同种焊料的焊接方法与流程

文档序号:34822626发布日期:2023-07-20 02:52阅读:45来源:国知局
同种焊料的焊接方法与流程

本发明涉及一种焊接方法,具体地说,尤其涉及一种同种焊料的焊接方法。


背景技术:

1、封装是半导体芯片生产完成后不可缺少的一道工序,是器件到系统的桥梁。封装这一生产环节对半导体产品的质量和竞争力都有极大的影响。封装技术作为半导体产业的重要基础,在在产品中发挥着很大的作用,决定产品性能、可靠性、寿命、成本等。

2、封装技术第一层次为芯片层次的封装,是指把芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺,使之成为易于取放输送,并可与下一层次的组装进行连接的模块元件。第二层次将数个第一层次完成的封装与其他元器件组成一个组件的工艺。第三层次,将数个第二层次完成的封装组成的组件组合成成为一个部件或子系统的工艺。第四层次,将数个子系统组装成为一个完整产品的工艺过程。按着正常逻辑,封装所用焊料熔点要逐层降低,才能保证下一层焊接,不会导致上一层的熔化。但是,有时由于使用焊料的限制,或者制备工艺的限制等,导致相邻两层之间只能使用同一种焊料,这样就给焊接工艺引入了难题。

3、目前正缺少一种相邻两层焊接使用同一种焊料且不会脱焊的焊接方法。


技术实现思路

1、本发明的目的,在于提供一种同种焊料的焊接方法,以解决半导体梯度焊接中,多层需要同种预制焊料,二次焊接会导致一次焊接二次熔化的问题。

2、本发明是通过以下技术方案实现的:

3、一种同种焊料的焊接方法,包括以下步骤:

4、步骤1:对基板ⅰ进行预处理,去除基板ⅰ的杂质,并在基板ⅰ上涂抹焊料;

5、步骤2:利用低热导率的吸嘴ⅰ吸取芯片,并将芯片焊接到步骤1中的基板ⅰ上,完成一次焊接;

6、步骤3:对基板ⅱ进行预处理,去除基板ⅱ的杂质,并在基板ⅱ上涂抹焊料;

7、步骤4:利用高热导率的吸嘴ⅱ吸取一次焊接完成的焊接组件,并将焊接组件焊接到步骤3的基板ⅱ上,完成二次焊接。

8、进一步地,所述的步骤2中的吸嘴ⅰ采用的材料为电木。

9、进一步地,所述的步骤2的焊接过程中焊接温度曲线的最高点与焊料熔点相等,焊接时间为3-4s。

10、进一步地,所述的步骤4中的吸嘴ⅱ采用的材料为不锈钢。

11、进一步地,所述的步骤4中的焊接过程中焊接温度与焊料熔点相等,焊接时间为4-5s。

12、与现有技术相比,本发明的有益效果是:

13、本发明方法采用通过采用不同热导率的吸嘴,来进行一次焊接和二次焊接,利用此方法,可以避免二次焊接时,一次焊接出现脱焊的状况。



技术特征:

1.一种同种焊料的焊接方法,其特征在于:包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的同种焊料的焊接方法,其特征在于:所述的步骤2中的吸嘴ⅰ采用的材料为电木。

3.根据权利要求1所述的同种焊料的焊接方法,其特征在于:所述的步骤2的焊接过程中焊接温度曲线的最高点与焊料熔点相等,焊接时间为3-4s。

4.根据权利要求1所述的同种焊料的焊接方法,其特征在于:所述的步骤4中的吸嘴ⅱ采用的材料为不锈钢。

5.根据权利要求1所述的同种焊料的焊接方法,其特征在于:所述的步骤4中的焊接过程中焊接温度与焊料熔点相等,焊接时间为4-5s。


技术总结
本发明公开了一种同种焊料的焊接方法,它属于焊料焊接技术领域,其解决了解决半导体梯度焊接中,多层需要同种预制焊料,二次焊接会导致一次焊接二次熔化的问题。它主要包括步骤1:对基板Ⅰ进行预处理,去除基板Ⅰ的杂质,并在基板Ⅰ上涂抹焊料;步骤2:利用低热导率的吸嘴Ⅰ吸取芯片,并将芯片焊接到带有预制的基板Ⅰ上,完成一次焊接;步骤3:对基板Ⅱ进行预处理,去除基板Ⅱ的杂质,并在基板Ⅱ上涂抹焊料;步骤4:利用高热导率的吸嘴Ⅱ吸取一次焊接完成的焊接组件,并将焊接组件焊接到带有预制的基板Ⅱ上,完成二次焊接。本发明主要用于半导体梯度焊接中,可防止一次焊接脱焊。

技术研发人员:井红旗,宝浩天,王静,陈丹丹
受保护的技术使用者:山东中科际联光电集成技术研究院有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/13
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