一种开关MOS管的制作方法

本发明涉及半导体制品，特别涉及mos管。

背景技术：

1、现有应用电路中的电子开关，通常采用三极管和外围电阻构成。比如，较为常见的是一个三极管，在其基极上串联一个第一电阻，在其基极与发射极之间并联一个第二电阻。这种的电子开关结构，占用印刷电路板的面积较大，不能够很好地满足现有电子产品的不断增进的小型化需求。

2、为此，有人提出了数字晶体管，也即将三极管和外围电阻集成在了一颗芯片上。考虑到三极管的控制是电流驱动，这种电子开关存在自身静态功耗较大，并且不适于对较大电流负载电路实施开关控制。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，本发明提出了一种开关mos管，有利于满足现有电子产品的不断增进的小型化需求，并且有利于拓展功率mos管应用范围。

2、本发明解决其技术问题所采用的技术方案包括：提供一种开关mos管，具有栅极接触点、源极接触点和漏极接触点，包括：衬底层；外延层，位于该衬底层的正面；mos管主体，在该外延层上形成有源区，具有栅极、源极和漏极；第一电阻，形成于该外延层上，其一端与该mos管主体的源极相连、另一端与该栅极接触点或者该mos管主体的栅极相连。

3、在一些实施例中，还包括：第二电阻，形成于该外延层上，串接在该栅极接触点与该mos管主体的栅极之间。

4、在一些实施例中，该第一电阻、该第二电阻及该mos管主体的有源区形成于同一个多晶硅层上，该多晶硅层形成于该外延层的正面。

5、在一些实施例中，该mos管主体为沟槽mos，该开关mos管的晶圆制造用到五层光罩，这五层光罩分别用于形成沟槽层、离子注入层、介质刻蚀层、金属布线层和表面钝化层。

6、在一些实施例中，该第一电阻的阻值不小于1百千欧。

7、在一些实施例中，该第二电阻的阻值不大于1千欧。

8、在一些实施例中，该第一电阻与该第二电阻所占的晶圆面积相较于传统不含该第一电阻与该第二电阻的功率mos管所占的晶圆面积增量在10％以内。

9、在一些实施例中，该mos管主体为沟槽mos、igbt、超结mos、隔离栅mos、碳化硅mos或氮化镓hmet。

10、在一些实施例中，该mos管主体为n型mos。

11、在一些实施例中，该mos管主体为p型mos。

12、在一些实施例中，该mos管主体的源极形成于该外延层上，该mos管主体的漏极形成于该衬底层的背面。

13、与现有技术相比，本发明的开关mos管，通过形成与mos管主体相配合的第一电阻，省去了传统的mos管做开关使用时必须在外部应用电路中添加若干外围元器件，有利于满足现有电子产品的不断增进的小型化需求，并且有利于拓展功率mos管应用范围。

技术特征：

1.一种开关mos管，具有栅极接触点、源极接触点和漏极接触点，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的开关mos管，其特征在于，还包括：第二电阻，形成于该外延层上，串接在该栅极接触点与该mos管主体的栅极之间。

3.根据权利要求2所述的开关mos管，其特征在于，该第一电阻、该第二电阻及该mos管主体的有源区形成于同一个多晶硅层上，该多晶硅层形成于该外延层的正面。

4.根据权利要求2所述的开关mos管，其特征在于，该mos管主体为沟槽mos，该开关mos管的晶圆制造用到五层光罩，这五层光罩分别用于形成沟槽层、离子注入层、介质刻蚀层、金属布线层和表面钝化层。

5.根据权利要求2所述的开关mos管，其特征在于，该第一电阻的阻值不小于100千欧。

6.根据权利要求2所述的开关mos管，其特征在于，该第二电阻的阻值不大于1千欧。

7.根据权利要求2所述的开关mos管，其特征在于，该第一电阻与该第二电阻所占的晶圆面积相较于传统不含该第一电阻与该第二电阻的功率mos管所占的晶圆面积增量在10％以内。

8.根据权利要求1所述的开关mos管，其特征在于，该mos管主体为沟槽型mos、igbt、超结mos、屏蔽栅极沟槽mos、碳化硅mos或氮化镓hmet。

9.根据权利要求1所述的开关mos管，其特征在于，该mos管主体为n型mos；

10.根据权利要求1所述的开关mos管，其特征在于，该mos管主体的源极形成于该外延层上，该mos管主体的漏极形成于该衬底层的背面。

技术总结
一种开关MOS管，具有栅极接触点、源极接触点和漏极接触点，包括：衬底层；外延层，位于该衬底层的正面；MOS管主体，在该外延层上形成有源区，具有栅极、源极和漏极；第一电阻，形成于该外延层上，其一端与该MOS管主体的源极相连、另一端与该栅极接触点或者该MOS管主体的栅极相连。有利于满足现有电子产品的不断增进的小型化需求，并且有利于拓展功率MOS管应用范围。

技术研发人员：赵依军
受保护的技术使用者：赵依军
技术研发日：
技术公布日：2024/12/2