二次电池的制作方法

公开一种包括电极组件、壳体和固定构件的二次电池。

背景技术：

1、一般而言，与不能充电的一次电池不同，二次电池是可以充电和放电的电池。取决于电池应用到的外部设备的类型，二次电池可以以单个电池的形式或以电池模组的形式使用，在电池模组中，多个电池连接并捆绑成单个单元。

技术实现思路

1、实施例针对一种二次电池，该二次电池包括：电极组件，包括涂覆有第一活性物质的多个第一电极板、涂覆有第二活性物质的多个第二电极板以及位于所述多个第一电极板中的每一个与所述多个第二电极板中的每一个之间的隔膜；以及壳体，通过内部空间容纳所述电极组件，其中所述电极组件包括在与所述壳体接触的至少一个表面上的固定构件。

2、所述固定构件附接到所述电极组件的下表面的至少一部分。

3、所述固定构件附接到所述电极组件的侧表面中的至少一个。

4、所述固定构件附接到所述电极组件的所述侧表面中彼此相对的两个表面。

5、位于所述电极组件的一端的最外电极板包括在所述最外电极板的外表面的部分地施加活性物质的区域上的半涂覆部分，并且所述固定构件附接到所述半涂覆部分。

6、所述固定构件的厚度对应于在所述最外电极板的除所述半涂覆部分之外的区域中的所述活性物质的厚度。

7、所述固定构件是带或喷涂涂层。

8、所述固定构件包含聚苯乙烯或聚乙烯。

9、所述固定构件的所述厚度为10μm～60μm。

10、所述二次电池进一步包括从所述多个第一电极板凸出的多个第一基板接线片。

11、所述二次电池进一步包括从所述多个第二电极板凸出的多个第二基板接线片。

12、所述多个第一基板接线片在基本上垂直于所述电极组件的高度方向的方向上以规则的间隔凸出。

13、所述多个第二基板接线片在基本上垂直于所述电极组件的所述高度方向的方向上以规则的间隔凸出。

14、所述多个第一基板接线片和所述多个第二基板接线片聚集在所述电极组件的一端。

15、所述壳体包括下端部分，用于通过在弯折区域周围的内凹槽容纳所述电极组件。

16、所述壳体进一步包括上端部分，用于通过绕与所述下端部分接触的边界折叠来密封所述下端部分。

17、所述壳体的所述下端部分的所述内凹槽的深度对应于所述电极组件的厚度。

18、所述电极组件容纳在所述下端部分中，并且所述第一基板接线片和所述第二基板接线片位于所述下端部分上方。

19、实施例针对一种二次电池，所述二次电池包括：电极组件；以及壳体，通过内部空间容纳所述电极组件，其中所述电极组件包括在与所述壳体接触的第一表面上的第一固定构件和在与所述壳体接触的第二表面上的第二固定构件。

20、实施例针对一种二次电池，所述二次电池包括：电极组件，包括涂覆有第一活性物质的多个第一电极板、涂覆有第二活性物质的多个第二电极板以及位于所述多个第一电极板中的每一个与所述多个第二电极板中的每一个之间的隔膜；多个第一基板接线片，从所述多个第一电极板凸出；多个第二基板接线片，从所述多个第二电极板凸出；以及壳体，通过内部空间容纳所述电极组件，其中所述电极组件包括在与所述壳体接触的第一表面上的第一固定构件和在与所述壳体接触的第二表面上的第二固定构件。

技术特征：

1.一种二次电池，包括：

2.根据权利要求1所述的二次电池，其中所述固定构件附接到所述电极组件的下表面的至少一部分。

3.根据权利要求1所述的二次电池，其中所述固定构件附接到所述电极组件的侧表面中的至少一个。

4.根据权利要求3所述的二次电池，其中所述固定构件附接到所述电极组件的所述侧表面中的彼此相对的两个表面。

5.根据权利要求1所述的二次电池，其中位于所述电极组件的一端的最外电极板包括在所述最外电极板的外表面的部分地施加活性物质的区域上的半涂覆部分，并且所述固定构件附接到所述半涂覆部分。

6.根据权利要求5所述的二次电池，其中所述固定构件的厚度对应于在所述最外电极板的除所述半涂覆部分之外的区域中的所述活性物质的厚度。

7.根据权利要求5所述的二次电池，其中所述固定构件是带或喷涂涂层。

8.根据权利要求1所述的二次电池，其中所述固定构件包含聚苯乙烯或聚乙烯。

9.根据权利要求1所述的二次电池，其中所述固定构件的厚度为10μm～60μm。

10.根据权利要求1所述的二次电池，进一步包括从所述多个第一电极板凸出的多个第一基板接线片。

11.根据权利要求10所述的二次电池，进一步包括从所述多个第二电极板凸出的多个第二基板接线片。

12.一种二次电池，包括：

13.一种二次电池，包括：

技术总结
一种二次电池包括：电极组件，包括涂覆有第一活性物质的多个第一电极板、涂覆有第二活性物质的多个第二电极板以及位于所述多个第一电极板中的每一个与所述多个第二电极板中的每一个之间的隔膜；以及壳体，通过内部空间容纳所述电极组件，其中所述电极组件包括在与所述壳体接触的至少一个表面上的固定构件。

技术研发人员：李美善,崔圭吉,卢大成,金东熙
受保护的技术使用者：三星SDI株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15