二次电池及用于二次电池的隔膜的制作方法

本发明涉及二次电池，尤其涉及二次电池及用于二次电池的隔膜。

背景技术：

1、二次电池(rechargeable battery)又称为充电电池或蓄电池，是指在电池放电后可通过充电的方式使活性物质激活而继续使用的电池。

2、目前很常见的一种二次电池包括由依次卷绕在一起的正极极片、隔膜就负极极片组成的电芯，电芯置于电解液中，该二次电池依靠离子在正极和负极之间移动来工作。

3、因此，如何提升二次电池的循环性能，是业界普遍考虑的课题。

技术实现思路

1、针对以上现有技术的不足，本发明的目的在于提供二次电池及用于二次电池的隔膜，以解决相关技术中二次电池循环性能低的技术问题。

2、本发明第一方面提供一种用于二次电池的隔膜，其包括：

3、基膜；

4、位于基膜至少一侧的陶瓷层；

5、基膜至少一侧的陶瓷层背离基膜的表面设置为凹凸结构。

6、可选地，凹凸结构设置为条状、或波浪状纹路。

7、可选地，凹凸结构包括波峰及波谷，其中波峰的宽度为1-10mm，波谷的宽度为1-10mm，波峰与波谷的高度差为0.1-10μm。

8、可选地，陶瓷层的厚度为0.1μm～10μm。

9、可选地，基膜为聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯和聚丙烯复合材料、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯中的至少一种。

10、可选地，基膜的厚度为3～20μm。

11、可选地，陶瓷层包含94％～97％质量分数的陶瓷颗粒、2.5％～5.5％质量分数的粘结剂及0.3％～0.5％质量分数的分散剂。

12、可选地，陶瓷颗粒为氧化铝、勃姆石、氧化钛及氧化锆中的一种或两种。

13、可选地，粘结剂为甲基丙烯酸盐-甲基丙烯酰胺共聚物接枝聚乙烯醇。

14、可选地，分散剂为羧甲基纤维素或聚乙烯醇。

15、本发明第二方面还提供一种二次电池，其包括：

16、电解液；

17、电芯，包括正极极片、权利要求1-9中任一项用于二次电池的隔膜及负极极片。

18、如上，本发明中提供二次电池及用于二次电池的隔膜，其中隔膜包括：基膜；位于基膜至少一侧的陶瓷层；基膜至少一侧的陶瓷层背离基膜的表面设置为凹凸结构。凹凸结构在相邻两个波峰之间形成有间隙，在该隔膜应用到二次电池时，该凹凸结构表面面向正极或负极极片，波峰之间的间隙能够定向排出电池在工作过程中产生的气体，产气被及时排出，降低或避免正极或负极极片在与电解液接触的界面发生膨胀，能够使对应的极片与电解液形成更加致密均匀的界面，提高界面稳定性。同时，上述间隙能够存留电解液，当二次电池因长期使用而导致电解液干涸时，二次电池可以利用存留的电解液继续工作，因此本实施例的隔膜结构能增加电解液对隔膜和极片表面的有效浸润，从而使二次电池具有优异的循环性能。

技术特征：

1.一种用于二次电池的隔膜，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于二次电池的隔膜，其特征在于，所述凹凸结构设置为条状、或波浪状纹路。

3.根据权利要求1所述的用于二次电池的隔膜，其特征在于，所述凹凸结构包括波峰及波谷，其中所述波峰的宽度为1-10mm，所述波谷的宽度为1-10mm，所述波峰与波谷的高度差为0.1-10μm。

4.根据权利要求1所述的用于二次电池的隔膜，其特征在于，所述陶瓷层的厚度为0.1μm～10μm。

5.根据权利要求1所述的用于二次电池的隔膜，其特征在于，基膜为聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯和聚丙烯复合材料、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的用于二次电池的隔膜，其特征在于，所述基膜的厚度为3～20μm。

7.根据权利要求1所述的用于二次电池的隔膜，其特征在于，所述陶瓷层包含94％～97％质量分数的陶瓷颗粒、2.5％～5.5％质量分数的粘结剂及0.3％～0.5％质量分数的分散剂。

8.根据权利要求7所述的用于二次电池的隔膜，其特征在于，所述陶瓷颗粒为氧化铝、勃姆石、氧化钛及氧化锆中的一种或两种。

9.根据权利要求7所述的用于二次电池的隔膜，其特征在于，所述粘结剂为甲基丙烯酸盐-甲基丙烯酰胺共聚物接枝聚乙烯醇。

10.根据权利要求7所述的用于二次电池的隔膜，其特征在于，所述分散剂为羧甲基纤维素或聚乙烯醇。

11.一种二次电池，其特征在于，包括：

技术总结
本发明提供二次电池及用于二次电池的隔膜，其包括：基膜；位于基膜至少一侧的陶瓷层；基膜至少一侧的陶瓷层背离基膜的表面设置为凹凸结构。凹凸结构在相邻两个波峰之间形成有间隙，在该隔膜应用到二次电池时，该凹凸结构表面面向正极或负极极片，波峰之间的间隙能够定向排出电池在工作过程中产生的气体，产气被及时排出，降低或避免正极或负极极片在电解液接触的界面发生膨胀，能够使对应的极片与电解液形成更加致密均匀的界面，提高界面稳定性，从而使二次电池具有优异的循环性能。

技术研发人员：柏丽,卢林,李顺利,李庆玲
受保护的技术使用者：江苏天合储能有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14