等离子体处理方法以及等离子体处理系统与流程

本公开的示例性实施方式涉及等离子体处理方法以及等离子体处理系统。

背景技术：

1、专利文献1公开有通过使用包含ch3f或者bcl3的处理气体对非有机抗蚀剂进行修整(trimming)，均匀化形成在该抗蚀剂上的图案的尺寸的技术。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:美国专利第9899219号说明书

技术实现思路

1、本公开提供适当地蚀刻包含含金属膜的基板的技术。

2、在本公开的一个示例性实施方式中，提供在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。所述等离子体处理方法包含：(a)在腔室内的基板支持部上准备基板的工序，所述基板具有包含第一含硅膜的蚀刻对象膜和所述蚀刻对象膜上的第一含金属膜，所述第一含金属膜包含开口图案；以及(b)蚀刻所述蚀刻对象膜的工序。所述(b)包含向所述腔室内供给包含含碳、氢以及氟的一种以上的气体的处理气体，在所述腔室内由所述处理气体生成等离子体，蚀刻所述第一含硅膜而在所述第一含硅膜上形成所述开口图案的工序，所述处理气体所包含的氢原子的数量与氟原子的数量的比例为0.3以上。

3、发明效果

4、根据本公开的示例性实施方式，能够提供适当地蚀刻包含含金属膜的基板的技术。

技术特征：

1.一种等离子体处理方法，在等离子体处理装置中执行，

2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

5.根据权利要求4所述的等离子体处理方法，其中，

6.根据权利要求5所述的等离子体处理方法，其中，

7.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

8.根据权利要求7所述的等离子体处理方法，其中，

9.根据权利要求7所述的等离子体处理方法，其中，

10.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

11.根据权利要求4所述的等离子体处理方法，其中，

12.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

13.根据权利要求4所述的等离子体处理方法，其中，

14.根据权利要求4所述的等离子体处理方法，其中，

15.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

16.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

17.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

18.根据权利要求17所述的等离子体处理方法，其中，

19.根据权利要求17所述的等离子体处理方法，其中，

20.根据权利要求17～19中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

21.根据权利要求17～19中任一项所述的等离子体处理方法，其中，

22.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，其中，

23.根据权利要求4所述的等离子体处理方法，其中，

24.一种等离子体处理系统，具备：

技术总结
提供适当地蚀刻包含含金属膜的基板的技术。本公开涉及的等离子体处理方法为在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法，所述等离子体处理方法包含(a)在腔室内的基板支持部上准备基板的工序，所述基板具有包含第一含硅膜的蚀刻对象膜和所述蚀刻对象膜上的第一含金属膜，所述第一含金属膜包含开口图案；以及(b)蚀刻所述蚀刻对象膜的工序。所述(b)包含向所述腔室内供给包含含碳、氢以及氟的一种以上的气体的处理气体，在所述腔室内由所述处理气体生成等离子体，蚀刻所述第一含硅膜而在所述第一含硅膜上形成所述开口图案的工序，所述处理气体所包含的氢原子的数量与氟原子的数量的比例为0.3以上。还提供一种等离子体处理系统。

技术研发人员：米泽隆宏,泷野裕辅,小野健太,西塚哲也
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16