一种半导体封装方法与流程

本发明涉及半导体，具体涉及一种半导体封装方法。

背景技术：

1、一种半导体封装方法，包括：参考图1，在临时载板1′上形成键合胶层9′；在键合胶层9′背离临时载板1′的一侧表面形成重布线结构，重布线结构包括重布线导电层22′和介质层21′，重布线结构背离临时载板1′的一侧表面具有互联焊盘23′；参考图2，将芯片6′倒装在重布线结构上，芯片6′通过互联焊盘23′和重布线结构电连接；在芯片6′和重布线结构之间形成底填胶层7′；参考图3，通过塑封工艺将临时载板1′、重布线结构、芯片6′和底填胶层7′包封起来，形成塑封层8′，重布线结构、芯片6′、底填胶层7′和塑封层8′构成了晶圆封装单元；参考图4，通过切割工艺对晶圆封装单元的边缘和临时载板1′的边缘进行环切，将晶圆封装单元切割至预设尺寸，使得临时载板1′和键合胶层9′之间的连接位置、键合胶层9′和重布线结构之间的连接位置不再被塑封层8′包覆，防止塑封层8′影响后续的解键合工艺；参考图5，通过激光解键合工艺使得键合胶层9′失去粘性，然后将临时载板1′剥离。

2、在上述半导体封装方法中，由于临时载板1′被环切后尺寸不再大于晶圆封装单元的预设尺寸，故临时载板1′无法再进行回收继续在图1的工艺中被使用，导致半导体封装方法的材料耗损成本较大。

技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中半导体封装方法的材料耗损成本较大的问题，从而提供一种半导体封装方法。

2、本发明提供一种半导体封装方法，包括：提供第一载板；在所述第一载板的一侧形成重布线结构；在所述重布线结构背离所述第一载板的一侧形成牺牲保护膜；形成牺牲保护膜之后，将所述第一载板和所述重布线结构剥离；提供第二载板，所述第二载板的承载面积大于第一载板的承载面积；将所述重布线结构背离所述牺牲保护膜的一侧键合在所述第二载板上；将所述重布线结构背离所述牺牲保护膜的一侧键合在所述第二载板上之后，将所述牺牲保护膜和所述重布线结构剥离；将所述牺牲保护膜和所述重布线结构剥离之后，将芯片设置在所述重布线结构背离所述第二载板的一侧；形成包封所述芯片和所述重布线结构的侧壁表面的塑封层，且所述塑封层不包封第二载板的侧壁表面；形成所述塑封层之后，将所述第二载板和所述重布线结构剥离。

3、可选的，所述第一载板包括玻璃载板或硅载板；所述第二载板包括钢载板。

4、可选的，第二载板的侧壁表面至所述重布线结构的侧壁表面之间的横向距离为所述重布线结构的直径的0.2倍～0.8倍。

5、可选的，所述牺牲保护膜包括uv胶膜；所述牺牲保护膜的厚度为100微米-1000微米。

6、可选的，还包括：在形成重布线结构之前，在所述第一载板的一侧表面形成第一键合膜；在所述第一载板的一侧形成重布线结构的步骤为：在所述第一键合膜背离所述第一载板的一侧形成重布线结构；将所述第一载板和所述重布线结构剥离的步骤为：采用激光解键合工艺从所述第一载板背离所述重布线结构的一侧将激光照射至所述第一键合膜。

7、可选的，还包括：在形成所述重布线结构之前，在所述第一键合膜背离所述第一载板的一侧表面形成金属层；从所述第一载板背离所述重布线结构的一侧将激光照射至所述第一键合膜的过程中，所述金属层反射激光至所述第一键合膜。

8、可选的，还包括：将所述重布线结构背离所述牺牲保护膜的一侧键合在第二载板上之前，在所述第二载板的一侧表面形成第二键合膜；将所述重布线结构背离所述牺牲保护膜的一侧键合在第二载板上的步骤为：将所述重布线结构背离所述牺牲保护膜的一侧和所述第二键合膜背离所述第二载板的一侧表面键合在一起；将第二载板和重布线结构剥离的步骤为：采用热解键合工艺将第二载板和重布线结构解键合。

9、可选的，将所述第一载板和所述重布线结构剥离之后，对所述金属层和所述重布线结构朝向金属层的一侧表面进行光学检查；若光学检查发现所述金属层和所述重布线结构朝向所述金属层的一侧表面没有破损，将所述重布线结构背离所述牺牲保护膜的一侧键合在第二载板上。

10、本发明的技术方案具有以下有益效果：

11、本发明技术方案中的半导体封装方法，在所述第一载板的一侧形成重布线结构之后，将第一载板和所述重布线结构剥离，然后将所述重布线结构背离所述牺牲保护膜的一侧键合在所述第二载板上，将所述牺牲保护膜和所述重布线结构剥离，以第二载板为支撑进行将芯片设置在所述重布线结构背离所述第二载板的一侧的步骤以及形成塑封层的步骤。由于第二载板的承载面积大于第一载板的承载面积，这样使得所述塑封层不包封第二载板的侧壁表面，这样为了将所述第二载板和所述重布线结构剥离不需要对第二载板的边缘进行切割，使得第二载板重复利用，不会增加多余的耗材成本。其次，然后将所述重布线结构背离所述牺牲保护膜的一侧键合在所述第二载板上之前，将第一载板和所述重布线结构剥离，塑封层也不包封第一载板的侧壁，不需要第一载板的边缘进行切割，第一载板的承载面积不会发生变化，因此能对第一载板进行回收利用，减少工艺过程中消耗的材料成本。

技术特征：

1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述第一载板包括玻璃载板或硅载板；所述第二载板包括钢载板。

3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，第二载板的侧壁表面至所述重布线结构的侧壁表面之间的横向距离为所述重布线结构的直径的0.2倍～0.8倍。

4.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述牺牲保护膜包括uv胶膜；所述牺牲保护膜的厚度为100微米-1000微米。

5.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，还包括：在形成重布线结构之前，在所述第一载板的一侧表面形成第一键合膜；

6.根据权利要求5所述的半导体封装方法，其特征在于，还包括：在形成所述重布线结构之前，在所述第一键合膜背离所述第一载板的一侧表面形成金属层；

7.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，还包括：将所述重布线结构背离所述牺牲保护膜的一侧键合在第二载板上之前，在所述第二载板的一侧表面形成第二键合膜；

8.根据权利要求6所述的半导体封装方法，其特征在于，将所述第一载板和所述重布线结构剥离之后，对所述金属层和所述重布线结构朝向金属层的一侧表面进行光学检查；若光学检查发现所述金属层和所述重布线结构朝向所述金属层的一侧表面没有破损，将所述重布线结构背离所述牺牲保护膜的一侧键合在第二载板上。

技术总结
一种半导体封装方法，包括：在第一载板的一侧形成重布线结构；在重布线结构背离第一载板的一侧形成牺牲保护膜；之后将第一载板和重布线结构剥离；提供第二载板，第二载板的承载面积大于第一载板的承载面积；将重布线结构背离牺牲保护膜的一侧键合在第二载板上；之后，将牺牲保护膜和重布线结构剥离；之后，将芯片设置在所述重布线结构背离所述第二载板的一侧；形成包封所述芯片和所述重布线结构的侧壁表面的塑封层，且所述塑封层不包封第二载板的侧壁表面；之后，将所述第二载板和所述重布线结构剥离。所述半导体封装方法的材料耗损成本降低。

技术研发人员：张章龙,梁新夫,李宗怿,杨文豪,潘波
受保护的技术使用者：长电集成电路（绍兴）有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14