本发明涉及mini-led,尤其涉及mini-led基板金属层及其制备方法。
背景技术:
1、mini-led是指50-300μm大小的led芯片,芯片间距在0.1-1mm之间,采用smd、cob或imd等封装形式的微型led器件模块,mini-led通过对背光分区的数量进行了划分,把传统的统一亮度背光变成了可以分区调节亮度的点阵式背光,采用更小的背光区块可以使得画面更加精致,以此更好更快地调节像素的明暗,因此就能在显示方面轻松做到亮得更亮,暗得更暗,同时还能够呈现更鲜艳的色彩和更好的对比度,色彩更加分明,能给用户带来更好的观感体验。
2、mini-led具体包括有背光基板,通常需要在背光基板上进行金属线路层的制作,以实现电路信号等的电连接。传统的mini-led背光基板线路的制作工艺,通常包括镀膜或者涂布、光刻或者蚀刻、显影、清洗、烘烤的方案,即在传统的制造工艺中涉及黄光制程,涉及的制造设备众多,因此需要高昂的设备购置费用,综合生产成本较高。
3、因此,如何优化现有的mini-led背光基板线路的制作工艺,已经成为行业内亟需解决的一个课题。
技术实现思路
1、本发明旨在解决至少一个背景技术中的问题。为此,本发明提出一种mini-led基板金属层及其制备方法,该制备方法工艺简单,生产涉及设备少,能够很好地提升生产效率,降低生产成本。
2、根据本发明第一方面实施例的一种一种mini-led基板金属层的制备方法,所述制备方法包括:
3、提供至少一个基板,在每个所述基板上丝印形成第一线路层;
4、基于所述第一线路层,在每个所述第一线路层上丝印形成第一绝缘层;
5、基于所述第一绝缘层,在每个所述第一绝缘层上丝印形成第二线路层;
6、基于所述第二线路层,在每个所述第二线路层上丝印形成第二绝缘层。
7、根据本发明的另一个实施例,所述提供至少一个基板,在每个所述基板上丝印形成第一线路层,包括:
8、提供一个或一个以上的基板;
9、在每个所述基板上丝印出第一线路层;
10、将所述第一线路层进行预烘处理;
11、基于所述预烘后的第一线路层进行烧结处理。
12、根据本发明的另一个实施例,在基于所述预烘后的第一线路层进行烧结处理之后,所述制备方法还包括:
13、对所述第一线路层进行厚度、外观、均一性、线宽、线间距或者图形涨缩检测。
14、根据本发明的另一个实施例,所述基于所述第一线路层,在每个所述第一线路层上丝印形成第一绝缘层,包括:
15、在每个所述第一线路层上丝印出第一绝缘层;
16、将所述第一绝缘层进行烘烤处理。
17、根据本发明的另一个实施例,在将所述第一绝缘层进行烘烤处理之后,所述制备方法还包括:
18、对所述第一绝缘层进行厚度、外观、均一性、线宽、线间距或者图形涨缩检测。
19、根据本发明的另一个实施例,所述基于所述第一绝缘层,在每个所述第一绝缘层上丝印形成第二线路层,包括:
20、在每个所述第一绝缘层上丝印出第二线路层;
21、将所述第二线路层进行预烘处理;
22、基于所述预烘后的第二线路层进行烧结处理。
23、根据本发明的另一个实施例,在基于所述预烘后的第二线路层进行烧结处理之后,所述制备方法还包括:
24、对所述第二线路层进行厚度、外观、均一性、线宽、线间距或者图形涨缩检测。
25、根据本发明的另一个实施例,所述基于所述第二线路层,在每个所述第二线路层上丝印形成第二绝缘层,包括:
26、在每个所述第二线路层上丝印出第二绝缘层;
27、将所述第二绝缘层进行烘烤处理。
28、根据本发明的另一个实施例,在将所述第二绝缘层进行烘烤处理之后,所述制备方法还包括:
29、对所述第二绝缘层进行厚度、外观、均一性、线宽、线间距或者图形涨缩检测。
30、根据本发明第二方面实施例的一种mini-led基板金属层,所述mini-led基板金属层基于上述任一项所述的制备方法制备。
31、与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
32、本发明提供的一种mini-led基板金属层的制备方法包括:提供至少一个基板,在每个所述基板上丝印形成第一线路层;基于所述第一线路层,在每个所述第一线路层上丝印形成第一绝缘层;基于所述第一绝缘层,在每个所述第一绝缘层上丝印形成第二线路层;基于所述第二线路层,在每个所述第二线路层上丝印形成第二绝缘层。该制备方法通过直接在基板上依次丝印形成线路层和绝缘层,相比较传统的工艺而言,极大程度的简化了工艺流程,且降低了制备成本。
33、本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
1.一种mini-led基板金属层的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
2.如权利要求1所述的mini-led基板金属层的制备方法,其特征在于,所述提供至少一个基板,在每个所述基板上丝印形成第一线路层,包括:
3.如权利要求2所述的mini-led基板金属层的制备方法,其特征在于,在基于所述预烘后的第一线路层进行烧结处理之后,所述制备方法还包括:
4.如权利要求1所述的mini-led基板金属层的制备方法,其特征在于,所述基于所述第一线路层,在每个所述第一线路层上丝印形成第一绝缘层,包括:
5.如权利要求4所述的mini-led基板金属层的制备方法,其特征在于,在将所述第一绝缘层进行烘烤处理之后,所述制备方法还包括:
6.如权利要求1所述的mini-led基板金属层的制备方法,其特征在于,所述基于所述第一绝缘层,在每个所述第一绝缘层上丝印形成第二线路层,包括:
7.如权利要求6所述的mini-led基板金属层的制备方法,其特征在于,在基于所述预烘后的第二线路层进行烧结处理之后,所述制备方法还包括:
8.如权利要求1所述的mini-led基板金属层的制备方法,其特征在于,所述基于所述第二线路层,在每个所述第二线路层上丝印形成第二绝缘层,包括:
9.如权利要求8所述的mini-led基板金属层的制备方法,其特征在于,在将所述第二绝缘层进行烘烤处理之后,所述制备方法还包括:
10.一种mini-led基板金属层,其特征在于,所述mini-led基板金属层基于权利要求1-9任一项所述的制备方法制备。