半导体元件的制作方法

本申请案主张美国第17/855,936及17/856,399号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年7月1日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。本公开关于一种半导体元件。特别是有关于一种具有不同长度下电极的电容器结构的半导体元件。

背景技术：

1、随着电子产业的快速发展，集成电路(ics)的发展已经达到高效能以及小型化。在ic材料以及设计的技术进步产生了数代的ics，而其每一代均具有比上一代更小、更复杂的电路。

2、在电容器结构的形成期间，执行多个蚀刻制程以图案化各种层，例如介电层或金属化层。在某些情况下，所述层在一中心区与一外围区的均匀性并不能满足制程裕度的要求。为了解决所述问题，则提出一种新的半导体元件。

3、上文的“先前技术”说明仅提供背景技术，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。

技术实现思路

1、本公开的一实施例提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一下支撑层、一上支撑层以及一下电极。该下支撑层设置在该基底上。该上支撑层设置在该下支撑层上。该上支撑层界定有一开口。该下电极设置在该上支撑层的该开口内。该下电极具有一第一部分以及一第二部分，该第一部分具有一第一垂直长度，该第二部分具有一第二垂直长度，该第二垂直长度不同于该第一垂直长度。

2、本公开的另一实施例提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一下支撑层、一上支撑层以及一下电极。该下支撑层设置在该基底上。该上支撑层设置在该下支撑层上。该上支撑层界定有一开口。该下电极设置在该上支撑层的该开口内。该下电极具有位于一第一水平位面的一第一上表面以及位于一第二水平位面的一第二上表面，该第二水平位面不同于该第一水平位面。

3、本公开的再另一实施例提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一基底，其中该基底包括一中心区以及一外围区，该外围区围绕该中心区；形成一下牺牲层、一下支撑层、一上牺牲层以及一上支撑层在该基底上；形成由该下牺牲层、该下支撑层、该上牺牲层以及该上支撑层所界定的一开口；形成一导电层在该上支撑层上以及在该开口内；形成一罩盖层在该导电层上，其中该罩盖层界定有暴露该上牺牲层的一开口；移除该上牺牲层以暴露该下支撑层；以及执行一蚀刻制程以移除该下支撑层，其中将一第一温度施加在该基底的该外围区上，以及将一第二温度施加在该基底的该中心区上，该第二温度不同于该第一温度。

4、本公开的该等实施例提供一半导体元件，该半导体元件。该半导体元件可包括一电容器结构的一下电极。该下电极可包括具有不同垂直长度的一第一部分以及一第二部分。该电容器结构可包括在该下电极上的一电容器介电质。在此实施例中，该电容器介电质可接触该下电极的底部，其借此增加该半导体元件的电容值。

5、上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。

技术特征：

1.一种半导体元件，包括：

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该下电极的该第一部分比该下电极的该第二部分更靠近该上支撑层的一侧壁。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一垂直长度大于该第二垂直长度。

4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该下电极的该第一部分接触该上支撑层的该侧壁。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该下电极的该第二部分与该上支撑层的该侧壁间隔设置。

6.如权利要求2所述的半导体元件，其中该下电极的该第一部分具有位于一第一水平位面的一第一上表面，且该下电极的该第二部分具有位于一第二水平位面的一第二上表面，该第二水平位面不同于该第一水平位面。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该第一水平位面高于该第二水平位面。

8.如权利要求6所述的半导体元件，还包括：

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该电容器介电质具有位于一第三水平位面的一第一上表面以及位于一第四水平位面的一第二上表面，该第四水平位面不同于该第三水平位面。

10.如权利要求6所述的半导体元件，其中该下电极的该第一上表面与该上支撑层的一上表面大致呈共面。

11.如权利要求1所述的半导体元件，其中在一顶视图中，该下电极的该第一部分与该第二部分一起界定出一环形轮廓。

12.一种半导体元件，包括：

13.如权利要求12所述的半导体元件，其中该下电极的该第一上表面与该上支撑层的一上表面大致呈共面，且该第二水平位面低于该第一水平位面。

14.如权利要求13所述的半导体元件，还包括：

15.如权利要求14所述的半导体元件，其中该上电极的一上表面与该下电极的该第一上表面之间的一第一距离不同于该上电极的该上表面与该下电极的该第二上表面之间的一第二距离。

16.如权利要求13所述的半导体元件，其中该下电极具有对应于该下电极的该第一上表面的一第一部分以及对应于该下电极的该第二上表面的一第二部分，且该下电极的该第一部分比该下电极的该第二部分更靠近该上支撑层的一侧壁。

17.如权利要求16所述的半导体元件，其中该下电极的该第一部分具有一第一垂直长度，且该下电极的该第二部分具有一第二垂直长度，该第二垂直长度小于该第一垂直长度。

18.如权利要求16所述的半导体元件，其中在顶视图中，该下电极的该第一部分与该第二部分一起界定一环形轮廓。

19.如权利要求16所述的半导体元件，其中该下电极的该第二部分与该上支撑层间隔设置。

20.如权利要求16所述的半导体元件，其中该下电极的该第二部分与该下支撑层间隔设置。

技术总结
本公开提供一种半导体元件，包括一基底、一下支撑层、一上支撑层以及一下电极。该下支撑层设置在该基底上。该上支撑层设置在该下支撑层上。该上支撑层界定有一开口。该下电极设置在该上支撑层的该开口内。该下电极具有一第一部分以及一第二部分，该第一部分具有一第一垂直长度，该第二部分具有一第二垂直长度，该第二垂直长度不同于该第一垂直长度。

技术研发人员：林炜杰
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/5