶圆可以堆叠并接合在一起以形成多维集成芯片。与传统的二维集成芯片相比，多维集成芯片具有许多优势，诸如更高的器件密度、更快的速度和更低的功耗等。

技术实现思路

1、本发明的一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，该方法包括：将第一半导体晶圆接合到第二半导体晶圆，其中，接合界面设置在第一半导体晶圆和第二半导体晶圆之间，其中，第一半导体晶圆具有横向地围绕中心区域的外围区域；在第一半导体晶圆的第一外边缘和第二半导体晶圆的第二外边缘之间形成支撑结构，其中，支撑结构设置在外围区域内；以及对第二半导体晶圆执行减薄工艺。

2、本发明的另一些实施例提供了一种形成集成芯片的方法，该方法包括：在第一半导体晶圆的中心区域上方形成第一多个半导体器件；将第二半导体晶圆接合到第一半导体晶圆，其中，接合界面设置在第一半导体晶圆和第二半导体晶圆之间，其中，第一半导体晶圆具有第一圆形边缘并且第二半导体晶圆具有第二圆形边缘；在第一圆形边缘与第二圆形边缘之间形成支撑结构，其中，支撑结构为环状并且横向地包围中心区域；以及在形成支撑结构之后，减小第二半导体晶圆的厚度。

3、本发明的又一些实施例提供了一种形成集成芯片的方法，该方法包括：将第一半导体晶圆接合到第二半导体晶圆，其中，第一半导体晶圆包括第一圆形边缘，其中，第二半导体晶圆包括第二圆形边缘和位于第二圆形边缘之上的第三圆形边缘，其中，第一圆形边缘面向第二圆形边缘；在第一半导体晶圆和第二半导体晶圆之间形成支撑结构，其中，支撑结构从第一圆形边缘连续垂直地延伸到第二圆形边缘，其中，支撑结构的高度在远离第一半导体晶圆的中心的方向上从位于第一半导体晶圆和第二半导体晶圆之间的界面连续地增加；以及对第二半导体晶圆执行减薄工艺，其中，减薄工艺去除第二半导体晶圆的第三圆形边缘，并且其中，在减薄工艺之后，支撑结构的顶表面与第二半导体晶圆的顶表面共面。

4、本发明再一些实施例提供了增强堆叠半导体晶圆的支撑结构。

技术特征：

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑结构的下表面共形于所述第一外边缘的圆形形状，并且所述支撑结构的上表面共形于所述第二外边缘的圆形形状。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑结构被沉积为液体，并且在所述减薄工艺之前执行固化工艺以硬化所述支撑结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述固化工艺达到200至420摄氏度范围内的温度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述减薄工艺去除所述支撑结构的至少部分，其中，所述支撑结构的顶表面与所述第二半导体晶圆的顶表面共面。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述第一半导体晶圆接合到所述第二半导体晶圆之后，形成所述支撑结构，并且其中，所述支撑结构直接接触所述接合界面的至少部分。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其中，不对所述第二半导体晶圆和所述第三半导体晶圆执行修整工艺。

9.一种形成集成芯片的方法，包括：

10.一种形成集成芯片的方法，包括：

技术总结
本公开的各个实施例涉及形成半导体结构的方法。该方法包括将第一半导体晶圆接合到第二半导体晶圆。接合界面设置在第一半导体晶圆和第二半导体晶圆之间。第一半导体晶圆具有横向地围绕中心区域的外围区域。在第一半导体晶圆的第一外边缘和第二半导体晶圆的第二外边缘之间形成支撑结构。支撑结构设置在外围区域内。对第二半导体晶圆执行减薄工艺。本发明的实施例还提供了形成集成芯片的方法。

技术研发人员：吴国铭,萧豪毅,陈品孜,黄仲仁,陈昇照
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14