一种半导体封装方法和半导体封装结构与流程

本发明涉及半导体，具体涉及一种半导体封装方法和半导体封装结构。

背景技术：

1、一种半导体封装方法，包括：参考图1，形成初始封装体，所述初始封装体包括：重布线结构2′，重布线结构2′包括重布线导电层22′和介质层21′；位于所述重布线结构2′一侧的芯片4′，所述芯片4′和重布线结构2′之间具有导电连接件，所述导电连接件包括导电柱11′、焊接层12′和互联焊盘13′；位于所述芯片4′和重布线结构2′之间包封导电连接件的底填胶层7′；位于所述重布线结构2′背离所述芯片4′的一侧表面的种子层5′；塑封层3′，位于所述重布线结构2′背离所述种子层5′的一侧且包封所述芯片4′；参考图1，在所述种子层5′背离重布线结构2′的一侧表面形成图案化的光刻胶层6′，所述图案化的光刻胶层6′中具有图形开口61′；参考图2，在图形开口61′中形成电性端子62′，之后去除图案化的光刻胶层6′；去除图案化的光刻胶层6′之后，去除电性端子62′未覆盖的种子层5′。

2、在上述半导体封装方法形成的半导体封装结构的良率降低。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中半导体封装结构的良率低的问题，从而提供一种半导体封装方法和半导体封装结构。

2、本发明提供一种半导体封装方法，包括：形成初始封装体，所述初始封装体包括：重布线结构；位于所述重布线结构一侧的芯片；位于所述重布线结构背离所述芯片的一侧表面的种子层；塑封层，位于所述重布线结构背离所述种子层的一侧且包封所述芯片；在所述种子层背离所述重布线结构的一侧涂覆第一初始光刻胶层；去除第一初始光刻胶层的至少部分厚度的边缘区域，使得第一初始光刻胶层形成第一光刻胶层，第一光刻胶层的周侧具有第一凹槽；形成第一凹槽之后，对所述第一光刻胶层进行初始固化处理；对所述第一光刻胶层进行初始固化处理之后，在所述第一光刻胶层背离所述种子层的一侧表面和所述第一凹槽中涂覆第二光刻胶层。

3、可选的，去除第一初始光刻胶层的至少部分厚度的边缘区域的步骤包括：对所述第一初始光刻胶层进行第一洗边工艺；进行第一洗边工艺之后，对所述第一初始光刻胶层进行第二洗边工艺，使第一初始光刻胶层形成第一光刻胶层，第二洗边工艺的洗边宽度大于第一洗边工艺的洗边宽度，第二洗边工艺的洗边深度大于第一洗边工艺的洗边深度。

4、可选的，所述第一洗边工艺的洗边宽度为0.2mm-2mm；所述第二洗边工艺的洗边宽度4mm-7mm。

5、可选的，在所述种子层背离所述重布线结构的一侧涂覆第一初始光刻胶层的步骤中，第一初始光刻胶层的边缘区域具有第一凸起；对所述第一初始光刻胶层进行第一洗边工艺，以去除所述第一凸起。

6、可选的，在涂覆第二光刻胶层之前，所述第一凹槽的底部暴露出种子层。

7、可选的，还包括：对第二光刻胶层进行第三洗边工艺，第三洗边工艺的洗边宽度小于第一凹槽的宽度。

8、可选的，在所述第一光刻胶层背离所述种子层的一侧表面和所述第一凹槽中涂覆第二光刻胶层的步骤中，第二光刻胶层的边缘区域具有第二凸起；所述第三洗边工艺用于去除第二凸起。

9、可选的，还包括：进行所述第三洗边工艺之后，对第二光刻胶层和第一光刻胶层进行固化处理。

10、可选的，所述初始固化处理为软烘处理。

11、可选的，还包括：在所述种子层背离所述重布线结构的一侧涂覆第一初始光刻胶层之前，对所述种子层背离所述重布线结构的一侧表面进行预湿处理。

12、可选的，所述塑封层未覆盖所述重布线结构的侧壁；或者，所述塑封层还包封所述重布线结构的侧壁，位于所述重布线结构侧壁的塑封层凸出于所述种子层背离芯片的一侧表面；在所述种子层背离所述重布线结构的一侧涂覆第一初始光刻胶层的步骤中，所述第一初始光刻胶层还覆盖位于所述重布线结构的侧壁的塑封层；所述第一初始光刻胶层背离所述种子层的一侧表面至种子层的高度大于位于所述重布线结构的侧壁的塑封层凸出于种子层的高度；所述第一凹槽位于第一光刻胶层和所述重布线结构的侧壁的塑封层之间。

13、可选的，还包括：对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行图形化，形成贯穿第一光刻胶层和第二光刻胶层的若干图形化开口，部分图形化开口贯穿第一凹槽中的第二光刻胶层；在所述图形化开口中形成电性端子。

14、本发明还提供一种半导体封装结构，包括：重布线结构；位于所述重布线结构一侧的芯片；位于所述重布线结构背离所述芯片的一侧表面的种子层；塑封层，塑封层位于所述重布线结构背离所述种子层的一侧且包封所述芯片；位于所述种子层背离所述重布线结构的一侧的第一光刻胶层，第一光刻胶层的周侧具有第一凹槽；位于所述第一光刻胶层背离所述种子层的一侧表面和所述第一凹槽中的第二光刻胶层。

15、可选的，所述第一凹槽的底部延伸至种子层的表面。

16、可选的，第一凹槽的宽度为4mm～7mm。

17、可选的，所述塑封层未覆盖所述重布线结构的侧壁；所述塑封层还包封所述重布线结构的侧壁，位于所述重布线结构侧壁的塑封层凸出于所述种子层背离芯片的一侧表面；所述第一凹槽位于第一光刻胶层和所述重布线结构的侧壁的塑封层之间。

18、可选的，还包括：若干图形化开口，图形化开口贯穿第一光刻胶层和第二光刻胶层，部分图形化开口贯穿第一凹槽中的第二光刻胶层；位于所述图形化开口中的电性端子。

19、本发明的技术方案具有以下有益效果：

20、本发明技术方案中的半导体封装方法，在所述种子层背离所述重布线结构的一侧涂覆第一初始光刻胶层之后，去除第一初始光刻胶层的至少部分厚度的边缘区域，使得第一初始光刻胶层形成第一光刻胶层，第一光刻胶层的周侧具有第一凹槽。由于去除了第一初始光刻胶层的至少部分厚度的边缘区域，因此当第一初始光刻胶层的上表面的边缘存在流痕时，该步骤能将流痕去除。形成第一凹槽之后，对所述第一光刻胶层进行初始固化处理，所述初始固化处理能对第一光刻胶层进行一定的塑形，使得第一光刻胶层不易流动。之后，在所述第一光刻胶层背离所述种子层的一侧表面和所述第一凹槽中涂覆第二光刻胶层。由于第一凹槽的侧壁对涂覆在第一凹槽中的第二光刻胶层有阻挡的作用，因此会减少第一凹槽中的第二光刻胶层的顶部表面产生流痕。其次，在涂覆形成第二光刻胶层的过程中，光刻胶自第一光刻胶层的顶部表面向外边缘甩动，部分光刻胶保留在第一光刻胶层的顶部表面，甩到第一光刻胶层的顶部表面边缘的部分光刻胶溢到第一凹槽中，因此第一光刻胶层的顶部表面不会存在流痕。再次，光刻胶溢到第一凹槽中的过程是自上至下冲击第一凹槽的底部表面的，在溢到第一凹槽中的光刻胶在第一凹槽中受到的水平方向的力非常小，因此进一步减少第一凹槽中形成的第二光刻胶层的顶部表面的流痕。由于第二光刻胶层的顶部表面的流痕减少，因此第二光刻胶层的上表面较为平整，第二光刻胶层的边缘区域的厚度均匀性提高，这样后续图形化第一光刻胶层和第一光刻胶层形成的图形化开口的高度均一性提高，减少电性端子出现异常的几率，提高了良率。

技术特征：

1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，去除第一初始光刻胶层的至少部分厚度的边缘区域的步骤包括：对所述第一初始光刻胶层进行第一洗边工艺；进行第一洗边工艺之后，对所述第一初始光刻胶层进行第二洗边工艺，使第一初始光刻胶层形成第一光刻胶层，第二洗边工艺的洗边宽度大于第一洗边工艺的洗边宽度，第二洗边工艺的洗边深度大于第一洗边工艺的洗边深度。

3.根据权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一洗边工艺的洗边宽度为0.2mm-2mm；所述第二洗边工艺的洗边宽度4mm-7mm。

4.根据权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述种子层背离所述重布线结构的一侧涂覆第一初始光刻胶层的步骤中，第一初始光刻胶层的边缘区域具有第一凸起；对所述第一初始光刻胶层进行第一洗边工艺，以去除所述第一凸起。

5.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在涂覆第二光刻胶层之前，所述第一凹槽的底部暴露出种子层。

6.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，还包括：对第二光刻胶层进行第三洗边工艺，第三洗边工艺的洗边宽度小于第一凹槽的宽度。

7.根据权利要求6所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述第一光刻胶层背离所述种子层的一侧表面和所述第一凹槽中涂覆第二光刻胶层的步骤中，第二光刻胶层的边缘区域具有第二凸起；所述第三洗边工艺用于去除第二凸起。

8.根据权利要求6所述的半导体封装方法，其特征在于，还包括：进行所述第三洗边工艺之后，对第二光刻胶层和第一光刻胶层进行固化处理。

9.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述初始固化处理为软烘处理。

10.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，还包括：在所述种子层背离所述重布线结构的一侧涂覆第一初始光刻胶层之前，对所述种子层背离所述重布线结构的一侧表面进行预湿处理。

11.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述塑封层未覆盖所述重布线结构的侧壁；

12.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，还包括：对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行图形化，形成贯穿第一光刻胶层和第二光刻胶层的若干图形化开口，部分图形化开口贯穿第一凹槽中的第二光刻胶层；在所述图形化开口中形成电性端子。

13.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

14.根据权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一凹槽的底部延伸至种子层的表面。

15.根据权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于，第一凹槽的宽度为4mm～7mm。

16.根据权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于，所述塑封层未覆盖所述重布线结构的侧壁；

17.根据权利要求13所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：若干图形化开口，图形化开口贯穿第一光刻胶层和第二光刻胶层，部分图形化开口贯穿第一凹槽中的第二光刻胶层；位于所述图形化开口中的电性端子。

技术总结
一种半导体封装方法和半导体封装结构，半导体封装方法包括：形成初始封装体，初始封装体包括：重布线结构；位于重布线结构一侧的芯片；位于重布线结构背离芯片的一侧表面的种子层；塑封层，位于重布线结构背离种子层的一侧且包封芯片；在种子层背离重布线结构的一侧涂覆第一初始光刻胶层；去除第一初始光刻胶层的至少部分厚度的边缘区域，使得第一初始光刻胶层形成第一光刻胶层，第一光刻胶层的周侧具有第一凹槽；之后，对第一光刻胶层进行初始固化处理；之后，在第一光刻胶层背离种子层的一侧表面和第一凹槽中涂覆第二光刻胶层。所述半导体封装方法使得形成的半导体封装结构的良率提高。

技术研发人员：陈伟,马方方
受保护的技术使用者：长电集成电路（绍兴）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14