驱动基板及显示面板的制作方法

本申请涉及显示，具体涉及一种驱动基板及显示面板。

背景技术：

1、mini/micro led(mled)显示技术在近两年进入加速发展阶段，可以使用在中小型高附加价值显示器应用领域。相较oled屏幕，mled显示可以在成本、对比度、高亮度和轻薄外形上表现出更佳性能。在mled显示技术中，背板技术作为关键技术。

2、在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，因发光二极管(led)器件所需电流较高，随着驱动薄晶体管的驱动电压上升，在沟道区域与漏极区域之间产生高电场，激发热载流子。因热载流子的影响，驱动薄膜晶体管的阈值电压(vth)会变动。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种驱动基板及显示面板，可以降低薄膜晶体管的阈值电压漂移的风险。

2、本申请实施例提供一种驱动基板，其包括：

3、基板；

4、第一金属层，所述第一金属层包括输出电极，所述输出电极用于电连接发光器件；

5、第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述第一金属层上，且覆盖所述基板；

6、有源层，所述有源层设置在所述第一绝缘层上，所述有源层包括半导体部、第一导电部和第二导电部，所述第一导电部连接于所述半导体部靠近所述输出电极的一侧，所述第二导电部连接于所述半导体部远离所述输出电极的一侧，所述第一导电部连接于所述输出电极，所述第一导电部的表面电阻率小于所述第二导电部的表面电阻率；

7、第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述半导体部上；

8、至少一栅极，一所述栅极设置在所述第二绝缘层上，且与所述半导体部重叠设置；以及

9、第二金属层，所述第二金属层包括输入电极，所述输入电极连接于所述第二导电部，所述输入电极、所述输出电极、所述有源层和所述栅极用于形成薄膜晶体管。

10、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一导电部的掺杂离子的浓度大于所述第二导电部的掺杂离子的浓度。

11、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一导电部的材料包括金属氧化物和所述掺杂离子，所述掺杂离子掺杂在所述金属氧化物中，所述第二导电部的材料至少包括所述金属氧化物。

12、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二导电部的材料还包括所述掺杂离子。

13、可选的，在本申请的一些实施例中，至少一所述栅极包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极设置在第二绝缘层上，所述第二栅极与所述输出电极同层设置，所述第二栅极设置在所述第一绝缘层和所述基板之间；

14、所述半导体部包括沟道，所述第一栅极覆盖所述沟道，所述第二栅极与所述沟道的部分重叠设置，所述沟道与所述第二栅极重叠的部分连接于所述第一导电部，所述沟道与所述第二栅极非重叠的部分连接于所述第二导电部。

15、可选的，在本申请的一些实施例中，在所述第一导电部向所述第二导电部的方向上，所述沟道与所述第二栅极重叠的部分的长度占所述沟道长度的1/4～1/2。

16、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一导电部、所述半导体部和所述第二导电部同层设置且一体成型。

17、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一导电部和所述第二导电部同层且间隔设置，所述半导体部还包括第一搭接部分和第二搭接部分，所述第一搭接部分连接在所述第一导电部远离所述基板的一侧，所述第二搭接部分连接在所述第二导电部远离所述基板的一侧，所述沟道的一端连接于所述第一搭接部分和所述第一导电部，所述沟道的另一端连接于所述第二搭接部分和所述第二导电部。

18、可选的，在本申请的一些实施例中，所述输出电极与所述有源层重叠设置。

19、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一导电部与所述第一搭接部重叠的部分具有第一电阻值，所述第一导电部与所述第一搭接部非重叠的部分具有第二电阻值，所述第一电阻值大于所述第二电阻值。

20、可选的，在本申请的一些实施例中，所述驱动基板还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层设置所述至少一栅极上且覆盖所述有源层和所述第一绝缘层，所述第二金属层设置在所述第三绝缘层上；

21、所述输入电极遮挡所述半导体部和所述第二导电部，在所述驱动基板的正投影图案中，所述第一导电部的至少部分位于所述输入电极的外侧。

22、相应的，本申请实施例还提供一种显示面板，其包括发光器件和如上述任意实施例所述的驱动基板，所述发光器件设置在所述驱动基板上，所述输出电极电连接所述发光器件。

23、有益效果：

24、本实施例的驱动基板，其包括基板、第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层、至少一栅极和第二金属层。第一金属层包括输出电极，输出电极用于电连接发光器件。第一绝缘层设置在第一金属层上，且覆盖基板。有源层设置在第一绝缘层上，有源层包括半导体部、第一导电部和第二导电部，第一导电部连接于半导体部靠近输出电极的一侧，第二导电部连接于半导体部远离输出电极的一侧，第一导电部连接于输出电极，第一导电部的表面电阻率小于第二导电部的表面电阻率。第二绝缘层设置在半导体部上。一栅极设置在第二绝缘层上，且与半导体部重叠设置。第二金属层包括输入电极，输入电极连接于第二导电部，输入电极、输出电极、有源层和栅极用于形成薄膜晶体管。

25、本申请实施例由于第一导电部的表面电阻率小于第二导电部的表面电阻率，使得有源层靠近输出电极的部分的电阻小于有源层靠近输入电极的部分的电阻，减低了有源层靠近输出电极的部分的电压降，进而降低热载流子对阈值电压的影响。

技术特征：

1.一种驱动基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述第一导电部的掺杂离子的浓度大于所述第二导电部的掺杂离子的浓度。

3.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，所述第一导电部的材料包括金属氧化物和所述掺杂离子，所述掺杂离子掺杂在所述金属氧化物中，所述第二导电部的材料至少包括所述金属氧化物。

4.根据权利要求3所述的驱动基板，其特征在于，所述第二导电部的材料还包括所述掺杂离子。

5.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，至少一所述栅极包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极设置在第二绝缘层上，所述第二栅极与所述输出电极同层设置，所述第二栅极设置在所述第一绝缘层和所述基板之间；

6.根据权利要求5所述的驱动基板，其特征在于，在所述第一导电部向所述第二导电部的方向上，所述沟道与所述第二栅极重叠的部分的长度占所述沟道长度的1/4～1/2。

7.根据权利要求5所述的驱动基板，其特征在于，所述第一导电部、所述半导体部和所述第二导电部同层设置且一体成型。

8.根据权利要求5所述的驱动基板，其特征在于，所述第一导电部和所述第二导电部同层且间隔设置，所述半导体部还包括第一搭接部分和第二搭接部分，所述第一搭接部分连接在所述第一导电部远离所述基板的一侧，所述第二搭接部分连接在所述第二导电部远离所述基板的一侧，所述沟道的一端连接于所述第一搭接部分和所述第一导电部，所述沟道的另一端连接于所述第二搭接部分和所述第二导电部。

9.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述输出电极与所述有源层重叠设置。

10.根据权利要求8或9所述的驱动基板，其特征在于，所述第一导电部与所述第一搭接部重叠的部分具有第一电阻值，所述第一导电部与所述第一搭接部非重叠的部分具有第二电阻值，所述第一电阻值大于所述第二电阻值。

11.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述驱动基板还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层设置所述至少一栅极上且覆盖所述有源层和所述第一绝缘层，所述第二金属层设置在所述第三绝缘层上；

12.一种显示面板，其特征在于，包括发光器件和如权利要求1-11任意一项所述的驱动基板，所述发光器件设置在所述驱动基板上，所述输出电极电连接所述发光器件。

技术总结
本申请实施例公开了一种驱动基板及显示面板，本实施例中，输出电极用于电连接发光器件。有源层包括半导体部、第一导电部和第二导电部，第一导电部连接于半导体部靠近输出电极的一侧，第二导电部连接于半导体部远离输出电极的一侧，第一导电部连接于输出电极，第一导电部的表面电阻率小于第二导电部的表面电阻率。一栅极与半导体部重叠设置。输入电极连接于第二导电部，输入电极、输出电极、有源层和栅极用于形成薄膜晶体管。本申请实施例由于第一导电部的表面电阻率小于第二导电部的表面电阻率，减低了有源层靠近输出电极的部分的电压降，进而降低热载流子对阈值电压的影响。

技术研发人员：罗传宝
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1