半导体装置的制造方法与流程

本说明书公开的技术涉及半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、在专利文献1中，关于半导体装置的制造方法，公开了将在背面形成有金属膜的半导体基板进行分割的技术。根据该制造方法，首先，对于在背面形成有金属膜的半导体基板的表面，通过等离子蚀刻沿着分割预定线形成分割槽。分割槽从表面以使不达到金属膜的规定的残留量残留的方式形成。然后，沿着分割预定线从半导体基板的表面施加外力，从而将在分割槽与金属膜之间存在的上述残留量进行分割。专利文献1中，通过将残留量分割时的冲击将金属膜分割。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2017－41525号公报

技术实现思路

1、专利文献1中，由于以残留规定的残留量的方式形成分割槽，所以需要正确地控制分割槽的深度。此外，专利文献1中，由于在形成分割槽时利用等离子蚀刻等，所以制造成本高。本说明书中，提出用于将在表面形成有金属膜的半导体基板进行分割的新技术。

2、本公开的一形态的半导体装置的制造方法，具备以下工序：对于具有多个元件区域的半导体基板的第1表面，沿着上述元件区域的边界将推压部件推抵，从而在上述半导体基板中形成沿着上述边界并且在上述半导体基板的厚度方向上延伸的裂纹的工序；在形成上述裂纹的上述工序之后，在上述第1表面形成跨上述多个元件区域的金属膜的工序；以及在形成上述金属膜的上述工序之后，从位于上述第1表面的背侧的第2表面侧，沿着上述边界将分割部件推抵于上述半导体基板，从而沿着上述边界将上述半导体基板和上述金属膜分割的工序。

3、根据该制造方法，首先，将推压部件推抵于半导体基板的第1表面，在半导体基板中形成裂纹。裂纹从第1表面侧形成。然后，在第1表面形成金属膜，从第2表面侧将分割部件推抵。裂纹由于形成在半导体基板的第1表面侧，所以距分割部件的前端部分的距离较远。因此，在从第2表面侧将分割部件推抵于半导体基板的情况下，使裂纹扩大且在将隔着裂纹而相邻的区域拉开的方向上施加力。结果，裂纹在半导体基板的厚度方向上伸展。由此，沿着元件区域的边界将半导体基板分割。此外，与半导体基板的隔着裂纹而相邻的区域同样地，对于金属膜的跨裂纹而相邻的区域，也在拉开方向上施加力，金属膜的跨裂纹而相邻的区域彼此也被拉开从而金属膜也被分割。这样，根据上述的制造方法，通过将推压部件和分割部件对半导体基板进行推抵这样的简单工序，能够将金属膜与半导体基板一起分割。此外，在对第1表面形成金属膜之前，在半导体基板的第1表面侧预先形成裂纹，所以能够通过从第2表面侧将分割部件推抵的一个工序，将半导体基板与金属膜一起分割。

技术特征：

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

技术总结
半导体装置的制造方法，具备以下工序：对于具有多个元件区域的半导体基板的第1表面，沿着上述元件区域的边界推抵推压部件，从而在上述半导体基板的第1表面侧，形成沿着上述边界并且在上述半导体基板的厚度方向上延伸的裂纹的工序；在形成上述裂纹的上述工序之后，在上述第1表面形成跨上述多个元件区域的金属膜的工序；以及在形成上述金属膜的上述工序之后，从位于上述第1表面的背侧的第2表面侧沿着上述边界将分割部件推抵于上述半导体基板，从而沿着上述边界将上述半导体基板和上述金属膜分割的工序。

技术研发人员：植茶雅史,南云裕司,奥田胜,长屋正武,北市充,森亮,木山直哉,武田真和
受保护的技术使用者：株式会社电装
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15