硅片吸杂方法及太阳电池的制备方法与流程

本申请涉及光伏，具体而言，涉及一种硅片吸杂方法及太阳电池的制备方法。

背景技术：

1、hjt硅异质结太阳电池又被称作hit(heterojunctionwithintrinsicthinlayer)太阳电池，其利用非晶硅薄膜/单晶硅衬底的异质结结构，从而结合了单晶硅和非晶硅太阳电池优良的特点，具有高效率、高voc等特点。hit太阳电池一般以n型硅片为基底，在异质结实际生产过程中，异质结对硅片的杂质含量要求低，就目前n型硅片状况条件，对硅片吸杂是必要的，吸杂后的硅片效率提升一般在0.1％左右，甚至一些杂质含量较高的硅片效率的提升达到1％-2％，这样的效率提升使异质结不得不采用吸杂工艺，若不采用吸杂工艺将导致实际产线无法控制由硅片杂质带来的效率波动。

2、目前，对于硅片吸杂一般采用扩散磷吸杂工艺，但实际生产过程中发现，采用上述扩散磷吸杂工艺在批量生产hit电池时，容易出现大量的如图1所示的pl(光致发光)舟印不良(接触舟卡齿位置pl发黑)，比例达到0.5％以上，pl舟印不良的产生极大的增加了制造成本，急需解决或者控制该不良。

技术实现思路

1、本申请提供了一种硅片吸杂方法及太阳电池的制备方法，其能够在采用扩散磷吸杂工艺在批量生产hit电池时，缓解pl舟印不良的比较高的问题。

2、本申请的实施例是这样实现的：

3、在第一方面，本申请示例提供一种硅片吸杂方法，其包括：对已进行多次扩散磷吸杂工艺的扩散炉进行烧管工艺，然后在扩散炉内进行扩散磷吸杂工艺；扩散磷吸杂工艺中，采用惰性气体调节扩散炉内的气压，并通入氧气和磷源气体进行热处理；烧管工艺中，采用惰性气体调节扩散炉内的气压，并通入氧气进行热处理；其中，烧管工艺的最高热处理温度大于扩散磷吸杂工艺的最高热处理温度，和/或，烧管工艺的最高氧气流量大于扩散磷吸杂工艺的最高氧气流量。

4、本申请提供的硅片吸杂方法，对已进行多次扩散磷吸杂工艺的扩散炉进行烧管工艺，利烧管工艺的最高热处理温度大于扩散磷吸杂工艺的最高热处理温度，有利于将已进行多次扩散磷吸杂工艺的扩散炉内一些温度偏低的位置而沉积的p、p2o5(沸点360℃)等含磷化学物质气化，并由惰性气体和氧气等带出；利用烧管工艺的最高氧气流量大于扩散磷吸杂工艺的最高氧气流量，有利于氧化残留在扩散炉内外的p单质，并且高氧气流量更容易将扩散炉内含p的物质，特别是炉门口位置的含p物质从炉体内带出，有效降低扩散炉内的残留磷，从而在烧管工艺后，再在扩散炉内进行扩散磷吸杂工艺时，能够有效降低pl舟印不良，降低生产成本。

5、在一些可选地实施例中，烧管工艺的最高热处理温度大于扩散磷吸杂工艺的最高热处理温度，且烧管工艺的最高氧气流量大于扩散磷吸杂工艺的最高氧气流量。

6、在一些可选地实施例中，烧管工艺和扩散磷吸杂工艺的最高热处理温度的温差为20-50℃。

7、在一些可选地实施例中，烧管工艺的最高氧气流量为扩散磷吸杂工艺的最高氧气流量的1.2-2倍。

8、在一些可选地实施例中，将烧管工艺中通入扩散炉内的氧气和惰性气体作为总气体流量a，将扩散磷吸杂工艺中通入扩散炉内的氧气、惰性气体以及三氯氧磷共同作为总气体流量b，a＞b。

9、在一些可选地实施例中，烧管工艺包括周期性进行的第一阶段以及第二阶段，第一阶段的氧气流量大于扩散磷吸杂工艺的最高氧气流量，第一阶段的氧气流量大于第二阶段的氧气流量，第一阶段的处理时间大于第二阶段的处理时间。

10、可选地，第一阶段的处理时间为15-30min，第一阶段的处理时间为第二阶段的处理时间的3-5倍。

11、可选地，烧管工艺的总的处理时间为2-5h。

12、在一些可选地实施例中，每次进行烧管工艺之前，扩散炉进行扩散磷吸杂工艺的运行次数为15-50次。

13、在一些可选地实施例中，烧管工艺中，扩散炉内可选择性地放置有石墨舟。

14、在一些可选地实施例中，扩散炉被配置为周期性运行多次扩散磷吸杂工艺与烧管工艺，其中多次为15-50次。

15、在第二方面，本申请示例提供一种太阳电池的制备方法，其包括本申请第一方面提供的硅片吸杂方法。

技术特征：

1.一种硅片吸杂方法，其特征在于，包括：对已进行多次扩散磷吸杂工艺的扩散炉进行烧管工艺，然后在所述扩散炉内进行扩散磷吸杂工艺；

2.根据权利要求1所述的硅片吸杂方法，其特征在于，所述烧管工艺的最高热处理温度大于所述扩散磷吸杂工艺的最高热处理温度，且所述烧管工艺的最高氧气流量大于所述扩散磷吸杂工艺的最高氧气流量。

3.根据权利要求1所述的硅片吸杂方法，其特征在于，所述烧管工艺和所述扩散磷吸杂工艺的最高热处理温度的温差为20-50℃。

4.根据权利要求1所述的硅片吸杂方法，其特征在于，所述烧管工艺的最高氧气流量为所述扩散磷吸杂工艺的最高氧气流量的1.2-2倍。

5.根据权利要求1所述的硅片吸杂方法，其特征在于，将所述烧管工艺中通入所述扩散炉内的氧气和惰性气体作为总气体流量a，将所述扩散磷吸杂工艺中通入所述扩散炉内的氧气、惰性气体以及三氯氧磷共同作为总气体流量b，a＞b。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的硅片吸杂方法，其特征在于，所述烧管工艺包括周期性进行的第一阶段以及第二阶段，所述第一阶段的氧气流量大于所述扩散磷吸杂工艺的最高氧气流量，所述第一阶段的氧气流量大于所述第二阶段的氧气流量，所述第一阶段的处理时间大于所述第二阶段的处理时间；

7.根据权利要求1-5任意一项所述的硅片吸杂方法，其特征在于，每次进行所述烧管工艺之前，所述扩散炉进行扩散磷吸杂工艺的运行次数为15-50次。

8.根据权利要求1-5任意一项所述的硅片吸杂方法，其特征在于，所述烧管工艺中，所述扩散炉内可选择性地放置有石墨舟。

9.根据权利要求1-5任意一项所述的硅片吸杂方法，其特征在于，所述扩散炉被配置为周期性运行多次所述扩散磷吸杂工艺与所述烧管工艺，其中所述多次为15-50次。

10.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括权利要求1-9任意一项所述的硅片吸杂方法。

技术总结
一种硅片吸杂方法及太阳电池的制备方法，属于光伏技术领域。硅片吸杂方法包括：对已进行多次扩散磷吸杂工艺的扩散炉进行烧管工艺，然后在扩散炉内进行扩散磷吸杂工艺，烧管工艺的最高热处理温度大于扩散磷吸杂工艺的最高热处理温度，和/或，烧管工艺的最高氧气流量大于扩散磷吸杂工艺的最高氧气流量，其能够减少异质结吸杂导致的PL舟印。

技术研发人员：孙林
受保护的技术使用者：通威太阳能（金堂）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13