具有气体流动控制能力的用于处理半导体衬底的反应室的制作方法

本发明涉及半导体处理设备，更具体地，涉及具有能够提高薄膜均匀性的气体流动控制能力的用于处理半导体衬底的反应室。

背景技术：

1、如图1所示，反应室(rc1-rc4)放置在衬底处理设备1中。前体和其他气体可以用于处理反应室1中的衬底，并且当反应完成时，气体(前体)应离开反应室。箭头a示出了每个室的气体排出方向。室中的反应由许多标准决定，但衬底和气体之间的接触时间是重要因素。

2、如果气体正如箭头a离开室，那么在室中衬底的接触时间在衬底的不同区域不同。这可以在图3(a)中示出。rc3(反应室3)的区域a具有相对较长的接触时间，而区域b具有相对较短的接触时间。这是因为排气孔11、31相对于rc3处于东北方向。

3、更重要地，图2示出了用于在反应后排出前体(和气体)的反应室2的传统结构。喷淋头21使气体进入室，并且衬底位于衬底支撑部件29上。如图2(b)所示，气体通过间隙(在该实施例中，间隙的宽度为1mm)离开室。该室的下部包括导管23，该导管23和流动控制环22彼此间隔1mm放置。如图1所示，每个室只有一个排气孔。因此，即使快速抽气，径向发生晶片厚度偏移(晶片厚度不均匀)的可能性也很高。

4、对于这种反应室结构，晶片总是可能出现不均匀的膜厚度。

技术实现思路

1、根据本公开的一实施例，一种用于处理衬底的反应室包括：上主体；衬底支撑部件；用于使用于处理衬底的气体进入的喷淋头；包括导管的下主体，其中导管具有多个导管孔；以及配置成围绕导管的流动控制衬里，并且该流动控制衬里具有多个流动孔，其中导管孔和流动孔用于控制用于衬底处理的气体的排出流动，并且流动控制衬里可以围绕旋转，使得导管孔和流动孔可以重叠。

2、根据本公开的另一实施例，一种用于处理衬底的反应室包括：上主体；衬底支撑部件；用于使用于处理衬底的气体进入的喷淋头；包括导管的下主体，其中导管具有多个导管孔；流动控制环，其围绕导管下方的下主体；以及流动控制衬里，其配置成在流动控制环上方围绕导管，并且该流动控制衬里具有多个流孔，其中导管孔和流动孔用于控制用于衬底处理的气体的排出流动，并且流动控制衬里可以围绕旋转，使得导管孔和流动孔可以重叠。

3、本公开的反应室可以是流动控制衬里可以分成多块，并且块的数量可以从1到8。

4、本发明的反应室可以是这样的，这些块被划分成使得每个块可以移动多达其接触其相邻块，并且这些块独立于其他块移动。

5、并且导管孔和流孔具有形状，该形状包括圆形、椭圆形、三角形、矩形、平行四边形、菱形、五边形和多于6条边的多边形。

6、并且本发明的导管在其上具有划线标记，以易于测量孔形状的开口率。

7、根据本发明，导管孔和流动孔可以不均匀地间隔开。

8、根据本发明，导管孔的尺寸可以彼此不同，并且流动孔的尺寸可以彼此不同。

技术特征：

1.一种用于处理衬底的反应室，包括：

2.一种用于处理衬底的反应室，包括：

3.根据权利要求1-2中任一项所述的室，

4.根据权利要求3所述的室，

5.根据权利要求1-2中任一项所述的室，

6.根据权利要求5所述的室，

7.根据权利要求6所述的室，

8.根据权利要求1-2中任一项所述的室，

9.根据权利要求1-2中任一项所述的室，

10.根据权利要求1-2中任一项所述的室，

技术总结
提出了用于处理半导体衬底的设备，特别是反应室。一种具有气体排出流动控制能力的反应室，包括上主体、衬底支撑部件、用于使用于处理衬底的气体进入的喷淋头、包括导管的下主体，其中导管具有多个导管孔，以及配置为围绕导管的流动控制衬里，该流动控制衬里具有多个流动孔，其中导管孔和流动孔用于控制用于衬底处理的气体的排出流动，并且流动控制衬里可以围绕旋转，使得导管孔和流动孔可以重叠。导管可以具有用于各种孔尺寸和形状的划线标记。

技术研发人员：A·托塔普佩利,郑东洛
受保护的技术使用者：ASM IP私人控股有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15