一种光电传感器阵列的制备方法与流程

本发明涉及半导体器件，特别涉及一种光电传感器阵列的制备方法。

背景技术：

1、目前成像探测需要使用到光电传感器阵列，常规的阵列方案如下：一、封装成品单管进行拼接，缺点是其操作复杂，且占用空间大，封装成本高；二、单独设计光电传感器阵列，但是需要引入防串扰工艺，其占用空间虽小但是制备工艺复杂且成本高昂。

2、因此亟需一种光电传感器阵列的制备方法，以解决目前存在的上述问题。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种光电传感器阵列的制备方法，以解决背景技术中存在的问题，制备出占用空间小、成本低且具有防串扰能力的光电传感器阵列。

2、为解决上述技术问题，本发明提供了一种光电传感器阵列的制备方法，包括：

3、通过划片机将阵列内部中单个圆片的划片道上割开特定的深度，但是不切透整个圆片；根据需求的阵列大矩形，将外围一圈切透，从而直接形成一个由多个同样的圆片以规则矩形拼成的光电传感器阵列。

4、在一种实施方式中，圆片防串扰需求割开的深度为h1um，含划片道的圆片尺寸为amm*bmm，需求x颗芯片以a*b的形式拼成一个光电传感器阵列，其中a*b＝x，

5、所述制备方法包括：

6、(1)使用膜厚仪对圆片的上中下左右五点厚度进行测量，取均值作为划片机切割圆片时的晶片厚度参数，测量值为h2um；

7、(2)使用膜厚仪对蓝膜的上中下左右该五点厚度进行测量，取均值作为划片机切割圆片时的膠片厚度参数，测量值为h3um；

8、(3)划片机切割模式选择-as多重尺寸切割；

9、(4)圆片放置台盘方向：阵列内芯片a横b竖时：

10、第一面划片时，

11、第一步：刀片高度范围在h3-20—h3-5之间；进刀速度范围在10-60mm/s；y轴移动量为a；切1刀，达到切透圆片的效果；

12、第二步：刀片高度范围在(h3+1/2*h2)—(h3+h2-h1)之间；进刀速度范围在10-60mm/s；y轴移动量为a；根据需求切a-1刀，达到将阵列内部小芯片切割特定深度的效果；

13、第一步、第二步循环切割，直至将圆片第一面切割完成；

14、第二面划片时

15、第一步：刀片高度范围在h3-20—h3-5之间；进刀速度范围在10-60mm/s；y轴移动量为b；切1刀，达到切透圆片的效果；

16、第二步：刀片高度范围在(h3+1/2*h2)—(h3+h2-h1)之间；进刀速度范围在10-60mm/s；y轴移动量为b；根据需求切b-1刀，达到将阵列内部小芯片切割特定深度的效果；

17、第一步、第二步循环切割，直至将圆片第二面面切割完成；

18、第一面、第二面完成划片后，即制成一种光电传感器阵列芯片；

19、若芯片放置台盘方向：阵列内b横a竖时，则第一面和第二面参数对调。

20、在一种实施方式中，测量值h2的范围为150um-800um；测量值h3的范围为50-100um。

21、在一种实施方式中，所述第一面划片和所述第二面划片中，第一步和第二步的进刀速度为40-50mm/s。

22、在本发明提供的一种光电传感器阵列的制备方法中，通过划片机将阵列内部中单个圆片的划片道上割开特定的深度，但是不切透整个圆片；根据需求的阵列大矩形，将外围一圈切透，从而直接形成一个由多个同样的圆片以规则矩形拼成的光电传感器阵列。本发明使用划片工艺能够制备出占用空间小、成本低且具有防串扰能力的光电传感器阵列。

技术特征：

1.一种光电传感器阵列的制备方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的光电传感器阵列的制备方法，其特征在于，圆片防串扰需求割开的深度为h1 um，含划片道的圆片尺寸为a mm*b mm，需求x颗芯片以a*b的形式拼成一个光电传感器阵列，其中a*b＝x，

3.如权利要求2所述的光电传感器阵列的制备方法，其特征在于，测量值h2的范围为150um-800um；测量值h3的范围为50-100um。

4.如权利要求2所述的光电传感器阵列的制备方法，其特征在于，所述第一面划片和所述第二面划片中，第一步和第二步的进刀速度为40-50mm/s。

技术总结
本发明公开一种光电传感器阵列的制备方法，属于半导体器件领域。通过划片机将阵列内部中单个圆片的划片道上割开特定的深度，但是不切透整个圆片；根据需求的阵列大矩形，将外围一圈切透，从而直接形成一个由多个同样的圆片以规则矩形拼成的光电传感器阵列。本发明使用划片工艺能够制备出占用空间小、成本低且具有防串扰能力的光电传感器阵列。

技术研发人员：陈少康,陈全胜,吴建伟,孙建洁,王涛,张可可,彭时秋
受保护的技术使用者：无锡中微晶园电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14