本大体上是关于用于将半导体组件传输至支撑结构的系统与方法，且详言的，是关于用于将整合式装置裸片自薄膜传输至支撑结构的系统与方法。
背景技术：
1、整合式装置裸片典型地经建置于半导体芯片上，所述半导体芯片被置放于薄膜上(例如，胶带或其他黏着薄膜)且经切割以界定多个单独的整合式装置裸片。在习知半导体程序中，经切割整合式装置裸片自切割胶带个别地进行移除，且被置放至中间载体(诸如，裸片托盘、窝伏尔组件或其他处理设备)上。举例而言，在一些配置中，使用机器人臂将裸片自裸片托盘个别地取放至中间载体。装置裸片可经受进一步处理及/或可自中间载体移动至其他处理台，且最终移动至封装平台，诸如封装衬底(例如，印刷电路板、引线框等)。
2、然而，使用机器人取放型机器可能效率低下且耗时，此是因为机器的末端执行器可花费几秒来将每一裸片自切割胶带个别地移除且将其置放于中间载体的特定位置上。使用取放型机器每次移动一个裸片可因此增加总处理时间及/或在处理中产生瓶颈，其增大制造成本。在一些配置中，可使用卷盘式带机将裸片自切割胶带移动至中间载体。然而，卷盘式机器仅在一个维度上移动及排列裸片(亦即，在直线方向上自一个卷盘直接至另一卷盘)。
3、因此，仍存在对用于将选定裸片自薄膜传输至支撑结构的改良式系统与方法的需要。
技术实现思路
1、在一个实施方式中，揭示一种用于将裸片安装于一支撑结构上的方法。所述方法可包括提供支撑多个经单粒化组件或整合式装置裸片的一薄膜，所述多个经单粒化组件或整合式装置裸片安置为沿所述薄膜的一表面彼此邻近。所述方法可包含邻近所述支撑结构定位所述薄膜，使得所述薄膜的所述表面面向所述支撑结构的一支撑表面。所述方法可包括相对于所述支撑结构选择性地侧向定位所述薄膜，使得一选定第一组件或裸片与所述支撑结构的一第一位置对准。所述方法可包括在非平行于所述薄膜的所述表面的一方向上施加一力，以使得所述选定第一裸片自所述薄膜直接传输至所述支撑结构。
2、在另一实施方式中，揭示一种用于结合整合式装置裸片的方法。所述方法可包括提供支撑第一多个经单粒化整合式装置裸片的一薄膜，所述第一多个经单粒化整合式装置裸片安置为沿所述薄膜的一第一表面彼此邻近。所述方法可包括提供支撑第二多个整合式装置裸片的一支撑结构，所述第二多个整合式装置裸片安置为沿所述支撑结构的一第二表面彼此邻近。所述方法亦可包括邻近所述支撑结构定位所述薄膜，使得来自所述第一多个经单粒化整合式装置裸片或组件的一选定第一裸片与来自所述第二多个经单粒化整合式装置裸片的一第二裸片对准且面向所述第二裸片。所述方法可包括在非平行于所述薄膜的所述第一表面的一方向上施加一力，以使得所述第一裸片接触所述第二裸片。所述方法可包括将所述第一裸片与所述第二裸片直接结合，或将一第一组件与一第二组件直接结合。所述方法亦可包括将所述第一裸片自所述薄膜移除。
3、本文中揭示的所述多个实施方式可用以传输任何合适类型的组件。所述组件可包含一半导体组件或并不包括一半导体材料的一组件。举例而言，所述多个组件可包含可出于任何合适目的(包括电功能及/或非电功能)附接至一支撑结构的一表面的一组件。可在附接至所述支撑结构的后将电路制造于所述组件中、所述组件上或所述组件周围。在一些实施方式中，所述多个经单粒化组件可包含多个经单粒化整合式装置裸片。本文中所揭示的方法可进一步包含自所述多个经单粒化组件选择一第一已知良好组件(例如，一第一良裸裸片)，所述第一已知良好组件具有适当起作用的非电特性，所述选定第一组件包含所述第一已知良好组件。
4、在又一实施方式中，揭示一种半导体处理系统。所述系统可包括一控制系统，其经组态以自一薄膜的一表面上的多个经单粒化整合式装置裸片或组件选择一第一裸片，所述薄膜支撑所述多个经单粒化整合式装置裸片。所述控制系统可经组态以将指令发送至一可移动设备，以使得所述可移动设备邻近一支撑结构定位所述薄膜，使得所述薄膜的所述表面面向所述支撑结构的一支撑表面。所述控制系统可经组态以将指令发送至所述可移动设备，以使得所述可移动设备相对于所述支撑结构选择性地侧向定位所述薄膜，使得一选定第一裸片与所述支撑结构的一第一位置对准。所述控制系统可经组态以将指令发送至一裸片释放总成，以使得所述裸片释放总成在非平行于所述薄膜的所述表面的一方向上将一力施加至所述支撑结构及所述薄膜中的至少一者，以使得所述选定第一裸片自所述薄膜传输至所述支撑结构。
5、出于概述本发明及所达成的优于先前技术的优点的目的，已在本文中对本发明的某些目标及优点加以描述。当然，应理解，未必所有的此等目标或优点均可根据本发明的任何特定实施方式而达成。因此，例如，熟习此项技术者将认识到，可以如本文中所教示或建议来达成或优化一个优点或一组优点而不一定达成如本文中可能教示或建议的其他目标或优点的方式来实施或进行本发明。
6、所有此等实施方式均意欲处于本文中所揭示的本发明范畴内。对于熟习此项技术者而言，此等及其他实施方式将自较佳实施方式的参看附图的以下详细描述变得易于显而易见，本发明不受限于所揭示的任何特定实施方式。
技术特征：1.一种处理系统，其包括：
2.根据权利要求1所述的处理系统，其进一步包括所述设备。
3.根据权利要求1所述的处理系统，其进一步包括所述释放总成。
4.根据权利要求3所述的处理系统，其中所述释放总成包括柱塞。
5.根据权利要求3所述的处理系统，其中所述释放总成包括一个或多个喷嘴，所述一个或多个喷嘴经配置以将流体供应到所述薄膜的背面。
6.根据权利要求5所述的处理系统，其中所述一个或多个喷嘴包括多个孔，其中所述释放总成的第一端处的第一孔比所述释放总成的第二端处的第二孔宽。
7.根据权利要求5所述的处理系统，其中所述一个或多个喷嘴包括多个孔，其中所述释放总成的中心区域中的第一孔比所述释放总成的端部处的孔宽。
8.根据权利要求3所述的处理系统，其中所述释放总成包括第一筒夹，所述第一筒夹具有由一个或多个第一间隙间隔开的多个第一指形件。
9.根据权利要求8所述的处理系统，其中所述释放总成进一步包括第二筒夹，所述第二筒夹具有由一个或多个第二间隙间隔开的多个第二指形件，所述第一和第二筒夹经配置以沿所述方向朝向和远离彼此移动。
10.根据权利要求9所述的处理系统，其中所述第二指形件的尺寸被设计成使得当所述第一和第二筒夹聚集在一起时，至少一个第二指形件安置在对应的第一间隙内，且至少一个第一指形件安置在对应的第二间隙内。
11.根据权利要求1所述的处理系统，其中所述控制系统被配置为从所述多个经单粒化组件中选择第一已知良品组件，所述第一已知良品组件具有正常运行的非电气特性，所述第一组件包括所述第一已知良品组件。
12.根据权利要求11所述的处理系统，其中所述多个经单粒化组件包括多个经单粒化集成装置裸片并且所述第一已知良品组件包括第一已知良品裸片。
13.根据权利要求1所述的处理系统，其中所述支撑结构包括芯片或芯片堆叠、裸片或裸片堆叠、重构芯片、面板、重构面板、印刷电路板、内插器、玻璃衬底、塑料衬底或陶瓷衬底。
14.根据权利要求1所述的处理系统，其中所述控制系统经配置以进行以下操作：
15.根据权利要求14所述的处理系统，其中所述支撑结构的所述第二位置与所述支撑结构的所述第一位置相同，且所述第二组件堆叠于所述第一组件上。
16.根据权利要求15所述的处理系统，其中所述第一组件和所述第二组件直接结合而无介入粘合剂。
17.根据权利要求14所述的处理系统，其中所述第二位置不同于所述第一位置，且所述第一组件与所述第二组件之间的间隙填充有填充材料。
18.根据权利要求1所述的处理系统，其中所述第一组件直接结合到所述支撑结构而无介入粘合剂。
19.根据权利要求1所述的处理系统，其中所述薄膜比所述多个经单粒化组件中的至少两个经单粒化组件宽。
20.根据权利要求1所述的处理系统，其中所述支撑结构的所述支撑表面包括衬底材料的网。
21.根据权利要求1所述的处理系统，其中所述释放总成被配置成使得所述多个经单粒化组件的所述第一组件或多个所述第一组件从所述薄膜的所述表面转移到所述支撑结构的所述支撑表面。
22.根据权利要求3所述的处理系统，其中供应到所述薄膜的背面的流体导致所述第一组件从所述薄膜转移到所述支撑结构。
23.根据权利要求6所述的处理系统，其中与所述第一组件的其他区域相比，所述第一孔对所述第一组件的边缘提供更高的流体流速，所述更高的流体流速导致所述第一组件的所述边缘在接触所述第一组件的所述其他区域之前先接触所述支撑表面。
24.根据权利要求7所述的处理系统，其中与所述第一组件的其他区域相比，所述第一孔对所述第一组件的中心区域提供更高的流体流速，所述更高的流体流速导致所述第一组件的所述中心区域在接触所述第一组件的所述其他区域之前先接触所述支撑表面。
25.一种处理系统，其包括：
26.根据权利要求25所述的处理系统，其中所述支撑结构包括芯片或芯片堆叠、裸片或裸片堆叠、重构芯片、面板、重构面板、印刷电路板、内插器、玻璃衬底、塑料衬底、陶瓷衬底或封装衬底。
技术总结本发明揭示用于组件的传输的系统与方法。可提供支撑多个经切割整合式装置裸片的一薄膜。所述多个经切割整合式装置裸片可安置为沿所述薄膜的一表面彼此邻近。所述薄膜可定位于邻近所述支撑结构，以使得所述薄膜的所述表面面向所述支撑结构的一支撑表面。所述薄膜可相对于所述支撑结构而选择性地侧向定位，以使得一选定第一裸片与所述支撑结构的一第一位置对准。可在非平行于所述薄膜的所述表面的一方向上施加一力，以使得所述选定第一裸片自所述薄膜直接传输至所述支撑结构。
技术研发人员：赛普里安·艾曼卡·巫卓,保罗·M·恩奎斯特,小盖乌斯·吉尔曼·方腾
受保护的技术使用者：艾德亚半导体接合科技有限公司
技术研发日：技术公布日：2024/1/15