高光效发光二极管光源的制作方法

本发明涉及一种发光二极管光源，特别是一种高光效发光二极管光源。

背景技术：

1、现有的发光二极管光源的发光二极管晶粒通常放置在发光二极管支架的负极焊盘。若发光二极管光源具有二个或以上相同尺寸的发光二极管晶粒，且这些发光二极管晶粒都放置在发光二极管支架的负极焊盘，则会导致严重的光干涉。上述的光干涉将导致发光二极管光源的光效大幅降低，且无法有效地利用发光二极管支架的空间。

2、若发光二极管光源具有一个大的发光二极管晶粒及一个小的发光二极管晶粒，大的发光二极管晶粒通常放置在发光二极管支架的负极焊盘，而小的发光二极管晶粒通常放置在发光二极管支架的正极焊盘。然而，由于上述二个发光二极管晶粒的电流不同，导致上述二个发光二极管晶粒的电压也不同。因此，上述二个发光二极管晶粒的发热量也会不一致，导致发光二极管光源的容易损坏，使其可靠性大幅降低。

3、中国专利公开文本cn112510026a及中国专利公开文本cn113725203a揭示了发光二极管光源的相关技术，但仍无法有效地解决上述问题。

技术实现思路

1、本发明提出一种高光效发光二极管光源，其包括支架、正极焊盘、负极焊盘、第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒。正极焊盘设置于支架上。负极焊盘设置于支架上，负极焊盘与正极焊盘间形成沟槽。第一发光二极管晶粒设置于正极焊盘上，并与正极焊盘及负极焊盘电性连接。第二发光二极管晶粒设置于负极焊盘上，并与正极焊盘及负极焊盘电性连接。其中第一发光二极管晶粒的一部分突出正极焊盘，并遮蔽沟槽的一部分。

2、作为本发明的一种改进，第一发光二极管晶粒包括第一部分及第二部分。第一部分突出正极焊盘，第二部分未突出正极焊盘。第一部分的宽度为沟槽的宽度的5%~50%。

3、作为本发明的一种改进，第一发光二极管晶粒包括第一部分及第二部分。第一部分突出正极焊盘，第二部分未突出正极焊盘。第一部分的宽度为沟槽的宽度的30%~50%。

4、作为本发明的一种改进，第一发光二极管晶粒包括第一部分及第二部分。第一部分突出正极焊盘，第二部分未突出正极焊盘。第一部分的宽度为沟槽的宽度的45%~50%。

5、作为本发明的一种改进，第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒为矩形。

6、作为本发明的一种改进，第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒相互平行。

7、作为本发明的一种改进，第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒相互垂直。

8、作为本发明的一种改进，发光二极管光源还包括第三发光二极管晶粒。第三发光二极管晶粒设置于负极焊盘上，并与正极焊盘及负极焊盘电性连接。

9、作为本发明的一种改进，第三发光二极管晶粒为矩形。

10、作为本发明的一种改进，第二发光二极管晶粒与第三发光二极管晶粒相互平行。第二发光二极管晶粒及第三发光二极管晶粒与第一发光二极管晶粒相互垂直。

11、承上所述，依本发明的实施例的高光效发光二极管光源，其可具有一或多个下述优点：

12、(1)发光二极管光源具有特殊的跨沟槽结构，故设置于正极焊盘的第一发光二极管晶粒的一部分可以突出正极焊盘，并遮蔽正极焊盘与负极焊盘间的沟槽的一部分。如此，第一发光二极管晶粒的尺寸不会受限于正极焊盘的面积，使第一发光二极管晶粒的尺寸可以与设置于负极焊盘的第二发光二极管晶粒的尺寸一致。因此，第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒的发热量也会一致，第一发光二极管晶粒的使用寿命可以接近第二发光二极管晶粒的使用寿命。故上述的结构设计可以使发光二极管光源的使用寿命可以更为稳定，以提升发光二极管光源的可靠性。

13、(2)发光二极管光源具有特殊的跨沟槽结构，故设置于正极焊盘的第一发光二极管晶粒的一部分可以突出正极焊盘，并遮蔽正极焊盘与负极焊盘间的沟槽的一部分。如此，第一发光二极管晶粒的尺寸不会受限于正极焊盘的面积。因此，负极焊盘可以容纳二个发光二极管晶粒(第二发光二极管晶粒及第三发光二极管晶粒)，且上述多个发光二极管晶粒的尺寸均可以有效地提升。

14、(3)第一发光二极管晶粒可设置在正极焊盘上，而第二发光二极管晶粒可设置在负极焊盘上，使这些发光二极管晶粒平均分布于正极焊盘及负极焊盘。另外，设置于正极焊盘的第一发光二极管晶粒的一部分可以突出正极焊盘。上述的结构设计可以有效地提升发光二极管光源的散热效果，进一步提升了发光二极管光源的使用寿命。

15、(4)发光二极管光源具有特殊的跨沟槽结构，其可以有效地降低第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒(及第三发光二极管晶粒)间的光干涉，故可以有效地提升发光二极管光源的光效。因此，发光二极管光源的整体效能可以得到大幅提升。

16、(5)发光二极管光源的设计简单，故可以在不大幅提升成本的前提下达到所欲达到的功效，使发光二极管光源能达到更高的实用性。因此，发光二极管光源的应用上可以更为广泛，更能符合实际应用上的需求。

技术特征：

1.一种高光效发光二极管光源，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，所述第一发光二极管晶粒包括第一部分及第二部分，所述第一部分突出所述正极焊盘，所述第二部分未突出所述正极焊盘，所述第一部分的宽度为所述沟槽的宽度的5%~50%。

3.如权利要求1所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，所述第一发光二极管晶粒包括第一部分及第二部分，所述第一部分突出所述正极焊盘，所述第二部分未突出所述正极焊盘，所述第一部分的宽度为所述沟槽的宽度的30%~50%。

4.如权利要求1所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，所述第一发光二极管晶粒包括第一部分及第二部分，所述第一部分突出所述正极焊盘，所述第二部分未突出所述正极焊盘，所述第一部分的宽度为所述沟槽的宽度的45%~50%。

5.如权利要求1所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，所述第一发光二极管晶粒及所述第二发光二极管晶粒为矩形。

6.如权利要求5所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，所述第一发光二极管晶粒及所述第二发光二极管晶粒相互平行。

7.如权利要求5所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，所述第一发光二极管晶粒及所述第二发光二极管晶粒相互垂直。

8.如权利要求5所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，还包括第三发光二极管晶粒，设置于所述负极焊盘上，并与所述正极焊盘及所述负极焊盘电性连接。

9.如权利要求8所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，所述第三发光二极管晶粒为矩形。

10.如权利要求9所述的高光效发光二极管光源，其特征在于，所述第二发光二极管晶粒与所述第三发光二极管晶粒相互平行，所述第二发光二极管晶粒及所述第三发光二极管晶粒与所述第一发光二极管晶粒相互垂直。

技术总结
一种高光效发光二极管光源，其包括支架、正极焊盘、负极焊盘、第一发光二极管晶粒及第二发光二极管晶粒。正极焊盘设置于支架上。负极焊盘设置于支架上，负极焊盘与正极焊盘间形成沟槽。第一发光二极管晶粒设置于正极焊盘上，并与正极焊盘及负极焊盘电性连接。第二发光二极管晶粒设置于负极焊盘上，并与正极焊盘及负极焊盘电性连接。其中第一发光二极管晶粒的一部分突出正极焊盘，并遮蔽沟槽的一部分。

技术研发人员：卢福星,林智荣
受保护的技术使用者：厦门普为光电科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13