半导体器件的制作方法

本公开的示例实施例涉及一种半导体器件。

背景技术：

1、随着电子工业的发展，对半导体器件的特性的要求逐渐提高。例如，对半导体器件的高可靠性、高速和/或多功能的需求不断增加。为了满足这些要求的特性，半导体器件内部的结构逐渐变得复杂和高度集成。

技术实现思路

1、提供一种具有提高的产品可靠性的半导体器件。

2、附加方面部分地将在以下描述中阐述，且部分地将通过以下描述而变得清楚明白，或者可以通过实践所呈现的实施例来获知。

3、根据示例实施例的一个方面，一种半导体器件可以包括：衬底，包括第一侧和与第一侧相对的第二侧；第一电力轨和第二电力轨，设置在衬底的第一侧上，第一电力轨和第二电力轨沿第一方向延伸并且在第二方向上分离；第一有源区和第二有源区，设置在衬底的第一侧上，第一有源区和第二有源区由第一电力轨与第二电力轨之间的元件分离膜限定并且在第二方向上分离；电力输送网络，设置在衬底的第二侧上；第一电力通孔，穿透元件分离膜和衬底，第一电力通孔连接电力输送网络和第一电力轨；第二电力通孔，穿透元件分离膜和衬底，第二电力通孔连接电力输送网络和第二电力轨；第一阱接触部，连接第一有源区和第一电力轨；以及第二阱接触部，连接第二有源区和第二电力轨。第一电力轨可以包括沿第一方向延伸的第一延伸部分和宽度大于第一延伸部分的宽度的第一扩展部分。第二电力轨可以包括沿第一方向延伸的第二延伸部分和宽度大于第二延伸部分的宽度的第二扩展部分。第一电力通孔可以连接到第一扩展部分，并且第二电力通孔可以连接到第二扩展部分。

4、根据示例实施例的一个方面，一种半导体器件可以包括：衬底，包括第一侧和与第一侧相对的第二侧；第一电力轨和第二电力轨，设置在衬底的第一侧上，第一电力轨和第二电力轨沿第一方向延伸并且沿第二方向交替布置；多个阱分接单元，沿第二方向设置在衬底的第一侧上；以及电力输送网络，设置在衬底的第二侧上。多个阱分接单元中的每一个阱分接单元可以包括：穿透衬底的第一电力通孔，第一电力通孔连接电力输送网络和第一电力轨；穿透衬底的第二电力通孔，第二电力通孔连接电力输送网络和第二电力轨；第一阱接触部，连接第一有源区和第一电力轨；以及第二阱接触部，连接第二有源区和第二电力轨。第一电力通孔和第二电力通孔可以以如下方式配置：第一布置，其中第一电力通孔和第二电力通孔沿第一列设置；或第二布置，其中第一电力通孔沿第一列设置并且第二电力通孔沿第二列设置。第一阱接触部和第二阱接触部可以沿第一列与第二列之间的第三列设置。

5、根据示例实施例的一个方面，一种半导体器件可以包括：衬底，包括第一侧和与第一侧相对的第二侧；第一电力轨和第二电力轨，设置在衬底的第一侧上，第一电力轨和第二电力轨沿第一方向延伸并且沿第二方向交替布置；阱分接单元，在第一行、与第一行相邻的第二行、以及与第二行相邻的第三行中设置在衬底的第一侧上；以及电力输送网络，设置在衬底的第二侧上。第一行、第二行和第三行中的每一行可以由第一电力轨和第二电力轨限定。阱分接单元可以包括：第一电力通孔，穿透衬底并且从电力输送网络延伸到第一电力轨；第一阱接触部，连接第一电力轨和位于第一行、第二行和第三行中的每一行中的第一有源区；第二阱接触部，连接第二电力轨和位于第一行、第二行和第三行中的每一行中的第二有源区；以及第二电力通孔，穿透衬底并且从电力输送网络延伸到第二电力轨。

6、然而，本公开的方面不限于本文阐述的内容。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加清楚。

技术特征：

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一扩展部分设置在所述第一有源区的第一侧上，以及

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一阱接触部和所述第二阱接触部设置在所述第一扩展部分与所述第二扩展部分之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一扩展部分朝向所述第二延伸部分突出，以及

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一扩展部分沿所述第二方向从所述第一延伸部分的两个侧壁突出，以及

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二扩展部分沿所述第二方向朝向所述第一延伸部分突出，以及

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二扩展部分沿所述第二方向突出，

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一扩展部分的至少一部分在所述第二方向上与所述第二扩展部分重叠。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一扩展部分和所述第二扩展部分设置在所述第一阱接触部与所述第二阱接触部之间。

10.一种半导体器件，包括：

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述多个阱分接单元包括在所述第二方向上彼此分离的第一阱分接单元和第二阱分接单元，

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述多个阱分接单元中的每一个阱分接单元还包括：

13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述多个阱分接单元包括第一阱分接单元以及在所述第二方向上与所述第一阱分接单元相邻的第二阱分接单元，

14.一种半导体器件，包括：

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述第一电力轨包括：

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一扩展部分从所述第一延伸部分的两个侧壁突出，以及

17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一扩展部分从所述第一延伸部分的第一侧壁突出，

18.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述第一电力通孔设置在第一列中，

19.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述第一电力通孔和所述第二电力通孔均设置在第一列和第二列中，以及

20.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述第一电力通孔和所述第二电力通孔设置在第一列中，以及

技术总结
一种半导体器件包括：衬底，包括第一侧和与第一侧相对的第二侧；第一电力轨和第二电力轨，设置在衬底的第一侧上，第一电力轨和第二电力轨沿第一方向延伸并且在第二方向上分离；第一有源区和第二有源区，设置在衬底的第一侧上，第一有源区和第二有源区由第一电力轨与第二电力轨之间的元件分离膜限定并且在第二方向上分离；电力输送网络，设置在衬底的第二侧上；以及第一电力通孔，穿透元件分离膜和衬底，第一电力通孔连接电力输送网络和第一电力轨。

技术研发人员：姜秉柱,千宽永,权智旭,朴哲弘,阿兹马特·拉海尔,崔守亨
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16