一种转接板、封装结构及其制备方法与流程

本申请涉及半导体封装，特别是涉及一种转接板、封装结构及其制备方法。

背景技术：

1、目前2.3d封装技术是一种基于rdl(re-distributed layer，重布线层)的封装方案，rdl采用封装厂晶圆级制作能力，封装技术制作便宜，布线密度小，线宽线距大，但是对于高i/o芯片，rdl线宽间距比较大，不易制作高密度互联。而2.5d封装技术是一种基于硅转接板的封装方案，硅转接板采用晶圆厂的晶圆制作工艺，硅转接板制作成本较大。

技术实现思路

1、本申请提供一种转接板、封装结构及其制备方法，旨在解决现有技术中转接板的制作成本高、布线密度单一化的问题。

2、为了解决上述技术问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种转接板，转接板包括：

3、第一转接板和第二转接板；

4、第一封装层，将第一转接板和第二转接板封装为一体式结构；

5、其中，第一转接板和第二转接板并排且间隔设置，第一转接板包括基板，基板上间隔设置有多个第一导通结构；第二转接板包括相互堆叠的至少两层导通层和多个第二导通结构，相邻的导通层之间设置有介电层，多个第一导通结构的分布密度大于多个第二导通结构的分布密度。

6、其中，相邻两个第一导通结构之间的间距为0.2μm～0.5μm；相邻两个第二导通结构之间的间距为2μm～5μm。

7、其中，基板为硅基板，基板上间隔设置有多个盲孔，盲孔内设置有导电体，盲孔和位于盲孔内的导电体作为第一导通结构；

8、第二转接板相邻的导通层之间通过第二导通结构电性导通，以使第二转接板顶层的导通层和底层的导通层电性导通。

9、为了解决上述技术问题，本申请提供的第二个技术方案为：提供一种转接板的制备方法，转接板的制备方法包括：

10、分别获取第一转接板和第二转接板；其中，第一转接板包括基板，基板上间隔设置有多个第一导通结构；第二转接板包括相互堆叠的至少两层导通层和多个第二导通结构，相邻的导通层之间设置有介电层，多个第一导通结构的分布密度大于多个第二导通结构的分布密度；

11、将第一转接板和第二转接板并排且间隔放置于临时载板上；

12、采用第一塑封料对临时载板上的第一转接板和第二转接板进行塑封，形成第一封装层；

13、使临时载板与第一封装层分离，并使得第一转接板和第二转接板保留在第一封装层上，且第一导通结构的一端和第二导通结构的一端均暴露。

14、为了解决上述技术问题，本申请提供的第三个技术方案为：提供一种封装结构，封装结构包括：

15、转接板，如上述第一个技术方案所述的转接板；

16、线路连接层，设置于转接板裸露第一导通结构和第二导通结构的一侧表面，且连接线路层与第一导通结构和第二导通结构电连接；

17、芯片，设置于线路连接层远离转接板的一侧表面，且芯片通过线路连接层与第一导通结构和/或第二导通结构电连接；

18、第二封装层，将转接板上设置的线路连接层、芯片封装。

19、其中，线路连接层包括第一线路层和第二线路层，第一线路层与第一转接板电连接，第二线路层与第二转接板电连接，且第一线路层和第二线路层之间电连接，第一线路层的布线宽度小于第二线路层的布线宽度。

20、其中，第一线路层的布线宽度为0.2μm～0.5μm；第二线路层的布线宽度为2μm～5μm。

21、其中，第一导通结构和第二导通结构远离线路连接层的端面裸露于第一封装层远离第二封装层的表面。

22、为了解决上述技术问题，本申请提供的第四个技术方案为：提供一种封装结构的制备方法，封装结构的制备方法包括：

23、通过上述第二个技术方案所述的转接板的制备方法制得转接板；

24、在第一封装层裸露第一导通结构和第二导通结构的一侧表面形成线路连接层，并使线路连接层与第一导通结构和第二导通结构电连接；

25、在线路连接层远离第一封装层的一侧表面安装芯片，并使芯片通过线路连接层与第一导通结构和/或第二导通结构电连接；

26、在芯片远离转接板的一侧设置第二塑封料形成第二封装层，第一封装层和第二封装层将第一转接板、第二转接板、线路连接层和芯片塑封。

27、其中，对转接板远离第二封装层的表面进行研磨处理，以使第一导通结构远离线路连接层的一端和第二导通结构远离线路连接层的一端均裸露。

28、本申请的有益效果：区别于现有技术，本申请提供了一种转接板、封装结构及其制备方法，转接板包括第一转接板和第二转接板；第一封装层将第一转接板和第二转接板封装为一体式结构；其中，第一转接板和第二转接板并排且间隔设置，第一转接板包括基板，基板上间隔设置有多个第一导通结构；第二转接板包括相互堆叠的至少两层导通层和多个第二导通结构，相邻的导通层之间设置有介电层，多个第一导通结构的分布密度大于多个第二导通结构的分布密度。本申请将第一转接板和第二转接板组合封装，通过第一转接板提高布线密度，通过第二转接板降低制作成本，且由于第一转接板设置的多个第一导通结构的分布密度大于第二转接板设置的多个第二导通结构的分布密度，使得转接板上可以包含两种不同的布线密度区域，使转接板上的布线密度多样化。

技术特征：

1.一种转接板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的转接板，其特征在于，相邻两个所述第一导通结构之间的间距为0.2μm～0.5μm；相邻两个所述第二导通结构之间的间距为2μm～5μm。

3.根据权利要求1所述的转接板，其特征在于，所述基板为硅基板，所述基板上间隔设置有多个盲孔，所述盲孔内设置有导电体，所述盲孔和位于所述盲孔内的所述导电体作为所述第一导通结构；

4.一种转接板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

5.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述线路连接层包括第一线路层和第二线路层，所述第一线路层与第一转接板电连接，所述第二线路层与第二转接板电连接，且所述第一线路层和所述第二线路层之间电连接，所述第一线路层的布线宽度小于所述第二线路层的布线宽度。

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述第一线路层的布线宽度为0.2μm～0.5μm；所述第二线路层的布线宽度为2μm～5μm。

8.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述第一导通结构和所述第二导通结构远离所述线路连接层的端面裸露于第一封装层远离所述第二封装层的表面。

9.一种封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

10.根据权利要求9所述的封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：对所述转接板远离所述第二封装层的表面进行研磨处理，以使所述第一导通结构远离所述线路连接层的一端和所述第二导通结构远离所述线路连接层的一端均裸露。

技术总结
本申请提供一种转接板、封装结构及其制备方法，转接板包括第一转接板和第二转接板；第一封装层将第一转接板和第二转接板封装为一体式结构；其中，第一转接板和第二转接板并排且间隔设置，第一转接板包括基板，基板上间隔设置有多个第一导通结构；第二转接板包括相互堆叠的至少两层导通层和多个第二导通结构，相邻的导通层之间设置有介电层，多个第一导通结构的分布密度大于多个第二导通结构的分布密度。本申请通过将第一转接板和第二转接板组合封装，且第一转接板设置的多个第一导通结构的分布密度大于第二转接板设置的多个第二导通结构的分布密度，使一体式结构具有高密度和低密度两个区域，可以用于多芯片互联，使布线密度多样化。

技术研发人员：刘磊,胡津津,王利国,张强波,陈瑞田
受保护的技术使用者：天芯互联科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16