用于形成半导体器件的方法和半导体器件与流程

概括地说，本公开内容涉及半导体技术，具体地，涉及用于形成半导体器件的方法和半导体器件。

背景技术：

1、在目前的半导体技术中，半导体器件可能通常集成有多种不同要求的结构。然而，随着市场需求、工艺技术的发展等，半导体器件的设计尺寸已经越来越小，这对于半导体器件的制造带来了一定挑战。

技术实现思路

1、考虑到现有技术的上述问题，本公开内容的实施例提供了用于形成半导体器件的方法和半导体器件。

2、一方面，本公开内容的实施例提供了一种用于形成半导体器件的方法，包括：提供一半导体结构，其中，所述半导体结构包括第一组栅极结构和第二组栅极结构，所述第一组栅极结构中的各个栅极结构之间的距离大于所述第二组栅极结构中的各个栅极结构之间的距离；在所述第一组栅极结构的侧面和所述第二组栅极结构的侧面形成第一材料层；形成覆盖所述第一组栅极结构的上方以及覆盖位于所述第一组栅极结构的侧面的所述第一材料层的第二材料层；采用各向同性蚀刻法，去除位于所述第二组栅极结构的侧面的所述第一材料层；在所述第一组栅极结构的侧面和所述第二组栅极结构的侧面形成第三材料层。

3、另一方面，本公开内容的实施例提供了一种半导体器件，包括：半导体结构，其包括第一组栅极结构和第二组栅极结构，所述第一组栅极结构中的各个栅极结构之间的距离大于所述第二组栅极结构中的各个栅极结构之间的距离；位于所述第一组栅极结构中的每个栅极结构的侧面的第一间隔壁，其中，所述第一间隔壁至少包括第一材料层和第三材料层；位于所述第二组栅极结构中的每个栅极结构的侧面的第二间隔壁，其中，所述第二间隔壁包括所述第三材料层。

4、在本公开内容的实施例中，在第一组栅极结构的侧面和第二组栅极结构的侧面形成第一材料层之后，可以形成覆盖第一组栅极结构的上方以及覆盖位于第一组栅极结构的侧面的第一材料层的第二材料层。之后，可以采用各向同性蚀刻法对第一材料层进行蚀刻。由于各向同性蚀刻法在各个方向上均等地进行蚀刻，因此能够有效地去除位于第二组栅极结构的侧面的第一材料层，即使在第二组栅极结构之间的空隙之间填充有较多的第一材料层或者甚至填满第一材料层的情况下。另外，由于第二材料层对第一组栅极结构的覆盖，使得这样的各向同性蚀刻法并不影响位于第一组栅极结构的侧面的第一材料层。然后，可以继续在第一组栅极结构的侧面和第二组栅极结构的侧面形成第三材料层，从而能够在第一组栅极结构的侧面和第二组栅极结构的侧面形成期望的间隔壁。

技术特征：

1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体结构包括高压器件区和低压器件区，所述第一组栅极结构位于所述高压器件区，所述第二组栅极结构位于所述低压器件区。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述各向同性蚀刻法包括湿法蚀刻。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成覆盖所述第一组栅极结构的上方以及覆盖位于所述第一组栅极结构的侧面的所述第一材料层的第二材料层，包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二材料层是氧化物层；

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第三材料层包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成覆盖位于所述第一组栅极结构的侧面的所述第二材料层以及覆盖所述第二组栅极结构的侧面的所述第三材料层，包括：

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二组栅极结构中的每个栅极结构包括相应栅极和位于该相应栅极的上方和侧面的第四材料层，所述第二材料层和所述第四材料层具有相同的材料；

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一材料层是氮化物层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三材料层是氮化物层。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体结构还包括半导体层和位于所述半导体层之上的绝缘层，

13.一种半导体器件，包括：

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述半导体结构还包括半导体层和位于所述半导体层之上的绝缘层，

15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述半导体结构包括高压器件区和低压器件区，所述第一组栅极结构位于所述高压器件区，所述第二组栅极结构位于所述低压器件区。

16.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述第一间隔壁包括所述第一材料层和所述第三材料层，其中，所述第一材料层覆盖所述第一组栅极结构的侧壁，所述第三材料层覆盖所述第一材料层。

17.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述第一间隔壁包括所述第一材料层、第二材料层和所述第三材料层，其中，所述第一材料层覆盖所述第一组栅极结构的侧壁，所述第二材料层覆盖所述第一材料层，所述第三材料层覆盖所述第二材料。

18.根据权利要求17所述的半导体器件，其中，所述第二材料层是氧化物层。

19.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述第一材料层和所述第三材料层是氮化物层。

技术总结
本公开内容的实施例提供了用于形成半导体器件的方法和半导体器件。该方法包括：提供一半导体结构，其中，半导体结构包括第一组栅极结构和第二组栅极结构，第一组栅极结构中的各个栅极结构之间的距离大于第二组栅极结构中的各个栅极结构之间的距离；在第一组栅极结构的侧面和第二组栅极结构的侧面形成第一材料层；形成覆盖第一组栅极结构的上方以及覆盖位于第一组栅极结构的侧面的第一材料层的第二材料层；采用各向同性蚀刻法，去除位于第二组栅极结构的侧面的第一材料层；在第一组栅极结构的侧面和第二组栅极结构的侧面形成第三材料层。

技术研发人员：张磊
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/10/31