电介质组合物及电子部件的制作方法

本发明涉及电介质组合物以及具备由该电介质组合物构成的电介质层的电子部件。

背景技术：

1、在组装于电子设备的电子电路或电源电路中，搭载有多个利用电介质表现的介电特性的层叠陶瓷电容器那样的电子部件。作为构成这样的电子部件的电介质的材料(电介质材料)，广泛使用了钛酸钡类的电介质组合物。

2、在日本特开平3-274607号公报中，作为钛酸钡类电介质组合物以外的电介质组合物，公开了具有钨青铜结构的电介质组合物，要求具备具有更高的相对介电常数的钨青铜结构的电介质组合物。

技术实现思路

1、[发明想要解决的技术问题]

2、本发明是鉴于这样的实际情况而完成的，其目的在于提供一种具有高的相对介电常数的电介质组合物、和具备由该电介质组合物构成的电介质层的电子部件。

3、[用于解决技术问题的手段]

4、为了实现上述目的，本发明的第一观点所涉及的电介质组合物包含：主相，其具有钨青铜结构；以及晶界，其存在于所述主相之间，将选自la、ce、pr、nd、sm、eu、gd、tb及dy中的至少1种以上的稀土类元素作为re时，所述主相的中心部的所述re的浓度相对于所述主相的周缘部的所述re的浓度之比为0.2以下。

5、另外，本发明的第二观点所涉及的电介质组合物包含：主相，其具有钨青铜结构；以及晶界，其存在于所述主相之间，将选自la、ce、pr、nd、sm、eu、gd、tb及dy中的至少1种以上的稀土类元素作为re时，所述主相的中心部的所述re的浓度相对于所述晶界的所述re的浓度之比为0.18以下。

6、根据本发明的第一观点和第二观点所涉及的电介质组合物，能够显示高的相对介电常数。

7、另外，根据本发明的第一观点和第二观点所涉及的电介质组合物，也能够显示出高的强度。

8、上述主相的平均粒径优选为1.5μm以下。

9、由此，能够显示更高的相对介电常数，并且能够显示更高的强度。

10、也可以是，上述主相的组成由通式aabbd4o15+α表示，所述a至少包含ba和所述re，所述b至少包含zr，所述d至少包含nb，所述a为3.05以上，所述b为1.01以上的电介质组合物。

11、由此，本发明所涉及的电介质组合物可以显示更高的电阻率。

12、将上述电介质组合物中的上述d的含量设为4摩尔份时，所述介电组合物中所述re的含量优选为0.05～0.4摩尔份。

13、由此，本发明所涉及的电介质组合物可以显示更高的相对介电常数。另外，在包含于上述范围的情况下，与低于上述范围的情况相比，能够显示更高的强度。

14、上述电介质组合物优选还包含具有ba和nb的偏析相。

15、由此，本发明所涉及的电介质组合物能够显示更高的相对介电常数。

16、本发明的电子部件具备由上述电介质组合物构成的电介质层。

技术特征：

1.一种电介质组合物，其中，

2.一种电介质组合物，其中，

3.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，

4.根据权利要求2所述的电介质组合物，其中，

5.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，

6.根据权利要求2所述的电介质组合物，其中，

7.根据权利要求5所述的电介质组合物，其中，

8.根据权利要求6所述的电介质组合物，其中，

9.根据权利要求1所述的电介质组合物，其中，

10.根据权利要求2所述的电介质组合物，其中，

11.一种电子部件，其中，

技术总结
一种电介质组合物，其中，包含：主相，其具有钨青铜结构；以及晶界，其存在于主相之间，在将选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy中的至少1种以上的稀土元素设为RE时，主相的中心部的RE的浓度相对于主相的周缘部的RE的浓度之比为0.2以下。

技术研发人员：井口俊宏,增田健一郎
受保护的技术使用者：TDK株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15