半导体装置和系统的制作方法

一般地，本实施方式涉及半导体装置和存储器系统。

背景技术：

1、以前，在形成连接器的基板上，使用装载nand闪存等的非易失性半导体存储元件的半导体存储器系统。而且，在半导体存储器系统中，除了非易失性半导体存储元件，还装载易失性半导体存储元件、控制非易失性半导体存储元件及易失性半导体存储元件的控制器。

2、这样的半导体存储器系统存在根据其使用环境和规格等制约基板的形状、大小的情况，例如，存在使用在俯视时呈长方形形状的基板的情况。而且，由于近几年的半导体存储器系统的小型化的要求，基板倾向于薄型化。由此，在用薄型化的长方形形状的基板时，要求抑制基板的弯曲。

技术实现思路

1、一种半导体装置，其中，包括基板和搭载于该基板的多个非易失性半导体存储器，所述基板具有第1主面和朝向与所述第1主面相反侧的第2主面，并包括：第1布线层，其设置于所述第1主面，搭载所述多个非易失性半导体存储器；第2布线层，其设置于所述第2主面；作为内层而形成的多个布线层；以及多个绝缘层，其分别设置于这些布线层之间，形成在比所述基板的层构造的中心线靠所述第1主面侧的所述布线层以及所述第1布线层的布线密度的平均值即第1平均值与形成在比所述基板的层构造的中心线靠所述第2主面侧的所述布线层以及所述第2布线层的布线密度的平均值即第2平均值的差的绝对值即第1值为7.5％以下，所述作为内层而形成的多个布线层中的第3布线层为用于收发信号的信号层，所述第3布线层隔着绝缘层而与所述布线层中的第4布线层以及第5布线层分别相对，所述第4布线层以及所述第5布线层为成为接地或电源的平面层。

2、一种系统，其中，包括：具备连接器的基板、搭载于所述基板的多个非易失性半导体存储器、以及与所述连接器连接的计算机，所述基板具有第1主面和朝向与所述第1主面相反侧的第2主面，并包括：第1布线层，其设置于所述第1主面，搭载所述多个非易失性半导体存储器；第2布线层，其设置于所述第2主面；作为内层而形成的多个布线层；以及多个绝缘层，其分别设置于这些布线层之间，形成在比所述基板的层构造的中心线靠所述第1主面侧的所述布线层以及所述第1布线层的布线密度的平均值即第1平均值与形成在比所述基板的层构造的中心线靠所述第2主面侧的所述布线层以及所述第2布线层的布线密度的平均值即第2平均值的差的绝对值即第1值为7.5％以下，所述作为内层而形成的多个布线层中的第3布线层为用于收发信号的信号层，所述第3布线层隔着绝缘层而与所述布线层中的第4布线层以及第5布线层分别相对，所述第4布线层以及所述第5布线层为成为接地或电源的平面层。

3、一种半导体装置，其中，包括：具备能够连接于计算机的连接器的基板、搭载于所述基板的与所述连接器电连接的驱动控制电路、以及由该驱动控制电路控制的多个非易失性半导体存储器，所述基板具有第1主面和朝向与所述第1主面相反侧的第2主面，并包括：第1布线层，其设置于所述第1主面；第2布线层，其设置于所述第2主面；作为内层而形成的多个布线层；以及多个绝缘层，其分别设置于这些布线层之间，形成在比所述基板的层构造的中心线靠所述第1主面侧的所述布线层以及所述第1布线层的布线密度的平均值即第1平均值与形成在比所述基板的层构造的中心线靠所述第2主面侧的所述布线层以及所述第2布线层的布线密度的平均值即第2平均值的差的绝对值即第1值为7.5％以下，所述作为内层而形成的多个布线层中的第3布线层为用于收发信号的信号层，所述第3布线层隔着绝缘层而与所述布线层中的第4布线层以及第5布线层分别相对，所述第4布线层以及所述第5布线层为成为接地或电源的平面层，所述驱动控制电路被搭载于所述基板的所述第1主面。

4、一种半导体装置，其中，包括基板和搭载于所述基板的多个非易失性半导体存储器，所述基板具有第1主面和朝向与所述第1主面相反侧的第2主面，并包括：第1布线层，其设置于所述第1主面，搭载所述多个非易失性半导体存储器；第2布线层，其设置于所述第2主面；作为内层而形成的多个布线层；以及多个绝缘层，其分别设置于这些布线层之间，所述多个绝缘层的1个形成于包含所述基板的层构造的中心线的区域，形成在比所述基板的层构造的中心线靠所述第1主面侧的所述布线层以及所述第1布线层的布线密度的平均值即第1平均值与形成在比所述基板的层构造的中心线靠所述第2主面侧的所述布线层以及所述第2布线层的布线密度的平均值即第2平均值之差的绝对值即第1值为7.5％以下，所述作为内层而形成的多个所述布线层中的第3至第5布线层为平面层，所述第3布线层形成在比所述基板的层构造的中心线靠所述第1主面侧，所述第4布线层以及所述第5布线层形成在比所述基板的层构造的中心线靠所述第2主面侧。

5、一种系统，其中，包括：具备连接器的基板、搭载于所述基板的多个非易失性半导体存储器、以及与所述连接器连接的计算机，所述基板具有第1主面和朝向与所述第1主面相反侧的第2主面，并包括：第1布线层，其设置于所述第1主面，搭载所述多个非易失性半导体存储器；第2布线层，其设置于所述第2主面；作为内层而形成的多个布线层；以及多个绝缘层，其分别设置于这些布线层之间，所述多个绝缘层的1个形成于包含所述基板的层构造的中心线的区域，形成在比所述基板的层构造的中心线靠所述第1主面侧的所述布线层以及所述第1布线层的布线密度的平均值即第1平均值与形成在比所述基板的层构造的中心线靠所述第2主面侧的所述布线层以及所述第2布线层的布线密度的平均值即第2平均值之差的绝对值即第1值为7.5％以下，所述作为内层而形成的多个所述布线层中的第3至第5布线层为平面层，所述第3布线层形成在比所述基板的层构造的中心线靠所述第1主面侧，所述第4布线层以及所述第5布线层形成在比所述基板的层构造的中心线靠所述第2主面侧。

6、一种半导体装置，其中，包括：基板，其包括能够连接于计算机的连接器；驱动控制电路，其搭载于所述基板，与所述连接器电连接；多个非易失性半导体存储器，其由所述驱动控制电路控制；以及粘结部，其使所述非易失性半导体存储器的表面露出，并且填充于所述非易失性半导体存储器彼此的间隙和所述非易失性半导体存储器与所述基板的间隙。

技术特征：

1.一种半导体装置，其中，

2.根据权利要求1所记载的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所记载的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1所记载的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1所记载的半导体装置，其中，

6.根据权利要求2所记载的半导体装置，其中，

7.根据权利要求2所记载的半导体装置，其中，

8.根据权利要求7所记载的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1所记载的半导体装置，其中，

10.根据权利要求1所记载的半导体装置，其中，

11.根据权利要求1所记载的半导体装置，其中，

12.根据权利要求11所记载的半导体装置，其中，

13.根据权利要求1所记载的半导体装置，其中，

14.根据权利要求1所记载的半导体装置，其中，

15.根据权利要求1所记载的半导体装置，其中，

16.根据权利要求1所记载的半导体装置，其中，

17.根据权利要求1所记载的半导体装置，其中，

18.一种系统，其中，

19.根据权利要求18所记载的系统，其中，

20.根据权利要求18所记载的系统，其中，

21.根据权利要求20所记载的系统，其中，

22.根据权利要求18所记载的系统，其中，

23.根据权利要求22所记载的系统，其中，

24.根据权利要求22所记载的系统，其中，

25.根据权利要求24所记载的系统，其中，

26.根据权利要求18所记载的系统，其中，

27.根据权利要求18所记载的系统，其中，

28.根据权利要求18所记载的系统，其中，

29.根据权利要求18所记载的系统，其中，

30.一种半导体装置，其中，

31.根据权利要求30所记载的半导体装置，其中，

32.根据权利要求30所记载的半导体装置，其中，

33.根据权利要求30所记载的半导体装置，其中，

34.根据权利要求30所记载的半导体装置，其中，

35.根据权利要求34所记载的半导体装置，其中，

36.根据权利要求30所记载的半导体装置，其中，

37.根据权利要求36所记载的半导体装置，其中，

38.根据权利要求30所记载的半导体装置，其中，

39.根据权利要求38所记载的半导体装置，其中，

40.根据权利要求30所记载的半导体装置，其中，

41.根据权利要求30所记载的半导体装置，其中，

42.根据权利要求41所记载的半导体装置，其中，

43.根据权利要求30所记载的半导体装置，其中，

44.根据权利要求30所记载的半导体装置，其中，

45.根据权利要求30所记载的半导体装置，其中，

46.一种半导体装置，其中，

47.根据权利要求46所记载的半导体装置，其中，

48.根据权利要求46所记载的半导体装置，其中，

49.根据权利要求48所记载的半导体装置，其中，

50.根据权利要求49所记载的半导体装置，其中，

51.根据权利要求46所记载的半导体装置，其中，

52.根据权利要求46所记载的半导体装置，其中，

53.根据权利要求52所记载的半导体装置，其中，

54.根据权利要求46所记载的半导体装置，其中，

55.根据权利要求54所记载的半导体装置，其中，

56.根据权利要求54所记载的半导体装置，其中，

57.根据权利要求54所记载的半导体装置，其中，

58.根据权利要求46所记载的半导体装置，其中，

59.根据权利要求46所记载的半导体装置，其中，

60.根据权利要求46所记载的半导体装置，其中，

61.根据权利要求60所记载的半导体装置，其中，

62.根据权利要求46所记载的半导体装置，其中，

63.根据权利要求46所记载的半导体装置，其中，

64.一种系统，其中，

65.根据权利要求64所记载的系统，其中，

66.根据权利要求64所记载的系统，其中，

67.根据权利要求66所记载的系统，其中，

68.根据权利要求67所记载的系统，其中，

69.根据权利要求64所记载的系统，其中，

70.根据权利要求64所记载的系统，其中，

71.根据权利要求64所记载的系统，其中，

72.根据权利要求64所记载的系统，其中，

73.根据权利要求64所记载的系统，其中，

74.根据权利要求73所记载的系统，其中，

75.根据权利要求64所记载的系统，其中，

76.根据权利要求64所记载的系统，其中，

技术总结
一种半导体装置和系统。半导体装置包括基板和多个非易失性半导体存储器，基板具有第1主面和朝向与第1主面相反侧的第2主面，并包括：第1布线层、第2布线层、作为内层而形成的多个布线层、以及多个绝缘层，形成在比基板的层构造的中心线靠第1主面侧的布线层以及第1布线层的布线密度的平均值即第1平均值与形成在比基板的层构造的中心线靠第2主面侧的布线层以及第2布线层的布线密度的平均值即第2平均值的差的绝对值即第1值为7.5％以下，作为内层而形成的多个布线层中的第3布线层为用于收发信号的信号层，第3布线层隔着绝缘层而与布线层中的第4布线层以及第5布线层分别相对，第4布线层以及第5布线层为成为接地或电源的平面层。

技术研发人员：增渕勇人,木村直树,松本学,森本丰太
受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14