本公开涉及图像传感器。
背景技术:
1、图像传感器是将光信息转换成电信号的半导体元件。图像传感器可以包括基于电荷耦合器件(ccd)的图像传感器和基于互补金属氧化物半导体(cmos)的图像传感器。
2、图像传感器可以设置在具有保护图像传感器的结构的封装件中,并且同时,使得光入射在图像传感器的光接收表面或感测区域上。
技术实现思路
1、根据本公开的一个方面,提供了一种图像传感器,其中导电图案被以倾斜方式蚀刻以改进沉积在所述导电图案上的材料的台阶覆盖。
2、根据本发明构思的一些方面,提供了一种图像传感器,所述图像传感器包括:衬底,所述衬底具有设置在其中的光电转换元件;钝化层,所述钝化层设置在所述衬底上并且在第一方向上延伸;导电图案,所述导电图案设置在所述钝化层上;以及粘合层,所述粘合层沉积在所述钝化层和所述导电图案上,其中,所述导电图案包括:第一平坦区域,所述第一平坦区域设置在所述钝化层上并且在所述第一方向上延伸;以及倾斜区域,所述倾斜区域连接到所述第一平坦区域,其中,所述倾斜区域的第一顶面从所述第一平坦区域的第二顶面弯曲,其中,所述第一顶面相对于所述第二顶面具有恒定斜度。
3、根据本发明构思的一些方面,提供了一种图像传感器,所述图像传感器包括:衬底,所述衬底具有设置在其中的光电转换元件;钝化层,所述钝化层设置在所述衬底上并且在第一方向上延伸;导电图案,所述导电图案形成在所述钝化层上;以及粘合层,所述粘合层沿着所述导电图案形成并且形成在所述钝化层上,其中,所述导电图案包括:第一平坦区域,所述第一平坦区域从所述钝化层在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸并且延伸以便具有第一恒定厚度;以及倾斜区域,其中,所述倾斜区域中的所述导电图案在所述第二方向上自所述钝化层起的厚度随着所述倾斜区域中的所述导电图案在所述第一方向上远离所述第一平坦区域延伸而从所述第一厚度减小。
4、根据本发明构思的一些方面,提供了一种图像传感器,所述图像传感器包括:衬底;钝化层,所述钝化层设置在所述衬底上并且在第一方向上延伸;沟槽,所述沟槽延伸穿过所述钝化层并且延伸穿过所述衬底的部分;导电图案,所述导电图案沿着所述沟槽的轮廓延伸并且形成在所述钝化层上;焊盘,所述焊盘设置在所述沟槽中并且设置在所述导电图案上;以及粘合层,所述粘合层形成在所述导电图案和所述钝化层上,其中,所述导电图案包括:第一平坦区域,所述第一平坦区域设置在所述钝化层上并且在所述第一方向上延伸;以及倾斜区域,所述倾斜区域连接到所述第一平坦区域,其中,所述倾斜区域中的所述导电图案的顶面以相对于所述钝化层的顶面的第一角度的第一斜度倾斜,其中,所述第一角度大于0度且小于90度,其中,所述倾斜区域中的所述导电图案的顶面是平坦的。
5、然而,本公开不限于此,因此,未被提及的其他目的和优点可以基于以下描述被理解,并且可以基于根据本公开的实施例被更清楚地理解。
6、其他实施例的特定细节被包括在具体描述和附图中。
1.一种图像传感器,所述图像传感器包括:
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一顶面具有相对于与所述第一方向垂直的第二方向的第一角度的斜度,
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述粘合层包括:
4.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述第三顶面具有相对于与所述第一方向垂直的第二方向的第二角度的斜度,
5.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述第一顶面具有相对于与所述第一方向垂直的第二方向的第一角度的斜度,
6.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述粘合层还包括第三部分,所述第三部分连接到所述第二部分并且直接接触所述钝化层的顶面,
7.根据权利要求3所述的图像传感器,其中,所述第一部分的基于所述第二顶面的第一厚度等于所述第二部分的基于所述第一顶面的第二厚度。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一顶面与所述钝化层的顶面相交。
9.一种图像传感器,所述图像传感器包括:
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述导电图案的所述倾斜区域包括:
11.根据权利要求10所述的图像传感器,其中,所述第一顶面具有相对于所述第二方向的第一角度的斜度,
12.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述倾斜区域的第三顶面相对于所述钝化层的所述顶面具有大于0度且小于90度的斜度,并且与所述钝化层的所述顶面相交。
13.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述粘合层包括:
14.根据权利要求13所述的图像传感器,其中,所述弯曲部分的顶面是平坦的。
15.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述倾斜区域的顶面是平坦的。
16.根据权利要求9所述的图像传感器,所述图像传感器还包括:
17.一种图像传感器,所述图像传感器包括:
18.根据权利要求17所述的图像传感器,其中,所述粘合层与所述焊盘不交叠。
19.根据权利要求17所述的图像传感器,其中,所述粘合层包括:
20.根据权利要求19所述的图像传感器,其中,包括所述倾斜区域的所述导电图案的端部被所述粘合层的所述弯曲部分和所述第一延伸部分围绕。