发光二极管的制作方法

本申请涉及半导体，具体为一种发光二极管。

背景技术：

1、商业化的发光二极管(led)封装，一开始多采用金线将发光二极管的pn结与支架正负极连接的正装封装结构。然而，正装结构存在着光衰较大、光淬灭和散热等失效问题，制约其发展。为此，业内研究者们相继开发了垂直结构的半导体发光二极管和倒装的半导体发光二极管。

2、相较于正装发光二极管，垂直发光二极管结构能够提高散热效率。垂直发光二极管，两个电极分别在发光二极管外延层的两侧，通过电极，使得电流几乎全部垂直流过发光二极管外延层，横向流动的电流极少，可以避免局部高温。

3、相较于正装发光二极管，倒装发光二极管结构可以集成化和批量化生产，制备工艺简单，性能优良。倒装结构采用将发光二极管的pn结直接与基板上的正负极共晶键合，不使用金线，最大限度避免光淬灭问题。共晶键合结构对散热问题有了很大的改善。

4、但是，随着垂直发光二极管或者倒装发光二极管的亮度要求越来越高，其中，有一大部分发光二极管以反射率最高的金属ag作为主要反射镜材料以实现可见光波段的反射，对于450nm的波长金属ag的反射率达到95%左右。虽然金属ag是蓝光波段反射率最高的金属材料，但相对于100%的反射率仍有较大的差距；因此，如何进一步提升发光二极管亮度成为研究重点。

技术实现思路

1、本发明提供一种发光二极管，包括:半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层；透明导电层，其位于所述第二半导体层上；绝缘反射层，其位于所述透明导电层上，所述绝缘反射层包括多个第一开口部；第一绝缘层，其覆盖所述绝缘反射层，所述第一绝缘层包括多个第二开口部以露出所述透明导电层的部分表面；以及金属层，其位于所述第一绝缘层上并且通过所述第二开口部电连接至第一半导体层；第一焊盘电极，位于所述第二半导体层之上，与第一半导体层电连接；第二焊盘电极，位于所述第二半导体层之上，与第二半导体层电连接。

技术特征：

1.一种发光二极管，包括:

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一层具有包括多个第一开口部以露出所述透明导电层的部分表面，所述第二层包括多个第二开口部以露出所述透明导电层的部分表面，所述金属层通过所述第二开口部与所述第一开口部与透明导电层接触，所述第一开口部的投影与所述第二开口部的投影具有重叠面积。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一层还包括覆盖于所述半导体叠层侧壁上的部分。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘层的厚度具有厚度不变的第一区域和厚度变化的第二区域。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，第一区域的厚度大于第二区域的厚度。

6.一种发光二极管，包括:

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第一材料层的折射率小于所述第二材料层的折射率。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘反射层包括n对介质材料层，所述n介于3~10。

9.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘反射层还包括覆盖于所述半导体叠层侧壁上的部分。

10.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第一开口部的直径大于所述第二开口部的直径。

技术总结
本申请提供一种发光二极管，包括：半导体叠层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层；透明导电层，其位于所述第二半导体层上；绝缘反射层，其位于所述透明导电层上，所述绝缘反射层包括多个第一开口部；第一绝缘层，其覆盖所述绝缘反射层，所述第一绝缘层包括多个第二开口部以露出所述透明导电层的部分表面；以及金属层，其位于所述第一绝缘层上并且通过所述第二开口部电连接至第一半导体层；第一焊盘电极，位于所述第二半导体层之上，与第一半导体层电连接；第二焊盘电极，位于所述第二半导体层之上，与第二半导体层电连接。

技术研发人员：朱秀山,李燕,刘兆锦
受保护的技术使用者：厦门三安光电有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14